本申请公开一种晶圆承载盒接口装置、设备前端模块和半导体工艺设备。所公开的晶圆承载盒接口装置包括装置本体、第一驱动组件、开盖组件、第二驱动组件和封堵板，装置本体设有第一开口、第二开口和第一空腔，第一开口和第二开口分别位于装置本体的两侧，且...

本发明公开了一种半导体工艺设备及其工艺配方优化方法，该工艺配方优化方法包括：接收优化指令，该优化指令包含待优化的工艺配方及其优化目标和优化模式，响应于优化指令，从工艺数据库中获取与待优化的工艺配方匹配的工艺数据，基于获取的工艺数据以及与...

本申请公开一种变形检测组件、下电极装置及半导体工艺设备，属于半导体技术领域。半导体工艺设备包括待检测件，待检测件设有待检测面，待检测面用于形成真空区和大气区，变形检测组件包括底座、转动部件、弹性件和检测部件，转动部件与底座转动连接，转动...

本发明提供一种半导体工艺腔室，包括腔室本体和进气部件，腔室本体设置有第一保护气道，进气部件设置有第一进气道和第二进气道，第一进气道与腔室本体内连通，用于向腔室本体内输送反应气体，第二进气道通过第一保护气道与腔室本体内连通，用于通过第一保...

本申请提供一种射频电源控制方法及半导体工艺设备，应用于半导体工艺设备技术领域，本方法在获取射频电源的当前输出功率、流经匹配器以及各线圈的当前电流之后，根据所得当前电流和预先确定的匹配器以及各线圈各自对应的电阻值，计算匹配器以及耦合线圈组...

本申请公开了一种加热器、加热方法、工艺腔室及半导体工艺设备，加热器包括：第一绝缘件，包括内边缘和外边缘，所述第一绝缘件上沿圆周方向设置有多个固定结构；加热丝，按照预设路径与所述多个固定结构依次连接，以固定于所述第一绝缘件上，并且所述固定...

本发明公开一种加热灯组件和半导体工艺腔室，所公开的加热灯组件应用于半导体工艺腔室，所述半导体工艺腔室包括腔室本体和基座，所述基座设于所述腔室本体内，所述加热灯组件包括沿第一方向排列的多个条形加热灯和与所述多个条形加热灯一一对应设置的多个...

本说明书实施例提供了一种数据上报方法，通过调用目标函数的方式，得到系统时间点，并基于定时时间点与系统时间点，确定是否触发上报任务，在确定触发上报任务时，触发目标线程上报半导体工艺设备数据，基于设定的数据上报间隔，更新定时时间点，并返回执...

本申请公开了一种隔离环、工艺腔室及半导体工艺设备，隔离环采用透明材料制作，用于设置在工艺腔室的侧壁内侧，以进行隔热，所述隔离环包括相对设置的第一面和第二面，所述第一面用于靠近所述工艺腔室的底部设置，所述第二面用于靠近所述工艺腔室的顶部设...

本说明书实施例提供了一种温度控制方法，该方法在工艺腔室的升温阶段，基于目标模型根据目标参数确定的初始控制参数控制加热部件工作，满足工艺腔室在升温阶段的温度控制需求；若目标参数发生变化，则响应于目标参数的变化信息，基于目标模型根据变化后的...

本申请提供了一种数据处理方法、下位机及存储介质，所述数据处理方法通过获取半导体工艺设备的执行装置的目标交互数据以及目标交互数据的位置标识信息，并基于目标交互数据的位置标识信息以及驱动层中预先配置好的目标对应关系，确定目标交互数据对应的数...

本发明提供一种片盒开门装置及半导体工艺设备。片盒开门装置包括隔离体、开门组件、至少一个开门驱动组件和密封结构，隔离体设置有传输口。开门组件用于在取放位置取出或放回片盒的门板，并能够携带门板在取放位置和初始位置之间移动。壳体中设置有至少一...

本申请公开一种混气装置及半导体工艺设备，属于半导体制造技术领域。混气装置包括混气部件、第一匀气板和第二匀气板，混气部件设有混气空间，第一匀气板和第二匀气板沿混气部件的高度方向间隔设置于混气空间内，第一匀气板位于第二匀气板的上方，第一匀气...

本发明实施例提供了一种用于等离子体设备的辅助点火装置和工艺腔室，所述辅助点火装置包括：电子束产生装置，与所述进气组件结构连通，用于在通电时，产生电子束，所述电子束通过进气组件结构进入所述等离子体设备的等离子腔室中；真空腔室，包围所述电子...

本申请提供一种电极装置、半导体工艺设备及电压调控方法，电极装置包括电极件和电压调控装置，其中，电极件与半导体工艺设备的射频装置相连，射频装置用于向电极件馈入射频；电压调控装置包括测量单元和直流电源，测量单元用于测量电极件的直流偏置电压；...

本公开提供一种界面动态管理方法和系统、计算机可读存储介质、半导体工艺设备，属于半导体制备技术领域，其可解决现有的界面生成方法效率低、可扩展性差的问题。本公开的界面控件动态管理方法包括：读取配置文件；配置文件包括至少一个界面路径标识以及该...

本申请提供了一种半导体器件的制备方法及半导体工艺设备，属于半导体技术领域，该制备方法先同步形成第一沟槽和第二沟槽，再形成保护层，由于第一沟槽的宽度小于第二沟槽的宽度，保护层填充第一沟槽时仅会覆盖第二沟槽的内壁，可以实现去除第二沟槽内的保...

本申请公开一种进气组件、上电极装置和半导体工艺设备，属于半导体加工技术领域。所公开的进气组件用于安装于上电极装置的介质窗上，介质窗设有安装凹槽，安装凹槽的底部设有出气孔，进气组件包括供气件、密封件和隔离件；供气件内具有气体通道，气体通道...

本发明提供了一种阀座组件以及半导体工艺设备，阀座组件包括：基体，具有设置于基体的表面的进气口和出气口，以及设置于基体的内部的多个流道，进气口和出气口分别与不同的流道连通；阀体，与基体连接，用于导通或关断不同流道之间的连接，以在进气口和出...

本说明书实施例提供了一种工艺腔室的清洁方法，该方法利用挡片保护晶圆承载装置，避免目标清洁工艺中较强的等离子体环境对晶圆承载装置造成损伤；在目标清洁工艺中，利用第一等离子体和第二等离子体分别在高压偏置（即高腔室压力+偏置功率）和低压偏置（...