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北京北方华创微电子装备有限公司专利技术
北京北方华创微电子装备有限公司共有3788项专利
一种静电卡盘、工艺腔室、半导体工艺设备及自清洁方法技术
本申请公开了一种静电卡盘、工艺腔室、半导体工艺设备及自清洁方法,所述静电卡盘的顶面设置有多个气孔,用于向所述静电卡盘与所述静电卡盘所承载的晶圆之间通入惰性气体;所述静电卡盘的顶面具有目标粗糙度,用于当所述晶圆承载于所述静电卡盘上时,增大...
一种清洗设备制造技术
本申请提供了一种清洗设备,包括:处理液收集装置,具有清洗空间;排液槽,设置在处理液收集装置上并与处理液收集装置一体成型,且排液槽上开设有排液孔,排液槽和排液孔用于将清洗液体排出清洗空间;排液管道,通过连接组件与处理液收集装置和/或排液槽...
水蒸汽发生机构、工艺腔室和半导体工艺设备制造技术
本申请公开一种水蒸汽发生机构、工艺腔室和半导体工艺设备,属于半导体加工技术领域。工艺腔室包括腔体和盖体,水蒸汽发生机构包括密封法兰,密封法兰可套设于腔体,且密封法兰可与盖体密封连接,以与腔体围成工艺腔;密封法兰设有环形的冷却通道,密封法...
一种工艺腔室和半导体设备制造技术
本申请公开了一种工艺腔室和半导体设备,该工艺腔室包括腔体、托盘、预热环和环形内衬。其中:预热环环绕设置在托盘周围,且与托盘之间具有环形间隙;预热环的内部沿周向设置有第一流道,预热环的内侧立面沿周向设置有与第一流道连通的第一进气口;环形内...
一种服务配置方法、服务执行方法、上位机和半导体设备技术
本发明实施例提供了一种服务配置方法、服务执行方法、上位机、半导体设备,该方法应用于上位机,包括:获取针对半导体设备的服务配置信息;服务配置信息包括:用于传输需要监控的目标参数的目标监控通道和与目标监控通道关联的目标服务;根据从目标监控通...
炉门装置及半导体热处理设备制造方法及图纸
本申请提供一种炉门装置及半导体热处理设备,炉门装置包括炉门外圈和炉门主体,炉门外圈用于与炉体连接,并配合所述炉体压紧炉体密封圈;炉门主体包括炉门内圈和炉门板,所述炉门内圈位于所述炉门外圈的内侧,并与所述炉门外圈密封连接,所述炉门板固定在...
承载装置、半导体清洗设备及晶圆夹持轴清洁方法制造方法及图纸
本申请公开了一种承载装置、半导体清洗设备及晶圆夹持轴清洁方法,涉及半导体制备技术领域,所公开的承载装置包括承载盘、多个喷淋部和多个夹持轴,多个夹持轴沿承载盘的周向间隔设置,用于夹持晶圆,喷淋部对应连接于夹持轴,夹持轴设有过流腔,过流腔与...
工艺腔室的温度校验方法技术
本申请公开一种工艺腔室的温度校验方法,属于半导体加工技术领域,温度校验方法包括:基于工艺腔室的工艺温度的设定值,获取设定值所在的温度区间所对应的校温菜单;控制工艺腔室根据校温菜单进行工艺,以在透明衬底的表面形成外延层;若外延层具有透明区...
射频引入组件、承载舟支撑装置及半导体工艺设备制造方法及图纸
本申请公开了一种射频引入组件、承载舟支撑装置及半导体工艺设备,属于半导体加工技术领域。射频引入组件用于向晶片承载舟引入射频功率,射频引入组件包括电极环套和第一引入组件,电极环套用于套设于支撑件上,支撑件用于支撑晶片承载舟,且电极环套与第...
负载锁定腔室及半导体工艺设备制造技术
本技术提供一种负载锁定腔室及半导体工艺设备,负载锁定腔室包括:腔室本体,其内部具有用于承载晶圆的承载面;冷却喷头,设置在腔室本体内并位于承载面的上方,冷却喷头在承载面上的正投影覆盖晶圆在承载面上的正投影,冷却喷头用于与气源连接并向晶圆表...
半导体热处理设备的密封门机构及半导体热处理设备制造技术
本发明提出了一种半导体热处理设备的密封门机构及半导体热处理设备,密封门机构包括:承载盘,用于挤压其与工艺腔室之间的密封件,以将工艺腔室的开口密封;支撑件;施压装置,连接在支撑件与承载盘之间,施压装置用于向承载盘施加压力,以使承载盘挤压密...
半导体工艺设备及其冷却装置制造方法及图纸
本申请公开一种半导体工艺设备及其冷却装置,属于半导体技术领域。半导体工艺设备的冷却装置包括壳体,壳体用于容纳冷却腔室,壳体设有用于通入冷却介质的冷却进口和用于供冷却介质流出的冷却出口,且壳体的内侧设有导流板,导流板形成导流通道,导流通道...
工艺腔室及半导体工艺设备制造技术
本申请提供一种工艺腔室及半导体工艺设备,工艺腔室包括监测装置、控制装置、加热装置、进气装置以及主调整机构,监测装置用于确定晶圆径向上各位置的发射率;主调整机构包括温度场调整机构和/或气流场调整机构,温度场调整机构与加热装置相连,控制装置...
气路控制方法、气路控制装置及半导体工艺设备制造方法及图纸
本发明涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种气路控制方法、气路控制装置及半导体工艺设备。该气路控制方法包括:获取作业模式的选择指令;启用与作业模式相对应的气路互锁条件,控制气路系统执行与作业模式相对应的任务。该气路控制装置包括:模式选择...
半导体膜层的刻蚀方法及半导体工艺设备技术
本发明提供一种半导体膜层的刻蚀方法及半导体工艺设备,该刻蚀方法包括:对待刻蚀膜层上的掩膜层进行图形化刻蚀,以在待刻蚀膜层上形成具有预定图形的掩膜层,预定图形包括密集区域和疏松区域;利用工艺气体去除对掩膜层的刻蚀过程中所产生的部分副产物,...
一种进气系统及半导体工艺设备技术方案
本申请公开了一种进气系统及半导体工艺设备,进气系统用于给半导体工艺设备的反应腔供气,所述进气系统包括:主进气模块,用于连接第一流量的气源;快速进气模块,内部设有相互连通的进气通道和出气通道,所述进气通道用于连接第二流量的气源,所述出气通...
机械手及半导体工艺设备制造技术
本发明公开一种机械手及半导体工艺设备。所公开的机械手包括基座、第一承托梁、第二承托梁和第一检测组件,第一承托梁和第二承托梁中的至少一者通过第一检测组件与基座相连;第一检测组件包括连接座及设于连接座上的弹性件和第一检测件,弹性件与第一承托...
载片舟支撑杆、电极引入组件及半导体加工设备制造技术
本发明提供一种载片舟支撑杆、电极引入组件及半导体加工设备,该载片舟支撑杆包括绝缘的支撑杆主体;支撑杆主体的周侧开设有容置槽,用于容置半导体加工设备的电极引入组件;容置槽的一端延伸至支撑杆主体的第一端,且为敞开端,用于供电极引入组件移入或...
工艺腔室的气路系统及半导体工艺设备技术方案
本申请公开一种工艺腔室的气路系统及半导体工艺设备,属于半导体技术领域。工艺腔室的气路系统包括至少两个输气管路,每个所述输气管路分别设置至少一个控制阀,各所述控制阀分别控制对应的所述输气管路的通断;至少两个所述控制阀被加热组件包裹而集成为...
半导体工艺设备制造技术
本申请公开了一种半导体工艺设备,所公开的半导体工艺设备包括工艺内管和工艺外管,工艺外管套设于工艺内管之外,且工艺内管和工艺外管之间具有间隙,工艺内管的两端均设有开口。在工艺过程中,晶圆放置于工艺内管中,工艺气体从工艺内管底部的开口进入工...
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