本申请提供了一种半导体工艺腔体和半导体工艺设备，涉及半导体制备技术领域，半导体工艺腔体包括腔体本体；内衬组件，设置在所述腔体本体内，所述内衬组件与所述腔体本体之间通过至少两个第一绝缘件连接，至少两个所述第一绝缘件沿所述腔体本体的周向分散...

本申请公开一种匀流结构、半导体工艺设备和光刻胶的开口形貌调整方法，其中匀流结构包括第一匀流件、第二匀流件和驱动部；所述第一匀流件包括多个贯通孔；所述第二匀流件活动设置在所述第一匀流件的上方，并与所述第一匀流件之间在竖直方向上具有间隙；所...

本发明公开一种半导体清洗设备和清洗方法，所公开的半导体清洗设备包括基座、第二喷淋装置和多个第一喷淋装置，所述基座用于承载晶圆；所述多个第一喷淋装置沿所述基座的升降方向间隔分布，所述第一喷淋装置用于在所述基座承载所述晶圆移动至相应的清洗位...

本发明实施例提供了一种半导体工艺设备和一种半导体工艺设备的控制方法，包括：工艺腔室，与工艺腔室连通的压力检测模块，和控制模块；压力检测模块，用于在工艺任务开始前检测大气压力；控制模块，用于获取工艺腔室中的工件进行工艺任务的预设工艺配方，...

本申请公开一种舟承托装置及半导体工艺设备，涉及半导体制备技术领域，所公开的舟承托装置包括驱动机构、第一承载臂和第二承载臂，驱动机构分别与第一承载臂以及第二承载臂连接，以驱动第一承载臂和第二承载臂通过平移的方式相互靠近或远离；在第一承载臂...

本申请提供了一种工艺腔室、半导体工艺设备及半导体器件的制备方法，该工艺腔室包括第一工艺腔室、第二工艺腔室和多个顶针机构；第二工艺腔室的侧壁与第一工艺腔室的底壁的部分合围形成顶部具有传输口的筒状结构；第一工艺腔室和第二工艺腔室对晶片执行不...

本申请提供的腔盖的开合装置及半导体工艺腔室，开合装置用于开合半导体工艺腔室的腔盖，包括驱动组件、锁定组件以及控制系统；驱动组件包括驱动气缸，驱动组件用于驱动腔盖运动，使得腔盖在开启状态和关闭状态之间进行切换；锁定组件用于在腔盖处于开启状...

本申请公开了一种工艺配方的优化方法及半导体工艺设备。其中，该方法应用于半导体工艺设备的控制器中时，包括：接收用户端发送的针对工艺配方中的工艺参数微调系数值的修改指令，并将修改指令中工艺参数微调系数值的修改值存储在本地设备中工艺配方中包括...

本申请公开了一种工艺腔室及控制方法，工艺腔室包括：上电极组件；下电极组件，设置于上电极组件的下方；多个磁场检测元件，沿下电极组件的边缘间隔设置，磁场检测元件用于检测磁场强度；磁场控制部，设置于上电极组件上方，磁场控制部包括主区线圈组件和...

本发明提供了等离子体启辉辅助装置、半导体工艺设备及其控制方法；其中，等离子体启辉辅助装置包括低频辅助点火组件和高频辅助点火组件，低频辅助点火组件与晶圆承载装置连接，高频辅助点火组件与介质窗连接；在工艺启辉之前，首先开启低频辅助点火组件，...

本申请公开一种半导体工艺设备，属于半导体加工技术领域，半导体工艺设备包括护壁、上罩体和进气件，所述护壁环绕设置于用以承载晶圆的承载件之外，所述进气件设置于所述护壁的外侧，所述进气件设有清洁气体通道，所述护壁朝向所述进气件的一侧设有第一导...

本发明提供一种开盖机构及半导体工艺设备，开盖机构包括：连接组件，用于与上电极组件连接；抬升组件，与工艺腔室连接，抬升组件具有沿竖直方向设置的空心轴和可移动地设置在空心轴内部的驱动轴；连接组件活动连接在空心轴上，连接组件绕空心轴可转动并且...

本说明书实施例提供了一种内侧墙的制备方法，该方法在形成第一介质层之前，首先去除假栅结构两侧的假侧墙并在牺牲层两侧形成空腔，然后形成包括覆盖假栅结构侧壁的第一部分和填充空腔且覆盖堆叠结构侧壁的第二部分，第一部分暴露出目标沟道层朝向假栅结构...

本申请公开一种半导体工艺设备及其夹持装置，属于半导体制造技术领域。夹持装置包括基座、多个夹持件以及驱动机构，多个夹持件均设置于基座，驱动机构用于驱动多个夹持件相对于基座运动，以使多个夹持件夹持或释放晶圆，驱动机构包括第一磁性件、第二磁性...

本申请公开了一种加热器及半导体工艺设备，属于半导体技术领域。加热器包括环状的加热体、环绕加热体设置的保温环和支撑组件，支撑组件与保温环连接，支撑组件设置有用于支撑加热体的限位空间，加热体搭接在限位空间内，限位空间在保温环的外壁至保温环的...

本申请公开了一种晶圆清洗设备及其晶圆卡盘、晶圆清洗方法，属于半导体工艺设备技术领域。晶圆卡盘包括卡盘基体和设在卡盘基体上的喷气组件和多个晶圆升降轴，卡盘基体具有用于承载晶圆的承载面，喷气组件的出气口位于承载面的中央区域，用于向承载面与晶...

本申请公开了一种静电卡盘、控温方法及半导体工艺设备，其中，所述静电卡盘包括多个温区，每个所述温区分别设置有加热器，所述控温方法包括：基于线性叠加原理，确定每个所述加热器的功率分别对每个所述温区的温度的冲击响应序列；根据所述多个温区的目标...

本发明提供一种工艺腔室以及内衬清洗方法。其中，工艺腔室包括腔体、基座、内衬和切换装置；其中，基座接地；内衬设置在腔体内部；切换装置设置在内衬的外部，具有第一状态和第二状态；在切换装置的第一状态，内衬通过切换装置与地线导通；在切换装置的第...

本申请公开了一种定位组件及半导体设备，涉及半导体领域。一种定位组件，包括：第一夹持件、第二夹持件、连接件和弹性件；所述第一夹持件和所述第二夹持件沿第一方向相对设置，并通过所述连接件连接，所述第一夹持件、所述第二夹持件和连接件所限定的空间...

本申请实施例提供了一种半导体工艺腔室，其包括：基座调节装置、腔室本体和基座；基座调节装置包括：支架、平移调节机构和升降驱动组件，支架与腔室本体连接，平移调节机构包括第一转动件和第一移动件，第一转动件转动连接于支架，第一转动件设有第一螺纹...