本发明提供一种用于半导工艺设备的射频系统的控制方法，包括：在电源的第一输出功率下，完成阻抗匹配，获取匹配器的第一匹配状态；调节电源至第二输出功率，完成阻抗匹配，获取匹配器的第二匹配状态；比较匹配器在第一匹配状态下和第二匹配状态下的参数变...

本申请公开了一种钼材料层的刻蚀方法及半导体工艺设备，钼材料层形成截止层上，刻蚀方法包括：氯基气体刻蚀：采用氯基气体对钼材料层进行刻蚀，以形成第一深度的沟槽，第一深度小于钼材料层的厚度；氟基气体刻蚀：采用氟基气体沿沟槽对钼材料层进行刻蚀，...

本发明提供了一种晶圆状态检测装置和半导体工艺设备，涉及半导体工艺技术领域，以解决晶圆的吸附状态不易检测的问题。晶圆状态检测装置包括升降件、升降作用件和第一电极，升降件具有导电部，升降件的顶部用于接触晶圆并配置为与静电卡盘相对升降运动；升...

本发明提供了一种管路清理装置、半导体工艺设备和尾排管路清理方法，涉及半导体加工技术领域，以解决尾排管路内附着副产物的问题。管路清理装置，应用于半导体工艺设备，管路清理装置包括电离组件以及气体输入组件，电离组件包括相对设置且相互之间绝缘设...

本发明公开一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，所公开的半导体工艺腔室包括腔室本体、遮蔽件和承载装置，所述遮蔽件和所述承载装置可活动地设于所述腔室本体之内；在所述遮蔽件处于第一位置、且所述承载装置处于第三位置时，所述遮蔽件与所述承载装置相...

本发明公开了一种射频电源的输出控制电路、控制方法和相关设备，包括至少两个子控制电路和第一控制模块，第一控制模块用于获取至少两个电源输出通道的输出电压，并在任意两个电源输出通道的输出电压的差值大于预设差值时，生成控制信号并传输至与该任意两...

本公开提供一种晶圆对准方法及其装置、半导体工艺设备。其中晶圆对准方法包括在第一旋转模式下，响应于电机每旋转第一固定角度，利用拍照设备拍摄晶圆边缘，得到第一局部图像；对第一局部图像进行目标特征点检测，确定目标特征图像；根据目标特征图像，确...

本申请公开了一种晶圆的调度方法及半导体工艺设备。其中，该方法包括：根据当前晶圆的分布状态获取当前所有可移动的变迁；确定对应的出片间隔；对是否会发生因Q‑time管控腔室清洁导致的工艺中断进行预测；根据出片间隔和中断预测结果计算该可移动的...

本申请公开了一种承载装置、晶圆传输装置及半导体工艺设备，属于半导体技术领域。承载装置包括基座、多个承载盘以及与多个承载盘一一对应设置的多个承载环；承载盘可转动地设置于基座，承载盘的上表面设有多个晶圆放置区域；承载环搭接于对应的承载盘上，...

本申请公开了一种加热系统、加热方法及半导体工艺设备，加热系统，用于对半导体工艺设备的待加热部件进行加热，加热系统包括：加热器，用于对所述待加热部件加热；温度传感器，用于获取所述待加热部件的当前温度；控制器，用于根据所述当前温度和所述待加...

本发明提供了一种反应腔室侧进气模块和半导体工艺设备，涉及半导体工艺技术领域，以解决等离子体分布不均匀的问题。反应腔室侧进气模块包括喷嘴和调节机构，喷嘴具有喷气孔；调节机构包括调节件和调节驱动组件，调节驱动组件与调节件传动连接，调节件与喷...

本申请公开了一种工艺气体的调节装置及工艺腔室，涉及半导体领域。一种工艺气体的调节装置，应用于半导体工艺设备的工艺腔室，所述调节装置包括：装置本体；所述装置本体内设有进气通道、输气通道和多个出气通道，所述输气通道沿所述装置本体的周向环设于...

本申请公开一种装卸载腔室及半导体工艺设备，属于半导体技术领域。装卸载腔室包括腔室本体、晶舟、晶圆传输装置以及密封门装置，密封门装置设置于腔室本体内，以将腔室本体的内部空间隔离为晶舟腔和传输腔，晶舟腔用于容纳晶舟，传输腔用于容纳晶圆传输装...

本发明提供了一种进气结构、半导体加工设备和半导体加工的进气方法，涉及半导体加工技术领域，以解决工艺腔室中工艺气体不均匀的问题。进气结构，用于半导体加工设备，半导体设备具有工艺腔室，进气结构包括进气本体，进气本体中设有匀气腔，进气本体上设...

本申请公开一种清洗装置，涉及半导体加工技术领域，该清洗装置包括喷淋机构，所述喷淋机构包括安装座、喷管和第一喷嘴，所述喷管与所述安装座转动连接，所述第一喷嘴用于喷射清洗流体，且所述第一喷嘴与所述喷管相连通，所述第一喷嘴与所述喷管的转动轴线...

本申请提供了一种风扇转速控制方法及半导体工艺设备，其中，所述风扇转速控制方法通过获取半导体工艺设备中目标参数的参数值，并将各目标参数的参数值输入至预先训练好的支持向量机模型，通过支持向量机模型输出半导体工艺设备中待控风扇的预测转速，以根...

本发明公开了一种薄膜制备方法和半导体工艺设备，将多个基片分别放入工艺腔室内的至少两个承载部件后，控制工艺腔室循环交替进行通气工艺和闷气工艺，并且，至少在工艺腔室进行闷气工艺时，控制至少两个承载部件异步辉光放电，其中，通气工艺用于向工艺腔...

本申请提供了一种信息查询方法及半导体工艺设备，其中，所述信息查询方法基于目标上下文向量矩阵确定目标查询词的第一上下文向量和多个候选词的第二上下文向量，并计算第一上下文向量与各第二上下文向量的第一相似度，同时，获取目标查询词的第一语义向量...

本申请提供的工艺配方的处理方法，解决了对于晶圆数量不同的工艺，手动调整工艺参数，降低了出货效率以及增加了数据统一管理的难度的技术问题。本申请通过预先配置参数表，参数表包括目标参数与预设工艺参数的对应关系，当执行当前工艺批次时，根据当前工...

本申请实施例提供了一种半导体工艺腔室及其控制方法，以解决如何改善上电极翻转过程中，可能会剐蹭到其它器件的问题；其中，所述半导体工艺腔室包括：封盖装置和腔体组件；封盖装置包括：上盖组件、驱动组件和旋转臂；上盖组件包括上电极，上电极设有靶材...