本发明涉及半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。要解决的问题为能够容易地掌握处理室的状态。为解决上述问题，提供一种具有下述工序的技术：预热工序，在处理室中不存在衬底的状态下，对设置于处理室的加热部、和控制处理室的气氛的气氛控制部...

本发明提供一种半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质。提高在基板上形成的膜的特性。本申请的半导体装置的制造方法具有：准备在表面露出第一膜的基板的工序，该第一膜含有硅、氧、碳和氮，且氧原子浓度比硅原子浓度高，硅原子浓度比碳原子浓度高...

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。要解决的课题为提供能够实现良好特性的器件的技术。半导体器件的制造方法具有下述工序：将形成布线层的衬底搬入处理室的工序；和形成层叠蚀刻阻挡膜的工序，其中，向衬底供给含第一元素的气体和...

本发明提供一种使用等离子体形成高品质的膜的衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。在具有内置有用于载置衬底的衬底载置台的处理室、和使供给到处理室内的气体成为等离子体状态的等离子体生成部的衬底处理装置中，等离子体生成部具有以包围成为...

本发明提供一种基板处理方法、记录介质和基板处理装置，是提高设备特性的均匀性的技术。本申请提供一种基板处理方法，其具有：将具有形成有图案的硬掩模的基板搬入处理室的工序，向所述处理室供给含金属气体来达到第一压力的第一浸透工序，以及在所述第一...

本发明涉及衬底支承件、衬底处理装置及半导体器件的制造方法。目的在于，提供在维持衬底支承件的强度的同时、减小对处理结果的影响。解决手段为提供一种构成，所述构成上下隔开间隔地水平支承多个衬底，并且具有：主支柱，其设置有支承衬底的衬底保持部；...

本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。要解决的课题为，控制在衬底上形成的膜的衬底面内膜厚分布。衬底处理装置具有：处理室，对衬底进行形成包含主元素的膜的处理；第一喷嘴，对处理室内的衬底供给包含主元素的原料；第二喷嘴，设置...

本发明涉及半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。能够改善在衬底上形成的膜的阶梯覆盖性能。解决手段为将下述工序依次进行多次从而在衬底上形成金属氧化膜：当向收容有所述衬底的处理室供给含有有机系金属的原料气体与非活性气体的混合气体时，...

本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。要解决的课题为当在多张衬底上形成膜时，提高形成在衬底上的膜的衬底间膜厚均匀性。衬底处理装置，其具有：处理室，对衬底进行形成包含主元素的膜的处理；第一喷嘴，对处理室内的衬底供给包含主...

本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及存储介质，该技术具有：一频率处理室，设置于处理组件内，并对形成有绝缘膜的衬底进行处理；二频率处理室，在处理组件内与一频率处理室相邻，并对经一频率处理室处理后的衬底进行处理；气体供给部，将至少...

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。要解决的课题为抑制在衬底上形成膜时的膜厚降低现象的发生。具有将非同时地进行下述(a)工序和下述(b)工序的循环进行规定次数，从而在图案上形成包含主元素、碳及氮的膜的工序：(a)对表...

本发明的目的在于提供一种能够抑制产生微粒的衬底处理装置、光刻用模板的制造方法、记录程序的记录介质。根据本发明的一个方案，提供如下技术，具有：衬底载置台，其具有支承衬底中的非接触区域的背面的凸部、和与上述凸部一起构成空间的底部，该衬底在中...

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、气体供给系统、立体闪存、动态随机存储器及半导体器件。本发明的课题在于在表面的至少一部分露出有绝缘膜的衬底上形成Si膜时，提高所形成的Si膜的膜质。本发明的技术手段为具有：衬底，由单晶硅构成；...

提供一种能够适当且高效率地进行基于自组装光刻的构图的半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。包括：将形成有引导图案的衬底收容于处理室的工序；第一处理工序，向处理室供给针对衬底进行亲水化处理或疏水化处理的任意一方的第一处理气体的等离...

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。随着衬底处理温度变高，提高工艺的再现性·稳定性。本发明具有：将形成有有机材料膜的衬底收容在处理室内的工序，向所述衬底供给含有金属的气体的工序，向所述衬底供给第一含氧气体和稀释气体的...

本发明具有至少在一定期间重合地进行下述工序从而在衬底上形成膜的工序：对衬底供给第一原料的工序，第一原料包含规定元素与氮的化学键或规定元素与碳的化学键、和规定元素与氢的化学键，并且不含氮与氢的化学键；和对衬底供给假催化剂的工序，假催化剂包...

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。要解决的课题为提高在衬底上形成的SiOCN膜的膜质。半导体器件的制造方法进行下述工序：将非同时地进行下述工序的循环进行规定次数，从而在衬底上形成包含硅、氧、碳及氮的膜的工序：对衬底...

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及存储介质。本发明的课题为在三维结构的FLASH存储器中也可形成良好特性的半导体器件。为了解决上述课题，本发明提供一种技术，该技术包括：在形成有绝缘膜的衬底被载置于处理室内的衬底载置部的状态下...

提供一种能够提高使膜特性改变的处理后的衬底的特性的衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。包括：收容衬底的处理容器；衬底支承部，在处理容器内支承衬底，具有支承电极；与衬底支承部相对的上部电极；第一阻抗控制部，其一端连接于上部电极；...

本发明涉及平版印刷用模板的制造方法、记录介质及衬底处理装置。本发明的目的在于，提供可提高模板的品质的技术。本发明的解决手段为下述技术，其具有将衬底搬入处理室的工序，所述衬底在中央具有图案形成区域、在其外周具有非接触区域；衬底载置台具有支...