本申请提供了一种剂量控制电路、剂量控制系统和离子注入机，剂量控制电路包括：转换模块和控制模块；其中，转换模块用于响应于量测电流，并输出对应的扫描电压给控制模块；量测电流有法拉第杯提供，用于表征偏转的离子束剂量；控制模块用于响应于片选信号...

本说明书实施例提供了一种调度方法，该调度方法在当前调度序列违反目标设备模块的时间约束时，并没有直接丢弃当前调度序列，延迟晶圆出片重新规划当前调度序列并再次判断是否违反目标设备模块的时间约束，而是在所述当前调度序列中，确定所述目标设备模块...

本申请公开了一种下电极结构、半导体工艺腔室及半导体工艺设备，该下电极结构包括下电极本体、射频馈入管组件和通气组件，射频馈入管组件的第一端与下电极本体电连接，射频馈入管组件的第二端用于与射频电源电连接；射频馈入管组件具有管内空间，管内空间...

本发明公开了一种半导体工艺设备的APC数据查询方法和相关设备，该APC数据查询方法应用于半导体工艺设备的上位机，包括：接收APC数据查询请求，该APC数据查询请求携带有需要查询的APC数据的索引信息，响应于该APC数据查询请求，获取索引...

本发明提供一种内衬结构、半导体工艺腔室及其点火方法，内衬结构，包括：内衬组件，内衬组件包括周向设置的多个子内衬，相邻的子内衬之间绝缘设置；多个阻抗调节单元，与所有子内衬对应设置并电连接，每个子内衬和对应的阻抗调节单元均用于连接在射频源与...

本说明书实施例提供了一种气体互锁设备，该气体互锁设备中设置有多个气路控制模块，所述多个气路控制模块与多个所述子系统一一对应，各所述气路控制模块通过机械方式控制与其对应的目标气动阀的通断状态，实现不同子系统向公共管路输出工艺气体的机械互锁...

本说明书实施例提供了一种目标模型的训练方法，在该方法中，目标客户端在利用本地数据进行训练得到当前梯度参数后，利用密钥对当前梯度参数进行加密，得到加密梯度参数，并在对目标加密梯度参数进行聚合后，得到聚合梯度参数并分发，使得在多次迭代训练过...

本申请公开一种接口装置及其驱动机构、半导体工艺设备，属于半导体设备技术领域。接口装置包括用于开启和关闭晶圆传送盒的开合盖装置及驱动机构，驱动机构包括套筒、第一滑动件和第二滑动件，第一滑动件套设在套筒的外部，且第一滑动件与套筒的外壁面之间...

本申请提供一种半导体工艺设备及进气系统，进气系统包括第一进气管路、第二进气管路以及相位阀，第一进气管路和第二进气管路均与相位阀连通，相位阀包括第一输出通道和第二输出通道，第一输出通道和第二输出通道分别用于连接工艺腔室和排气装置；相位阀配...

本公开提供一种消息处理系统、消息处理方法以及半导体工艺设备，属于半导体技术领域，其可解决现有的解码模块中不同类型消息相互干涉影响消息时效性的问题。本公开消息处理系统包括：缓存模块，被配置为读取HSMS消息流并获取缓存数据，在缓存数据至少...

本发明提供一种载片舟承载电离装置和载片舟清洗设备，该装置包括多个第一电极页，多个第一电极页沿第二方向相对，且间隔排布；多个第一电极页用于与射频电源电连接，且各相邻的两个第一电极页所连接的射频电源的电极极性相反；多个第一电极页共同构成有沿...

本申请提供了一种液态源瓶及液态源瓶的控制方法；液态源瓶包括：瓶体、具有敞口的内胆以及控制器；内胆可活动地固定于瓶体内，且内胆将瓶体内的空间分割成彼此独立的第一空间和第二空间，内胆的内侧与瓶体之间形成第一空间，内胆的外侧与瓶体之间形成第二...

本发明提供一种半导体工艺设备的工艺尾气分离装置，用于分离半导体工艺设备的工艺腔室排出的工艺尾气中的非气态副产物，工艺尾气分离装置包括：冷凝组件，其包括冷凝器，冷凝器用于对工艺尾气进行冷凝处理，以使工艺尾气冷凝后分离出非气态副产物；其中，...

本发明提供一种射频控制装置和方法、半导体工艺设备，该装置包括射频连接单元，用于将射频源的射频端和接地端与半导体工艺设备的工艺腔室中的晶舟电连接，且使晶舟中各相邻的两个舟片的极性相反；阻抗控制单元，连接在射频连接单元与射频源的接地端之间，...

本发明实施例提供了一种设备控制方法、装置和存储介质。方法包括：获取目标镜像和第二操作系统的系统调用文件；其中，目标镜像中包括基于第二操作系统运行的目标应用程序、第一驱动库文件和兼容库文件；在第一操作系统中部署目标镜像和系统调用文件；运行...

本发明提供了快速热处理工艺设备及晶圆位置纠偏方法；其中，承载环的正面承载有晶圆，背面设有热致变色部；当加热组件对晶圆进行热辐射加热时，承载环中晶圆覆盖区域和未覆盖区域存在温差，导致晶圆覆盖区域的热致变色部未发生变色，晶圆未覆盖区域的热致...

本申请公开了一种多传感器信息的融合方法及工艺设备。其中，该方法包括：根据多传感器系统中的传感器输出的测量数据和反馈的融合预测反馈数据，生成融合估计数据，若融合估计数据未达到预设的收敛条件，则对融合估计数据进行预测处理得到融合预测数据，根...

本发明提供一种接地装置及半导体工艺设备。接地装置包括接地环、测压组件、支撑组件和控制组件，接地环接地设置；支撑组件包括弹性件和驱动件，弹性件位于驱动件和接地环之间；驱动件连接于弹性件，以能够改变弹性件的形变量；测压组件连接于驱动件，用于...

本申请提供一种形成沟槽的方法、半导体器件的制备方法及工艺设备，应用于待刻蚀膜层，待刻蚀膜层上设置有掩膜层，掩膜层具有第一开口和第二开口，第一开口的开口尺寸大于第二开口的开口尺寸，第一开口暴露待刻蚀膜层的第一区域，第二开口暴露待刻蚀膜层的...

本发明提供一种半导体工艺设备，包括：炉体结构、炉门结构及压力调节组件，压力调节组件设置在炉体结构外，压力调节组件包括容器和可动部件，可动部件至少部分位于容器中，且将容器隔离形成第一调节室和第二调节室，第一调节室通过气路与炉体结构的内部连...