承载装置和半导体工艺腔室制造方法及图纸

技术编号:46586399 阅读:0 留言:0更新日期:2025-10-10 21:22
本申请实施例提供了一种承载装置和半导体工艺腔室,其中,所述承载装置包括:直线驱动组件、支架、套体、支撑轴、基座、加热器、射频电极、旋转导电组件、磁力耦合器和旋转驱动组件;直线驱动组件与支架驱动连接,套体与支架连接,支撑轴旋转支撑于套体内,基座支撑于支撑轴,直线驱动组件用于驱动基座升降;加热器和射频电极分别嵌设于基座内,加热器经旋转导电组件与加热电源连接,射频电极经旋转导电组件与射频电源连接;旋转驱动组件用于经磁力耦合器驱动支撑轴转动。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体,尤其涉及一种承载装置和半导体工艺腔室


技术介绍

1、在实施半导体工艺的过程中,需要对承载于承载装置的基座上的晶圆进行加热。在相关技术中,基座下方设置有加热灯,从而利用加热灯照射基座的方式,对基座进行加热,进而对承载于基座上的晶圆进行间接加热。这种辐射加热的方式,存在控温效果较差的问题。


技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种承载装置和半导体工艺腔室,以解决如何提升对晶圆进行加热的控温效果的问题。

2、为了解决上述技术问题,本申请是这样实现的:

3、第一方面,本申请实施例提供了一种承载装置。

4、本申请实施例提供的承载装置应用于半导体工艺腔室,所述承载装置包括:直线驱动组件、支架、套体、支撑轴、基座、加热器、射频电极、旋转导电组件、磁力耦合器和旋转驱动组件;所述直线驱动组件与所述支架驱动连接,所述套体与所述支架连接,所述支撑轴旋转支撑于所述套体内,所述基座支撑于所述支撑轴,所述直线驱动组件用于驱动所述基座升降;所述加热器和所述射频电极分别嵌设于所述基座内本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种承载装置(10),应用于半导体工艺腔室(1),其特征在于,所述承载装置(10)包括:直线驱动组件(11)、支架(111)、套体(112)、支撑轴(121)、基座(122)、加热器(13)、射频电极(14)、旋转导电组件(15)、磁力耦合器(161)和旋转驱动组件(162);

2.根据权利要求1所述的承载装置(10),其特征在于,所述承载装置(10)还包括第一导电件(131)和第二导电件(132),所述第一导电件(131)和所述第二导电件(132)分别设于所述支撑轴(121),所述第一导电件(131)和所述第二导电件(132)分别沿所述支撑轴(121)的朝向所述基座(1...

【技术特征摘要】

1.一种承载装置(10),应用于半导体工艺腔室(1),其特征在于,所述承载装置(10)包括:直线驱动组件(11)、支架(111)、套体(112)、支撑轴(121)、基座(122)、加热器(13)、射频电极(14)、旋转导电组件(15)、磁力耦合器(161)和旋转驱动组件(162);

2.根据权利要求1所述的承载装置(10),其特征在于,所述承载装置(10)还包括第一导电件(131)和第二导电件(132),所述第一导电件(131)和所述第二导电件(132)分别设于所述支撑轴(121),所述第一导电件(131)和所述第二导电件(132)分别沿所述支撑轴(121)的朝向所述基座(122)的一端延伸至背离所述基座(122)的一端;

3.根据权利要求2所述的承载装置(10),其特征在于,所述承载装置(10)还包括第三导电件(141),所述第三导电件(141)设于所述支撑轴(121),所述第三导电件(141)沿所述支撑轴(121)的朝向所述基座(122)的一端延伸至背离所述基座(122)的一端;所述射频电极(14)经所述第三导电件(141)与所述旋转导电组件(15)电连接。

4.根据权利要求3所述的承载装置(10),其特征在于,所述支撑轴(121)设有沿其自身的轴线方向延伸的第一穿孔(1211)、第二穿孔(1212)和第三穿孔(1213);

5.根据权利要求4所述的承载装置(10),其特征在于,所述支撑轴(121)包括内轴(121a)和外轴(121b),所述内轴(121a)为绝缘轴,所述第一穿孔(1211)、所述第二穿孔(1212)和所述第三穿孔(1213)均设于所述内轴(121a)。

6.根据权利要求3所述的承载装置(10),其特征在于,所述旋转导电组件(15)包括壳体(151)、随动体(152)、多个第四导电件(153)和多个第五导电件(154);...

【专利技术属性】
技术研发人员:于斌叶华史全宇
申请(专利权)人:北京北方华创微电子装备有限公司
类型:新型
国别省市:

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