衬底处理装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

一种可抑制颗粒产生的衬底处理装置及半导体装置的制造方法。具有：处理衬底的处理容器；向处理容器供给处理气体的气体供给部；在处理容器内设置的衬底载置台；轴，其贯通在处理容器的底壁设置的孔、且在上部设置有衬底载置台；波纹管，其在处理容器的外侧以围绕轴的外周的方式构成、且将内侧空间与处理容器的空间连通；部件落下防止部，其在所述处理容器的底部，并且包括第一结构及第二结构且至少由第一结构及第二结构构成，第一结构沿孔的一部分构成，第二结构沿孔的其他部分构成且与第一结构相邻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及衬底处理装置及半导体装置的制造方法、程序。
技术介绍
近年来，闪存等的半导体装置有高度集成化的趋势。随之而来的是，图案尺寸显著细微化。
技术实现思路
专利技术所要解决的课题细微化的图案中，颗粒的影响变得更为显著，因此，需要抑制颗粒的产生。本专利技术鉴于上述课题，其目的在于提供能够抑制颗粒的产生的技术。用于解决课题的手段本专利技术的一个方案中，提供一种技术，具有：处理衬底的处理容器；和向所述处理容器供给处理气体的气体供给部；在所述处理容器内设置的衬底载置台；轴，其贯通在所述处理容器的底壁设置的孔、且在上部设置有所述衬底载置台；波纹管，其在所述处理容器的外侧以围绕所述轴的外周的方式构成、且将内侧空间与所述处理容器的空间连通；和部件落下防止部，其在所述处理容器的底部，并且包括第一结构及第二结构且至少由所述第一结构及第二结构构成，所述第一结构沿所述孔的一部分构成，所述第二结构沿所述孔的其他部分构成且与所述第一结构相邻。专利技术的效果根据本专利技术，可提供能抑制颗粒的产生的技术。附图说明图1是示出本专利技术的第1实施方式涉及的衬底处理装置的图。图2是第1实施方式涉及的第一分散结构的说明图。图3是说明本专利技术的第一实施方式涉及的簇射头的图。图4是说明本专利技术的第一实施方式涉及的衬底载置台的说明图。图5是示出衬底处理工序的详情的流程图。图6是示出成膜工序的详情的流程图。图7是说明第1实施方式涉及的部件落下防止部的图。图8是说明第2实施方式涉及的部件落下防止部的图。图9是说明第2实施方式涉及的部件落下防止部的又一图。图10是说明第3实施方式涉及的部件落下防止部的图。图11是说明其他实施方式涉及的部件落下防止部的图。附图标记说明100···衬底处理装置200···晶片(衬底)217···轴219···波纹管250···部件落下防止部250a··间隙251···第一结构251b··前端部252···第二结构252b··前端部具体实施方式(第1实施方式)以下，说明本专利技术的第1实施方式。<装置构成>将本实施方式的衬底处理装置100的构成示于图1。如图1所示，衬底处理装置100以单片式的衬底处理装置的形式构成。(处理容器)如图1所示，衬底处理装置100包括处理容器202。处理容器202构成为例如横截面为圆形且扁平的密封容器。另外，处理容器202例如由铝(Al)、不锈钢(SUS)等金属材料构成。在处理容器202内形成有：处理作为衬底的硅晶片等晶片200的处理空间201、和在将晶片200向处理空间201搬送时供晶片200通过的搬送空间203。处理容器202由上部容器202a和下部容器202b构成。在上部容器202a与下部容器202b之间设置有分隔板204。在下部容器202b的侧面设置有与闸阀205相邻的衬底搬入搬出口206，晶片200经由衬底搬入搬出口206在下部容器202b与未图示的真空搬送室之间移动。在下部容器202b的底部设置有多个提升销207。而且，下部容器202b接地。闸阀205包括阀体205a和驱动体205b。阀体205a固定于驱动体205b的一部分。打开闸阀时，驱动体205b以远离处理容器202的方式工作，使阀体205a与处理容器202的侧壁分离。关闭闸阀时，驱动体205b朝向处理容器202移动，将阀体205a按压于处理容器202的侧壁，从而关闭闸阀。在处理空间201内设置有支承晶片200的衬底支承部210。衬底支承部210主要包括载置晶片200的载置面211、将载置面211持在表面的载置台212、和内置于衬底载置台212的作为加热源的加热器213。在衬底载置台212中，在与提升销207对应的位置处分别设置有供提升销207贯通的贯通孔214。接着，使用图4对衬底载置台212和浮动销320进行说明。图4(A)为从上方看衬底载置台212所见的图。图4(B)示出图4(A)内设置了浮动销320的位置的剖视图。如图4的记载那样，在衬底载置台212中设置多个载置衬底的浮动销320。在图4中，○表示浮动销320。需要说明的是，为便于说明，省略贯通孔214。浮动销320支承晶片200。浮动销320构成为外螺纹，在前端具有螺纹321。螺纹321与衬底载置台212的内螺纹部分即螺纹322啮合。浮动销320具有从螺钉的下端形成至上端的凹部323，从而将螺纹321和螺纹322之间的气氛排出。浮动销320具有在晶片200的中央、其外周处，使衬底载置面211和晶片200的下表面之间的高度对齐的功能。通过这样将高度对齐，能够使加热器213的影响在晶片200的中央、其外周处均匀。另外，通过用螺纹321、螺纹322固定，即便对于衬底处理时的压力变动、温度变化等环境变化，也能使衬底载置面211和晶片200的下表面之间的距离不发生变动。此外，通过设置凹部323，能够使由于前述环境变化而引起的膨胀了的内螺纹和外螺纹之间的气氛逃逸，因此，能够抑制浮动销320的紧固的松动。然而，上述解决方案，对于重复多次实施晶片200处理的量产装置而言，不言而喻的是，需要进一步维护。例如，处理1批次(例如，50片)的晶片时，由于发生由环境变化引起的浮动销320的松动的可能性大，因此进行维护时，需要由维护人员定期重新进行紧固。衬底载置台212设置在轴217的上部。轴217的主部贯通在处理容器202的底壁202c设置的孔208，进而介由支承板216在处理容器202的外部与升降机构218连接。通过使升降机构218工作从而使轴217及支承台212升降，能够使载置在衬底载置面211上的晶片200升降。需要说明的是，轴217下部的周围(外周)由波纹管219覆盖。处理容器202内保持气密。在底壁202c上沿孔208设置有能够从底壁202c取下的部件落下防止部250。如后面所述，部件落下防止部250呈沿着轴217的外周的形状。在轴217的外壁和部件落下防止部250之间设置预定的间隙250a。间隙250a构成为轴217上下移动时不接触，同时尺寸设为后述的螺钉等部件进不去的程度。如后面所述，部件落下防止部250构成为以轴217为中心的圆周状。部件落下防止部250具有多个部件落下防止结构，各个部件落下防止结构构成圆周的一部分。对衬底处理装置100进行维护时，将各部件落下防止结构分解、取下。由此，即便不将轴217从处理容器202取下，也能更换部件落下防止部250。在波纹管219的上端和底壁202c之间设置上按压部220。在上按压部220上连接作为非活性气体供给部221的一部分的非活性气体供给管221a，且连通波纹管219内侧的空间。在非活性气体供给管221a上，从上游起依次设置非活性气体供给源221b、阀221c、质量流量控制器221d。从非活性气体供给源221b供给的非活性气体经阀221c、质量流量控制器221d供给至波纹管219的上端和底壁202c之间。通过供给非活性气体，可防止原料气体侵入到波纹管219内。非活性气体供给部221主要由非活性气体供给管221a、阀221c、质量流量控制器221d构成。非活性气体供给部221也可以包括非活性气体供给源221b。对于衬底载置台212，在搬送晶片200时，衬底载置面211下降至与衬底搬入搬出口206相对的位置(晶片搬送位置、晶片搬送位点)，在处理本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底处理装置，具有：处理衬底的处理容器；向所述处理容器供给处理气体的气体供给部；设置在所述处理容器内的衬底载置台；轴，其贯通在所述处理容器的底部设置的孔、且在上部设置有所述衬底载置台；波纹管，其在所述处理容器的外侧以围绕所述轴的外周的方式构成，且内侧空间与所述处理容器的空间连通；非活性气体供给部，设于所述处理容器的外侧，向所述波纹管内供给非活性气体；部件落下防止部，其在所述处理容器的底部，并且包括第一结构及第二结构且至少由所述第一结构及第二结构构成，所述第一结构沿所述孔的一部分构成，所述第二结构沿所述孔的其他部分构成且与所述第一结构相邻，在所述第一结构和所述第二结构中，分别设置有：被所述底部支承的支承部；与所述支承部一起形成非活性气体流路的盖部；以及排气孔，其作为所述非活性气体流路的一部分而设置在所述支承部的径向外周端上，且将供给到所述波纹管的所述非活性气体以圆周状排气。

【技术特征摘要】
2015.09.08 JP 2015-1767611.一种衬底处理装置，具有：处理衬底的处理容器；向所述处理容器供给处理气体的气体供给部；设置在所述处理容器内的衬底载置台；轴，其贯通在所述处理容器的底部设置的孔、且在上部设置有所述衬底载置台；波纹管，其在所述处理容器的外侧以围绕所述轴的外周的方式构成，且内侧空间与所述处理容器的空间连通；非活性气体供给部，设于所述处理容器的外侧，向所述波纹管内供给非活性气体；部件落下防止部，其在所述处理容器的底部，并且包括第一结构及第二结构且至少由所述第一结构及第二结构构成，所述第一结构沿所述孔的一部分构成，所述第二结构沿所述孔的其他部分构成且与所述第一结构相邻，在所述第一结构和所述第二结构中，分别设置有：被所述底部支承的支承部；与所述支承部一起形成非活性气体流路的盖部；以及排气孔，其作为所述非活性气体流路的一部分而设置在所述支承部的径向外周端上，且将供给到所述波纹管的所述非活性气体以圆周状排气。2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述第一结构和所述第二结构分别具有下部，所述下部在内周侧设置作为所述非活性气体流路的一部分而构成的空间、且在外周侧设置沿所述孔的形状而向下方突出的凸结构，所述下部以配置在所述孔的内部的方式构成。3.如权利要求2所述的衬底处理装置，其中，所述第一结构隔着间隙与所述轴相邻。4.如权利要求2所述的衬底处理装置，其中，所述第一结构的内周为沿所述轴的外周形状的形状。5.如权利要求2所述的衬底处理装置，其中，所述非活性气体供给部控制为在从所述处理气体供给部供给气体期间，向所述波纹管供给非活性气体。6.如权利要求2所述的衬底处理装置，其中，所述部件落下防止部以越接近所述轴、自所述底部的高度越高的方式构成。7.如权利要求2所述的衬底处理装置，其中，在所述衬底载置台的上游，设置有具有可取下的分散板的簇射头。8.如权利要求2所述的衬底处理装置，其中，在所述衬底载置台上设置有可取下的浮动销。9.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述第一结构隔着间隙与所述轴相邻。10.如权利要求9所述的衬底处理装置，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：芦原洋司，泽田元司，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：日本;JP