本发明公开了一种利用样品进行工艺流程评估的方法，包括：将工艺流程中的工艺步骤按顺序在样品上实施；其中，在进行当前工艺步骤之前，将样品粘贴于当前晶圆上，并在样品四周粘贴与当前工艺步骤对应的当前陪片，当前晶圆与当前工艺步骤的前一个工艺步骤中...

本申请公开了一种机械手及半导体工艺设备，机械手包括相互连接的前端手臂和末端手臂，前端手臂用于控制末端手臂运动，以传输待传输物件，末端手臂包括：承载组件，用于承载并固定晶圆；第一连接件，一端连接前端手臂，另一端连接承载组件，并且承载组件沿...

本申请公开一种晶圆翻转装置及晶圆清洗设备，涉及半导体制备技术领域，所公开的晶圆翻转装置包括基座、旋转支架、第一驱动部、第一夹持机构和第二夹持机构；第一驱动部设于基座，且与旋转支架相连，以驱动旋转支架相对于基座进行翻转，第一夹持机构和第二...

本发明提供一种上电极结构及半导体工艺设备，上电极结构用于半导体工艺腔室，包括射频线圈和导电感应环，射频线圈用于在加载有射频时产生第一交变磁场，导电感应环在射频线圈的轴向上与射频线圈相对设置，且导电感应环与射频线圈之间绝缘，且射频线圈和导...

本发明提供一种半导体清洗设备，包括内槽、外槽以及连通内槽和外槽的循环过滤单元。内槽一侧的内壁上设置有至少一个与循环过滤单元连通的喷淋孔，喷淋孔位于靠近内槽的槽口位置处，喷淋孔用于向清洗液的液面注入经循环过滤单元过滤后的清洗液，以使内槽中...

本申请公开一种炉门的驱动装置及其控制方法和半导体工艺设备，属于半导体加工技术领域，炉门的驱动装置的控制方法包括：接收驱动控制命令，驱动控制命令用以控制驱动件驱动炉门完成预设驱动总行程；在炉门的剩余行程等于预设行程时，控制驱动件的驱动速度...

本申请提供了一种进气系统、半导体工艺设备和半导体掺杂方法，进气系统包括：进气管道，与反应腔室连接并导流辅助启辉气体；第一控制组件包括：用于检测和控制辅助启辉气体流量的流量控制器；位于流量控制器出气侧且控制进气管道通断的第一通断阀；第二控...

本发明公开一种支撑载具和半导体工艺设备，所公开的支撑载具应用于半导体工艺设备，用于在半导体工艺设备的工艺管内支撑承载舟，所述支撑载具包括载具本体和设于所述载具本体的支撑部，所述载具本体用于设置于所述工艺管内，所述支撑部用于支撑所述承载舟...

本申请公开了一种清洗腔室及半导体清洗设备，属于半导体加工技术领域。清洗腔室包括腔室本体、旋转卡盘、喷淋固定件和喷淋组件，旋转卡盘设置于腔室本体内并用于承载晶圆；喷淋固定件设置于腔室本体内并与腔室本体的侧壁连接，喷淋固定件位于旋转卡盘的上...

本发明总体涉及等离子体半导体处理以及相关的部件和工具。在示例中，聚焦环包括第一环形层和第二环形层。第二环形层的上表面构造成通过第一环形层的下表面接触该上表面来支撑第一环形层。下表面和上表面在周向上呈周期性结构，并且具有相同的周期长度。下...

本申请提供一种溅射设备，包括腔室主体和与腔室主体内部连通的容纳室；腔室主体内设置有承载基座、准直器以及支撑件；承载基座用于承载晶圆；支撑件位于承载基座上方，用于支撑准直器；溅射设备还包括传输手臂，传输手臂可以支撑准直器，且可以在腔室主体...

本说明书实施例提供了一种露点控制方法，该方法在获取输入气体的实际露点后，在所述实际露点小于报警露点，大于基准露点时，基于偏差参数查询模糊规则，确定调节参数的取值范围，基于所述调节参数的取值范围，确定所述调节参数的实际取值，并基于所述调节...

本发明提供一种半导体工艺设备及其干燥装置及晶圆干燥方法。半导体工艺设备的干燥装置包括干燥槽和喷淋组件；其中，干燥槽设置有进液口和排液口，用于在干燥处理的过程中通过进液口向干燥槽内注入预设液位的液体，以使晶圆能够浸泡在干燥槽的液体中；以及...

本申请公开了一种检测方法、检测装置及半导体设备，涉及半导体领域。一种检测方法，包括：控制升降组件带动激光组件由初始位置沿鞘层厚度的方向逐渐远离初始位置，并获取激光组件在不同位置时发射的激光的传输时间；其中，初始位置为等离子体工艺腔室内可...

本发明提供一种前驱粉体制作方法、陶瓷件制造方法以及陶瓷件。其中，前驱粉体制作方法包括：获取纯陶瓷粉料作为原材料；采用碳化钨磨球对原材料进行球磨，以获得初级前驱粉体；其中，球磨工艺包括第一球磨阶段和至少一个第二球磨阶段；第一球磨阶段的球磨...

本申请提供了一种碳化硅晶体生长设备，其中，上弹性密封组件和下弹性密封组件分别与腔室本体的顶端和底端绝缘连接；上磁流体组件绝缘设置在上弹性密封组件顶端，其旋转轴穿过上弹性密封组件与籽晶杆电连接；下磁流体组件绝缘设置在下弹性密封组件底端，其...

本申请实施例提供了一种气路路径的状态更新方法，在该方法中，在实现工艺气路图的状态刷新的过程中，无需基于所有的气路路径确定目标气路路径及其状态变化信息，而可以基于与目标第一节点对应的路径集合实现目标气路路径及其状态变化信息的确定，即在气路...

本申请实施例提供了一种射频电源匹配器及半导体工艺设备，其中，所述射频电源匹配器包括：控制模块和检测模块；控制模块用于与射频电源连接，控制模块设有电流信号输入端口，检测模块设有第一电流检测器、第二电流检测器、第一开关和第二开关；第一电流检...

本申请公开一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，涉及半导体制造技术领域，所公开的半导体工艺腔室包括腔体、上电极装置、下电极装置及内衬，上电极装置设于腔体的顶部，下电极装置和内衬设于腔体内，且上电极装置与下电极装置相对间隔设置，内衬分别环绕...

本申请涉及涉及等离子体刻蚀技术领域，提供一种射频输出装置及半导体工艺设备，所述装置包括射频源，所述射频源用于输出射频信号；滤波器，用于对反射到射频源的干扰进行滤波；变频电路，通过所述滤波器与所述射频源连接，用于调节所述射频频率使得调节后...