半导体工艺设备及其反应腔室制造技术

本申请公开了一种半导体工艺设备及其反应腔室，属于半导体工艺技术领域。该反应腔室包括腔室主体、进气容腔以及排气容腔，进气容腔和排气容腔分别固设在腔室主体的两相对侧，且进气容腔和排气容腔均沿腔室主体的高度方向延伸；进气容腔的底部连接有进气口连接管，进气容腔靠近腔室主体的一侧开设有沿腔室主体的高度方向分布的腔室进气结构，以贯穿连通进气容腔与腔室主体的内部；排气容腔的底部连接有排气口连接管，排气容腔靠近腔室主体的一侧开设有沿腔室主体的高度方向延伸的排气狭缝，以贯穿连通排气容腔与腔室主体的内部。本技术方案，其可实现反应气体在反应腔室的内部均匀水平流动，以有效提升反应腔室的工艺质量。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于半导体工艺，尤其涉及一种半导体工艺设备及其反应腔室。

技术介绍

1、现有技术中，诸如立式炉设备等半导体工艺设备的反应腔室大多采用顶部进气的结构，即如图1及图2所示，在反应腔室1的顶部设置小进气容腔2，以形成双穹顶结构，工作时，反应气体经反应腔室1的底部外侧设置的进气口3进入后经气体导入管4导入到小进气容腔2的内部，接着，由小进气容腔2底部设置的花洒孔5将其内部设置的反应气体逐渐扩散至整个反应腔室1的内部，最终，反应气体在反应腔室1的内部反应完全后，再从反应腔室1的底部设置的排气口6处排出。然而，在实际使用过程中发现，这种顶部进气后由底部排气口排出的结构，不仅容易使得靠近反应腔室顶部的位置气体浓度高，而靠近反应腔室底部的位置气体浓度低，还会使得反应气体大部分倾斜流向底部排气口所在的一侧，进而无法保证反应气体在反应腔室中水平均匀扩散，影响反应腔室的工艺质量。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种半导体工艺设备及其反应腔室，旨在改善现有技术中半导体工艺设备的反应腔室采用顶部进气后由底部排气口排出的结构时本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体工艺设备的反应腔室，其特征在于，包括腔室主体、进气容腔以及排气容腔，所述进气容腔和所述排气容腔分别固设在所述腔室主体的两相对侧，且所述进气容腔和所述排气容腔均沿所述腔室主体的高度方向延伸；所述进气容腔的底部连接有进气口连接管，所述进气容腔靠近所述腔室主体的一侧开设有沿所述腔室主体的高度方向分布的腔室进气结构，以贯穿连通所述进气容腔与所述腔室主体的内部；所述排气容腔的底部连接有排气口连接管，所述排气容腔靠近所述腔室主体的一侧开设有沿所述腔室主体的高度方向延伸的排气狭缝，以贯穿连通所述排气容腔与所述腔室主体的内部。

2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述...

【技术特征摘要】

1.一种半导体工艺设备的反应腔室，其特征在于，包括腔室主体、进气容腔以及排气容腔，所述进气容腔和所述排气容腔分别固设在所述腔室主体的两相对侧，且所述进气容腔和所述排气容腔均沿所述腔室主体的高度方向延伸；所述进气容腔的底部连接有进气口连接管，所述进气容腔靠近所述腔室主体的一侧开设有沿所述腔室主体的高度方向分布的腔室进气结构，以贯穿连通所述进气容腔与所述腔室主体的内部；所述排气容腔的底部连接有排气口连接管，所述排气容腔靠近所述腔室主体的一侧开设有沿所述腔室主体的高度方向延伸的排气狭缝，以贯穿连通所述排气容腔与所述腔室主体的内部。

2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述排气狭缝正对所述腔室进气结构设置，且所述排气狭缝的高度等于所述腔室进气结构的高度。

3.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述腔室进气结构的进气口面积随位置降低而逐渐变小。

4.根据权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，所述腔室进气结构包括沿所述腔室主体的高度方向依次排列的多个进气孔组，每个所述进气孔组包括沿垂直于所述腔室主体的高度方向依次排列的多个进气孔，同一所述进气孔组的所有进气孔的孔径...

【专利技术属性】
技术研发人员：舒鑫，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：