【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体外延生长的生长衬底。
技术介绍
为了降低生产成本，使得LED进入通用照明领域，LED行业正在经历采用大尺寸的生长衬底的发展过程。生长衬底的尺寸越大，均匀性问题越重要，只有解决了大尺寸生长衬底的外延生长的均匀性问题，采用大尺寸生长衬底以便降低成本的优势才能充分表现出来。 在外延生长时，生长衬底的第二主表面接触加热的石墨盘，温度较高；生长衬底的第一主表面散热，并接触气体，温度较低，两个主表面之间的温度差使得生长衬底翘曲。另夕卜，外延层与生长衬底的热涨系数不同，每个生长衬底的内部应力、厚度及厚度均匀性等各不相同，因此，每片生长衬底在外延生长过程中，会发生翘曲，而且，翘曲的形状和程度各不相同，这就使得每片生长衬底的温度场的分布不同，导致外延片上的每个芯片的性能不同。只是单纯改进设备，很难完全解决同一外延片上的芯片的性能的均匀性问题。因此，需要改进生长衬底。在这个方向，已经有一些努力。为了局部化和最小化晶格常数和热涨系数的失配的效应，中国专利申请2005100089317提出一种生长衬底，即，首先在生长衬底上通过刻蚀形成阱，没有刻蚀到的地方形成阱壁...
【技术保护点】
一种划分成子区域的生长衬底，包括：生长衬底，所述的生长衬底的第一主表面具有沟槽，在所述的沟槽中具有氧化物覆盖层或氮化物覆盖层，所述的氧化物覆盖层或氮化物覆盖层覆盖所述的沟槽的底面，所述的沟槽把所述的生长衬底分隔成至少两个子区域，在每个所述的子区域，所述的生长衬底的第一主表面暴露。
【技术特征摘要】
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