衬底处理装置、光刻用模板的制造方法及记录程序的记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供一种能够抑制产生微粒的衬底处理装置、光刻用模板的制造方法、记录程序的记录介质。根据本发明专利技术的一个方案，提供如下技术，具有：衬底载置台，其具有支承衬底中的非接触区域的背面的凸部、和与上述凸部一起构成空间的底部，该衬底在中央具有图案形成区域且在外周具有上述非接触区域；处理室，其具有上述衬底载置台；处理气体供给部，其向上述处理室供给处理气体；和热气体供给部，其向上述空间供给热气体。

【技术实现步骤摘要】
衬底处理装置、光刻用模板的制造方法及记录程序的记录介质
本专利技术涉及衬底处理装置、光刻用模板(template)的制造方法、记录程序的记录介质。
技术介绍
作为对衬底进行处理的衬底处理装置，例如具有在处理室内具有支承衬底的衬底支承部的装置(例如专利文献1)。在衬底处理装置中，构成为能够处理多种衬底。作为其中之一，具有用作纳米压印(nanoimprint)用光刻模板的玻璃衬底。具有使该模板转印到被转印衬底上的树脂上来形成图案的方法(例如专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2016-63033号公报专利文献2：日本特开2013-235885号公报
技术实现思路
在纳米压印处理中将光刻用模板的构造转印到被转印衬底上，因此模板构造需要高的准确性。为了制造准确性高的模板，需要例如在模板构造中形成硬掩膜等的衬底处理。在形成硬掩膜时，进行例如加热衬底等的处理。另外，在纳米压印
中，需要抑制产生微粒(particle)。这是因为，在微粒附着于模板而无法成为所期望的形状的情况下，当使用该模板来进行转印时，被转印衬底侧的成品率会显著降低。因此，本专利技术的目的在于提供一种能够抑制产生微粒的技术。根据本专利技术的一个方案，提供一种技术，具有：衬底载置台，其具有支承衬底中的非接触区域的背面的凸部、和与上述凸部一起构成空间的底部，该衬底在中央具有图案形成区域且在外周具有上述非接触区域；处理室，其具有上述衬底载置台；处理气体供给部，其向上述处理室供给处理气体；和热气体供给部，其向上述空间供给热气体。专利技术效果根据本专利技术，能够抑制产生微粒。附图说明图1是说明在本专利技术的实施方式中进行处理的衬底的说明图。图2是说明本专利技术的实施方式的衬底处理装置的说明图。图3是说明本专利技术的实施方式的衬底载置台的说明图。图4是说明本专利技术的实施方式的衬底载置台室的说明图。图5是说明本专利技术的实施方式的控制器的说明图。图6是说明本专利技术的实施方式的衬底处理流程的说明图。图7是说明本专利技术的实施方式的衬底载置台的说明图。图8是说明本专利技术的实施方式的衬底载置台的说明图。图9是说明本专利技术的比较例的衬底载置台的说明图。附图标记说明100…衬底处理装置，200…衬底，212…衬底载置台，225…气体加热部，280…控制器具体实施方式以下，一边参照附图一边说明本专利技术的实施方式。[本专利技术的第一实施方式]说明本专利技术的第一实施方式。以下一边参照附图一边说明本专利技术的第一实施方式。(衬底处理装置)使用图1来说明处理对象的衬底200。图1中的(a)是从上方观察到的衬底200的图，(b)是(a)的α-α’处的剖视图。衬底200用作纳米压印用光刻模板(以下L模板)。在形成L模板时，使用被称为主模板的预先形成的模具。L模板用作用于向被转印衬底转印的模具。通过将L模板按压到被转印衬底上，来在被转印衬底上形成图案。衬底200构成为L模板。衬底200主要具有成为基座的玻璃衬底200a和形成在其上部的图案形成区域200b。图案形成区域200b是形成有从主模板转印的图案的区域。在与被转印衬底接触时，为了避免与被转印区域以外的部分接触，而将图案形成区域200b构成为凸状。在图案形成区域200b上形成有后述的硬掩膜等。附图标记200c表示玻璃衬底200a的上表面中的、未形成图案形成区域200b的面。200c是不与被转印衬底接触的区域，因此在本实施方式中，称为非接触区域200c。附图标记200d指的是衬底背面中的图案形成区域200b的背面。附图标记200e指的是非接触区域200c的背面。在本实施方式中，将200d称为衬底中央背面，将200e称为衬底外周背面。接下来，使用图2来说明对图1所记载的衬底200进行处理的装置。图2是本实施方式的衬底处理装置100的示意横剖视图。(容器)如图例那样，衬底处理装置100具有容器202。在容器202内形成有对衬底200进行处理的处理空间205、和在将衬底200向处理空间205搬送时供衬底200通过的搬送空间206。容器202由上部容器202a和下部容器202b构成。在上部容器202a与下部容器202b之间设有分隔板208。在下部容器202b的侧面上设有与闸阀206相邻的衬底搬入搬出口，衬底200经由衬底搬入搬出口而在下部容器202b与壳体之间移动。在下部容器202b的底部设有多个顶升销(liftpin)207。而且下部容器202b接地。在处理空间205中配置有支承衬底200的衬底支承部210。衬底支承部210主要具有：缓冲构造211；在表面具有缓冲构造211的衬底载置台212；和设在衬底载置台212内的作为加热源的加热部213。加热部213例如以电阻加热构成。在衬底载置台212上，在与顶升销207相对应的位置上分别设有供顶升销207贯穿的贯穿孔214。在加热部213上连接有温度控制部215。温度控制部215根据控制器280的指示来控制加热部213的温度。加热部213也称为衬底载置台加热部。缓冲构造211由凸部211a和底部211e构成。此外，将被凸部211a包围的空间称为空间211b。空间211b也称为缓冲空间。衬底载置台212的详细情况将在后叙述。衬底载置台212由轴217支承。轴217贯穿容器202的底部，而且在容器202的外部与升降部218连接。在轴217的内侧设有后述的热气体供给管220。在本实施方式中，将缓冲构造211和衬底载置台212统称为衬底载置部。衬底载置部的详细情况将在后叙述。在处理空间205的上部(上游侧)设有作为气体分散机构的喷头230。在喷头230的盖231上设有贯穿孔231a。贯穿孔231a与后述的气体供给管242连通。喷头230具有用于使气体分散的作为分散机构的分散板234。该分散板234的上游侧为处理气体滞留空间232，下游侧为处理空间205。在分散板234上设有多个贯穿孔234a。上部容器202a具有凸缘，在凸缘上载置并固定有支承块233。支承块233具有凸缘233a，在凸缘233a上载置并固定有分散板234。而且，盖231固定在支承块233的上表面上。(衬底载置部)接下来使用图3来说明衬底载置部的详细情况。图3是将衬底载置台212放大的说明图。如上述那样缓冲构造211具有凸部211a。凸部211a支承衬底外周背面200e，例如以环状构成。凸部211a的上端面支承衬底外周背面200e，由此在衬底200与构成缓冲构造211的底面的底部211e之间构成空间211b。通过由凸部211a进行支承并且设置空间211b，而能够减少衬底200背面与衬底载置台212的接触面积。由此，能够抑制因接触而产生微粒。凸部211a在图案形成区域200b的背面200d侧构成空间，而且以支承非接触区域200c的背面200e的方式来设定空间211b的大小。即，构成为在图案形成区域200b的背面200d不存在支承衬底200的构造。在凸部211a的一部分上设有朝向侧面方向设置的孔211d。孔211d以贯穿凸部211a的方式构成，并且以规定间隔配置有多个。空间211b的气体环境经由孔211d而与比凸部211a靠外的空间、即处理空间205连通。在此，将孔211d设在凸部211a上，但只要设在衬底外周背面200e下方即可，只要构造上可行，也可以设在例如底部211本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种衬底处理装置，其特征在于，具有：衬底载置台，其具有支承衬底中的非接触区域的背面的凸部、和与所述凸部一起构成空间的底部，所述衬底在中央具有图案形成区域且在外周具有所述非接触区域；处理室，其具有所述衬底载置台；处理气体供给部，其向所述处理室供给处理气体；和热气体供给部，其向所述空间供给热气体。

【技术特征摘要】
2016.12.13 JP 2016-2411451.一种衬底处理装置，其特征在于，具有：衬底载置台，其具有支承衬底中的非接触区域的背面的凸部、和与所述凸部一起构成空间的底部，所述衬底在中央具有图案形成区域且在外周具有所述非接触区域；处理室，其具有所述衬底载置台；处理气体供给部，其向所述处理室供给处理气体；和热气体供给部，其向所述空间供给热气体。2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，所述热气体供给部具有设在所述底部上的供给管，在所述供给管上设有对气体进行加热的加热部。3.如权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于，所述空间至少设在所述图案形成区域和所述非接触区域各自的背面的下方。4.如权利要求3所述的衬底处理装置，其特征在于，在垂直方向上，在所述凸部的上端与所述底部之间设有分散板。5.如权利要求4所述的衬底处理装置，其特征在于，所述分散板与所述衬底并行地配置。6.如权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于，在垂直方向上，在所述凸部的上端与所述底部之间设有分散板。7.如权利要求6所述的衬底处理装置，其特征在于，所述分散板与所述衬底并行地配置。8.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，所述空间至少设在所述图案形成区域和所述非...

【专利技术属性】
技术研发人员：大桥直史，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：日本,JP