片盒、反应腔室和半导体设备制造技术

本发明专利技术公开了一种片盒、反应腔室和半导体设备。本发明专利技术的片盒，包括顶板、底板、以及设置在顶板和底板之间的多个支撑件，支撑件的内壁设置有放置位用于放置基片，还包括隔板，隔板设置在顶板和底板之间，且顶板、隔板和底板相互平行，隔板用于增加对各基片的热辐射。本发明专利技术的反应腔室包括本发明专利技术的片盒。本发明专利技术的半导体设备包括本发明专利技术的反应腔室。本发明专利技术提供的片盒，能够使位于片盒中各位置的基片在基本相同的时间内达到预设温度。

【技术实现步骤摘要】
片盒、反应腔室和半导体设备
本专利技术属于半导体加工领域，具体涉及一种片盒、反应腔室和半导体设备。
技术介绍
物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，简称PVD)技术是指采用物理方法，将材料源(固体或液体)表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。以铜互连PVD工艺流程为例，如图1所示，在该工艺流程中通常包括去气工艺步骤、预清洗工艺步骤、Ta(N)沉积工艺步骤和Cu沉积工艺步骤。去气工艺步骤作为整个工艺流程中的第一步，具有重要意义，其需要在真空系统中，去除掉基片S的表面在大气中吸附的水蒸气等杂质，清洁基片S的表面，为后续工艺步骤提供尽可能干净的基片S。请参照图2，现有的去气腔室中包括：上组环形光源21、下组环形光源22和放置基片S的片盒10，上组环形光源21和下组环形光源22围绕片盒10设置，用于为去气腔室提供热量。为提高去气工艺的效率，可采用同时对多片基片S进行去气工艺的方式，现有的用于放置多片基片S的片盒10，如图3所示。该片盒10包括：相对设置的顶板1和底板2，以及位于底板2和顶板1的边缘位置之间设置的多个支撑件3，多个支撑件3的相对侧设置有多个放置位4，用于放置多片基片S。一般在实际操作中，需要预先对放置片盒的去气腔室内进行预热，待反应腔室内达到某一恒定温度后，依次向每个放置位4中放入基片S，并在基片S的温度达到预设温度后，将基片S传出去气腔室以完成去气工艺。采用这种方式会存在如下问题：位于中间的基片S所受到的热辐射比与顶板1或底板2相邻的基片S受到的热辐射少，且到达相同的预设温度，位于中间的基片S需要加热的时间比与顶板1或底板2相邻的基片S需要加热的时间长，升温过程中基片S间温度均匀性不佳，从而导致基片S加热的效率降低，去气工艺时间延长，不利于提高工艺效果。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种能够使位于片盒中各位置的基片达到预设温度的时间基本相同的片盒、反应腔室和半导体设备。根据本专利技术的一方面，提供了一种片盒，包括顶板、底板、以及设置在所述顶板和所述底板之间的多个支撑件，所述支撑件的内壁设置有放置位用于放置基片，其特征在于，还包括隔板，所述隔板设置在所述顶板和所述底板之间，且所述顶板、所述隔板和所述底板相互平行，所述隔板用于增加对各基片的热辐射。可选地，根据本专利技术的片盒，每个所述支撑件由至少两个子支撑件连接而成，所述隔板设置在相邻两个所述子支撑件的连接点之间。可选地，根据本专利技术的片盒，多个所述子支撑件设置在与所述顶板相邻的所述隔板和所述顶板之间；多个所述子支撑件设置在相邻两个所述隔板之间；以及多个所述子支撑件设置在与所述底板相邻的所述隔板和所述底板之间；且所述子支撑件均沿所述隔板的周向间隔设置。可选地，根据本专利技术的片盒，所述子支撑件的内侧设置有一个或两个放置位。可选地，根据本专利技术的片盒，所述子支撑件为柱状和/或框状。可选地，根据本专利技术的片盒，所述放置位为凸台或凹槽。可选地，根据本专利技术的片盒，所述隔板采用金属材料制成；所述金属材料为合金材料。可选地，根据本专利技术的片盒，所述合金材料为铝合金。根据本专利技术的另一方面，提供了一种反应腔室，包括腔体、片盒和多组环形光源，所述片盒和多组所述环形光源位于所述腔体内，多组所述环形光源围绕所述片盒设置，用于自所述片盒的侧面加热位于所述片盒内放置的多个基片，每组所述环形光源与所述腔体的侧壁之间还设置有反光装置，所述片盒为本专利技术的所述片盒。根据本专利技术的另一方面，提供了一种半导体设备，包括本专利技术的反应腔室。本专利技术的片盒、反应腔室和半导体设备中，通过在片盒中增加隔板，并将基片放置于相邻两个隔板之间，在进行工艺时，由于事先已对片盒加热至预设温度，因此增加的隔板可以直接对基片进行热辐射，也就是说，位于片盒中不同位置的基片都受到来自隔板和环形光源两方面的热辐射，从而能够降低每个基片受到的热源差异，减少了基片之间的相互影响，使位于片盒中各位置的基片达到预设温度的时间基本相同，提高了基片的升温速度，进而提高了工艺效率及片盒的工艺性能。附图说明图1为现有的PVD工艺流程的流程示意图；图2为现有的去气腔室的结构示意图；图3为现有的片盒的结构示意图；图4为本专利技术的实施例1的片盒的立体图；图5为本专利技术的实施例1的片盒的主视图；图6为本专利技术的实施例2的反应腔室的立体图；图7为本专利技术的实施例3的半导体设备的结构示意图；其中，附图标记为：10、片盒；21、上组环形光源；22、下组环形光源；30、腔体；40、反光装置；50、传片口；60、升降机构；1、顶板；2、底板；3、支撑件；4、放置位；5、隔板；6、子支撑件。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。实施例1：请参照图4和图5，本实施例提供一种片盒，包括顶板1、底板2、以及设置在顶板1和底板2之间的多个支撑件，支撑件的内壁设置有放置位4用于放置基片S；该片盒还包括隔板5，隔板5设置在顶板1和底板2之间，且顶板1、隔板5和底板2相互平行，隔板5用于增加对基片S在法线方向的热辐射。可以理解的是，从图4和图5中可以看出，位于片盒的最上方的是顶板1，位于片盒的最下方是底板2。本实施例的片盒，在顶板1和底板2之间设置了多个隔板5，在相邻两个隔板5之间放置基片S，由于隔板5也能够像顶板1和底板2一样吸收反应腔室中的环形光源释放出来的热量，因此，当基片S放在相邻两个隔板5之间时，隔板5也会对基片S进行热辐射，即对于放置在片盒的中部位置的基片S，其与位于顶板1或底板2相邻位置的基片S一样，都会受到来自顶板1或底板2以及环形光源的热辐射，也就是说，只要是设置在片盒内，无论是位于片盒内的哪个位置，基片S所受到的热辐射的辐射源和热辐射量都是相同的，所以，各位置的基片S达到相同的预设温度所需要的时间是相同的，即本实施例的片盒缩短了位于中间区域的基片S的升温时间，提高了基片S的升温速度，从而提高了片盒的工艺性能及去气工艺的效率。需要说明的是，顶板1、底板2和多个隔板5都可以采用相同的材料制成，且三者的结构可以是相同的。其中，每个支撑件由至少两个子支撑件6连接而成，隔板5设置在相邻两个子支撑件6的连接点之间。其中，多个子支撑件6设置在与顶板1相邻的隔板5和顶板1之间；多个子支撑件6设置在相邻两个隔板5之间；以及多个子支撑件6设置在与底板2相邻的隔板5和底板2之间；且子支撑件6均沿隔板5的周向间隔设置。请参照图4和图5，位于每相邻两个隔板5的边缘区域之间、与顶板1相邻的隔板5和顶板1之间以及与底板1相邻的隔板5和底板1之间均周向间隔设置的多个子支撑件6，能够为该相邻两个隔板5、隔板5与顶板1以及隔板5与底板2提供支撑力，从而使相邻的两个隔板5、隔板5与顶板1以及隔板5与底板2之间具有一定的距离；每个子支撑件6的内侧(即朝向隔板5的中心区域的方向)设置有放置位4，每相邻两个隔板5之间的多个子支撑件6上的位于同一竖直高度的放置位4用于支撑住基片S的边缘区域，即同一竖直高度的放置位4能够使基片S呈水平放置，放置位4为基片S提供支撑力，以避免基片S在片盒内发生脱落和移位。其中，每相邻两个本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种片盒，包括顶板、底板、以及设置在所述顶板和所述底板之间的多个支撑件，所述支撑件的内壁设置有放置位用于放置基片，其特征在于，还包括隔板，所述隔板设置在所述顶板和所述底板之间，且所述顶板、所述隔板和所述底板相互平行，所述隔板用于增加对各基片的热辐射。

【技术特征摘要】
1.一种片盒，包括顶板、底板、以及设置在所述顶板和所述底板之间的多个支撑件，所述支撑件的内壁设置有放置位用于放置基片，其特征在于，还包括隔板，所述隔板设置在所述顶板和所述底板之间，且所述顶板、所述隔板和所述底板相互平行，所述隔板用于增加对各基片的热辐射。2.根据权利要求1所述的片盒，其特征在于，每个所述支撑件由至少两个子支撑件连接而成，所述隔板设置在相邻两个所述子支撑件的连接点之间。3.根据权利要求2所述的片盒，其特征在于，多个所述子支撑件设置在与所述顶板相邻的所述隔板和所述顶板之间；多个所述子支撑件设置在相邻两个所述隔板之间；以及多个所述子支撑件设置在与所述底板相邻的所述隔板和所述底板之间；且所述子支撑件均沿所述隔板的周向间隔设置。4.根据权利要求3所述的片盒，其特征在于，所述子支撑...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾强，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11