多波长发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术提供多波长发光二极管及其制备方法，涉及半导体材料与器件技术领域。本发明专利技术提供的多波长发光二极管包括一衬底、一缓冲层、一第一氮化镓层、一第二氮化镓层、一具有台阶化量子阱柱状结构的有源区、一电子阻挡层、一第三氮化镓层；本发明专利技术还提供所述多波长发光二极管的制备方法，包括：生长形成一具有多层结构的半导体结构；形成具有台阶化量子阱柱状结构的有源区；生长第三氮化镓层；沉积N型电极和P型电极。本发明专利技术提供多波长发光二极管及其制备方法，优点在于拓展发光二极管发光谱线范围，简化驱动电路的复杂性，提高电子或空穴的注入效率，降低接触电阻，提高了色度的调节和显色性指数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体材料与器件
，尤其涉及。
技术介绍
半导体发光二极管具有寿命长且节能绿色环保等优点，在日常生活的各个领域都得到了越来越多的应用且引起半导体研究和产业领域越来越大的重视。氮化镓(GaN)具有优异的物理和化学特性，与氮化铟(InN)、氮化铝(AlN)等III族氮化物组成三元、四元合金的禁带宽度可以在O. 7 eV - 6. 2 eV之间连续调节，并且任意组分的InAlGaN四元合金都是直接带隙，在白光照明、全色显示、彩色激光打印、高密度光存储、光探測、水下通信等领 域都有着广泛的应用前景。目前传统的白光发光二极管的设计方法主要有两种。ー种是将红、绿和蓝光二极管，在平面结构上组合封装得到白光ニ极管。其优势是三个ニ极管可以通过各自独立的控制电路来调节ニ极管的功率以实现顔色的可调性，但是其缺点就是每ー个白光ニ极管需要三个三基色ニ极管，成本较高；同时由于三基色ニ极管的平面排列方式，到时白光ニ极管色度空间方向性差；另外就是每个白光ニ极管需要三个控制电源，驱动电路复杂。另外ー种常见的途径是采用蓝光或紫外发光二极管激发荧光粉发光，实现各色光混合得到白光。其缺点是荧光粉吸收效本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多波长发光二极管，其特征在于，该多波长发光二极管的有源区具有台阶化量子阱柱状结构，包括第一量子阱层和第二量子阱层，所述第二量子阱层设置于第一量子阱层裸露表面之上，所述第二量子阱层包含多个窗口，所述多个窗口处显露出第一量子阱层的表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：金朝，范亚明，朱建军，边历峰，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：