本发明实施例提供一种用于传输物料的方法、半导体工艺设备及存储介质，属于半导体技术领域。该方法包括针对待执行任务，基于待传输的物料的装载优先级，生成移动序列集合；以及针对移动序列集合中的任一移动序列，基于移动序列的序列类型和机械手的工作模...

本申请公开一种输送系统和扩散炉，属于半导体加工技术领域。输送系统中，进气组件沿扩散炉的工艺腔室的轴向延伸，且与工艺腔室连通；进气组件中，第二进气管套设于第一进气管之外，且第二进气管与第一进气管之间形成输送间隙；第一进气管的出气端和第二进...

本申请公开一种半导体工艺设备及腔室压力调节方法，半导体设备包括传输腔，与传输腔连通的抽气管路，位于传输腔内的多个移动腔以及位于传输腔上方、且与各移动腔一一对应的工艺腔；工艺设备还包括：与传输腔对应的第一压力传感器、与各工艺腔一一对应的第...

本申请公开了一种工艺门移动装置及半导体工艺设备，涉及半导体制备技术领域，所公开的工艺门移动装置包括箱体和移动机构，移动机构包括支撑部和移动部，支撑部设置在箱体中，移动部与支撑部滑动连接，箱体的侧壁设有缺口，移动部可沿缺口的长度延伸方向移...

本申请公开了一种射频电源的功率调节方法及半导体工艺设备。其中，该方法包括：在多站位腔室执行工艺配方时，获取各有晶圆的站位的实际负载功率；获取与所述工艺配方和各所述有晶圆的站位对应的标准负载功率；根据各所述有晶圆的站位的所述实际负载功率和...

本申请公开一种半导体清洗设备，其中，支撑座安装于清洗腔内，且支撑座用以支撑待清洗件，输入管路的一端与清洗液源连通，喷淋头安装于输入管路的另一端，且喷淋头安装于清洗腔内；排液组件包括排液缸和排液活塞，排液活塞活动设置于排液缸之内，且排液活...

本申请公开了一种聚焦环、承载装置及工艺腔室，涉及半导体领域。一种聚焦环，包括聚焦环主体；至少一个第一气孔，开设在所述聚焦环主体的一端处，至少一个所述第一气孔用于沿所述聚焦环主体的轴向出气；至少一个第二气孔，开设在所述聚焦环主体的内缘处，...

本申请实施例提供了一种上电极组件及半导体工艺设备，涉及半导体工艺技术领域，其中，所述上电极组件包括：中心电极、边缘电极、第一驱动装置和第二驱动装置；边缘电极套设于中心电极外，第一驱动装置与中心电极驱动连接，以驱动中心电极升降，第二驱动装...

本发明提供一种负载锁定组件及半导体工艺设备，负载锁定组件，用于半导体工艺设备，包括：负载锁定腔室；预调压腔室；控制阀，控制阀连接在负载锁定腔室与预调压腔室之间；在控制阀的关闭状态，预调压腔室内部预先调节至与负载锁定腔室不同的气压状态，形...

本申请公开了一种多晶硅的回刻蚀方法及半导体工艺设备。其中，该方法包括：在腔室内通入混合气体，以使刻蚀量对温度的敏感系数位于设定范围内；获取静电卡盘各子区域的目标刻蚀量和刻蚀量对温度的敏感系数；根据子区域的目标刻蚀量和与混合气体对应的刻蚀...

本发明提供一种内衬，包括内衬本体和设置于内衬本体的至少一个接地结构，接地结构包括接地主体、连接部和接地部，其中，接地主体呈条状，且与内衬本体的下端间隔设置，接地主体在其延伸方向上的至少一端设置有连接部，连接部与内衬本体的下端连接，且电导...

本发明提供了一种工艺控制方法及半导体热处理设备，涉及半导体技术领域，该工艺控制方法包括：在工艺过程中，监测半导体热处理设备中的晶片质量，计算晶片质量的变化速率；当变化速率不为零时，基于变化速率控制半导体热处理设备的磁流体转速、进气速率和...

本发明公开一种半导体工艺设备，包括腔室模组、传输装置和控制器，腔室模组包括多个工艺腔室，多个工艺腔室包括第一工艺腔室、第二工艺腔室、第三工艺腔室以及第四工艺腔室，且腔室模组包括多个堆栈式腔室结构，其中一个堆栈式腔室结构包括第一工艺腔室或...

本发明提供一种排风管道清洗装置及半导体工艺设备，该装置包括安装基体、调节主体和锁紧组件，其中，安装基体能够在使用时安装于排风管道；调节主体能够伸入排风管道中，且具有用于输送清洗流体的进流通道，进流通道的出流口用于与排风管道内部连通；锁紧...

本技术提供一种支撑装置、半导体腔室及半导体工艺设备，涉及半导体技术领域。该支撑装置包括基座和固设于基座的支撑件，支撑件具有断开口，断开口被配置为供机械手传送晶圆；支撑件朝向基座中部的内侧具有支撑面，支撑面围成的轮廓面为环状弧面且其直径自...

本技术提供一种聚焦环组件、下电极结构及半导体设备，聚焦环组件包括聚焦环主体和环状电极，聚焦环主体能够设置在用于承载晶圆的承载部件上，并能够环绕所述承载部件的用于承载所述晶圆的承载面设置，所述聚焦环主体的底部设置有呈环状的容置槽；环状电极...

本申请公开一种半导体工艺设备，其包括基体、底座、加热组件和测温件，基体和加热组件均为环状结构件，底座连接于基体的一端端部，基体的内表面和外表面之间夹设有环状结构的容纳槽，且容纳槽设有位于基体朝向底座的一端的端口，加热组件可自端口安装于容...

本申请公开了一种输气装置及半导体工艺设备的工艺腔室，涉及半导体领域。一种输气装置，应用于半导体工艺设备的工艺腔室，所述输气装置包括：进气总管、多个第一进气支管、多个进气嘴和第一流量比例控制元件；所述进气总管与所述第一流量比例控制元件的进...

本技术提供了一种晶圆承载装置和半导体工艺设备，涉及半导体工艺技术领域，以解决第二托盘转速不易检测的问题。晶圆承载装置包括：第一托盘；以及第二托盘，多个第二托盘分别转动设置于第一托盘，第二托盘的边缘具有颜色不同的第一颜色区和第二颜色区，第...

本申请公开一种内衬及工艺腔室，涉及半导体制备技术领域，所公开的内衬的侧壁设有传片口，传片口包括相互连通的第一区域和第二区域，第二区域沿内衬的轴向凸出于第一区域，沿内衬的周向，第一区域的尺寸与第二区域的尺寸之间的比值范围为2∶1‑3∶1。...