本申请实施例提供了一种清洗装置，所述清洗装置用于清洗圆柱状待清洗件，所述清洗装置包括：容器、旋转支撑机构、旋转驱动器和传动机构；容器用于容置清洗液；旋转支撑机构设置于容器内，旋转支撑机构用于支撑待清洗件；旋转驱动器经传动机构与旋转支撑机...

本发明公开一种内衬和半导体工艺腔室，半导体工艺腔室包括腔体和设置在腔体内的支撑座，内衬包括：内衬本体，用于设置在腔体内且环绕支撑座设置，内衬本体开设有第一进气通道；隔挡件，第一进气通道通过隔挡件被分隔为多个进气子通道，多个进气子通道沿内...

本申请涉及一种异常检测方法、半导体检测设备及半导体工艺设备，异常检测方法包括：响应于针对目标设备模块对应的工艺文件的检测指令，解析工艺文件包括的目标信息；目标信息包括处理对象在目标设备模块中的滞留时长；基于目标信息和预设滞留阈值，确定目...

本申请提供了一种时间参数更新方法及计算设备，该方法基于半导体工艺设备的目标运行数据确定半导体工艺设备的各时间参数的第一统计数据，目标运行数据包括各时间参数在多个历史时刻的检测值，并基于时间参数的第一统计数据确定该时间参数的变化状态为稳定...

本公开实施例提供了一种半导体加工调度方法、电子设备和存储介质。该方法包括：根据半导体加工设备的当前实时状态初始化拓展搜索节点集合；拓展搜索节点集合包含拓展搜索节点对应的晶圆分布、相应的当前实时状态集合及最优实时状态；当前实时状态集合中的...

本发明提供一种等离子体发生装置及半导体工艺设备，等离子体发生装置包括辅助电极、多个工作电极和多个功率调节部件，多个工作电极用于设置在半导体工艺设备的工艺腔室内，并在工艺腔室的径向上绝缘且间隔设置，辅助电极用于设置在工艺腔室内并接地，且与...

本发明公开一种晶片装载结构、晶片传输装置及半导体工艺设备，晶片装载结构包括基座、第一装载架和第二装载架，第一装载架包括间隔分布的多个第一支撑部，第二装载架包括间隔分布的多个第二支撑部，第一装载架和第二装载架可升降地设于基座上；在晶片装载...

本申请公开了一种温度调节系统及半导体工艺设备，温度调节系统包括：汇流腔，用于向被控温对象输入换热介质；供给主路，与汇流腔连接，用于向汇流腔输入换热介质，供给主路设置有第一比例阀和第二比例阀；第一供给支路，一端连接第一比例阀，另一端连接汇...

本申请提供了一种副产物分离收集装置、半导体工艺设备，副产物分离收集装置用于分离和收集反应腔室的排气中的副产物，包括：壳体，具有引入排气的进气口和导出排气的出气口；固体收集件，设置在壳体中，并至少用于从排气中分离副产物并收集分离出的固态副...

本申请公开了一种工艺腔室及半导体工艺设备，工艺腔室包括：腔室本体、进气结构和气流角度调整件；腔室本体沿第一方向的两侧分别设有传片口和排气口；进气结构设置于腔室本体上方靠近传片口的一侧，进气结构内设有沿第二方向延伸的匀流腔，匀流腔设有进气...

本申请公开一种半导体工艺设备，其工艺腔和装载腔相互连通，且工艺门可封堵隔绝工艺腔和装载腔，承载装置设置于工艺门上；气体输送管路中，第一进气管、第二进气管和第三进气管均可与氛围气源连通，第一排气管和第二排气管均可与负压机构连通，第一进气管...

本申请公开一种半导体工艺设备及其进气组件、分气件，属于半导体技术领域。半导体工艺设备包括腔室本体、基座以及支撑轴，基座设置于腔室本体内，支撑轴贯穿腔室本体并与基座相连，用于半导体工艺设备的分气件为环状结构，分气件用于套设于支撑轴的外部，...

本申请公开了一种鼓泡器的监测控制方法、半导体工艺设备及存储介质。其中，该方法包括：在当前炉工艺执行前，获取所述鼓泡器的液位传感器输出的低液位反馈信号；若所述低液位反馈信号为液位正常信号，则根据所述鼓泡器内液源的消耗量，确定所述鼓泡器内所...

本公开提供一种半导体工艺设备及其半导体腔室。该半导体腔室包括腔室本体，包含反应空间和抽气空间；进气组件，设置于所述腔室本体的顶部，且具有与所述腔室本体的内部连通的出气口；基座和遮蔽件，所述基座、所述遮蔽件以及所述进气组件围成反应空间，所...

本申请公开一种检测反应腔室中晶圆的温度的方法，反应腔室包括腔体、加热灯、红外测温装置和发射率检测装置；其中，加热灯用于加热晶圆，发射率检测装置的工作波长为第一波长，红外测温装置的工作波长为第二波长，第二波长位于加热灯发出的加热光的波长范...

本申请公开了一种晶舟及半导体工艺设备，晶舟包括：支架，支架上设置有多层沿支架的长度方向排列的承载部，每一层承载部用于承载一个晶圆；与承载部一一对应的匀气件，匀气件与支架连接，并与对应的承载部相对设置，匀气件内设有第一空腔，匀气件朝向对应...

本申请公开了一种传片腔室、工艺腔室及半导体工艺设备，所述传片腔室内设置有第一连接管和第一运动装置；所述传片腔室的下游端设有传片口；所述第一运动装置用于带动所述第一连接管移动；所述第一连接管移动至第一目标位置，所述第一连接管用于将反应腔室...

本发明公开了一种离子过滤件和工艺腔室。离子过滤件包括：过滤主体部，过滤主体部具有多个过滤孔；至少一个连接部，连接部与过滤主体部的外周缘连接，且连接部绕过滤主体部的周向延伸，过滤主体部在垂直于过滤主体部的中心轴的横截面的面积向远离连接部的...

本申请公开了一种加热装置及半导体工艺设备，涉及半导体领域。一种加热装置，包括：壳体、第一加热组件、搅拌组件和循环组件；所述壳体具有用于接收工艺药液的进液口、输出所述工艺药液的出液口和用于回流所述工艺药液的回液口；所述第一加热组件设于所述...

本申请提供了一种半导体工艺设备，包括：工艺管；多个进气管，用于向工艺空间导入工艺气体；第一匀流板，设置在工艺空间中，并将工艺空间分割为多个进气管所在的进气空间和容纳所述晶片的容置空间，第一匀流板支撑多个进气管，且多个进气管导入的工艺气体...