本发明公开一种气体分配装置和半导体工艺腔室，所述气体分配装置包括输气组件和装置本体，所述装置本体为环状结构，所述装置本体的第一端口的内径大于所述装置本体的第二端口的内径，所述第一端口与所述第二端口相背，在所述第二端口的中心至所述第一端口...

本申请公开了一种进气结构、温度控制方法及半导体，涉及半导体领域。一种进气结构，包括：进气块、顶盘、加热组件和冷却组件，顶盘设在工艺腔室的上盖上，顶盘具有进气通道，且顶盘内设有第一冷却通道；进气块设于顶盘上，且进气块内设有第二冷却通道，进...

本发明提供一种磁控管装置、上电极结构以及半导体工艺设备。磁控管装置包括驱动组件、第一传动组件、摆动组件和磁控组件；驱动组件驱动第一传动组件以带动磁控组件和摆动组件围绕第一旋转轴线沿第一方向旋转，同时使摆动组件绕第二旋转轴线沿第一方向旋转...

本发明提供红外测温仪的校温方法、工艺腔室及半导体工艺设备，校温方法包括：在加热装置的加热功率在预设范围内渐变的过程中，获取第一红外测温装置检测到的第一温度、第二测温装置检测到的第二温度以及热偶装置检测到的第三温度；根据加热功率、第一温度...

本发明提供一种上电极组件和调节方法、边缘刻蚀设备，应用于边缘刻蚀设备，该装置包括进气部件、遮挡件、聚焦环和调节单元，其中，聚焦环设置于进气部件下方，且环绕在遮挡件的周围；聚焦环包括多个子聚焦部，多个子聚焦部沿遮挡件的周向间隔分布；调节单...

本发明提供一种边缘磁场装置及半导体加工设备，应用于半导体加工设备，包括磁体结构和磁场调节结构，其中，磁体结构设置于半导体加工设备的工艺腔室的侧壁周围，用于在工艺腔室中形成磁场；磁场调节结构包括具有预设磁导率的导磁介质，导磁介质设置于磁体...

本申请公开了一种晶圆检查方法及半导体工艺设备。其中，该方法包括：获取晶圆盒图像；采用改进的最大熵分割法，对所述晶圆盒图像进行图像分割处理，得到晶圆边缘图像；对所述晶圆边缘图像进行分析，得到晶圆检查结果，所述晶圆检查结果包括以下至少一种：...

本申请提供一种密封连接装置及半导体工艺设备，密封连接装置，包括气路模块和安装座，其中，气路模块包括模块本体和设置在模块本体表面的第一连接口，第一连接口用于连通气路元件，气路模块包括多个种类，不同种气路模块中第一连接口的分布方式分别用于对...

本申请公开了一种承载装置、工艺腔室及半导体工艺设备，属于半导体加工技术领域。承载装置包括承载盘、射频电极和温度检测组件，承载盘具有用于承载晶圆的承载面；射频电极设置于承载盘内；温度检测组件的至少部分的检测端与承载面的间距小于射频电极背离...

本申请涉及一种半导体工艺腔室、半导体工艺设备、更换压环的方法及处理器，其中，半导体工艺腔室，包括：腔体组件，腔体组件包括腔体结构、内衬结构和基座结构，内衬结构和基座结构均设置在腔体结构内；取放组件，取放组件设置在腔体结构内，用于将置于内...

本申请公开了一种温度监测方法及半导体工艺设备。其中，该方法包括：获取半导体工艺设备的监测点的多个实测温度值；根据多个实测温度值，计算带约束条件的加权标准差，约束条件包括加权系数等于或者大于1；若带约束条件的加权标准差大于温度偏差阈值，则...

本申请公开了一种半导体工艺腔室，属于半导体加工领域。半导体工艺腔室包括腔室本体和用于遮挡晶圆的至少部分区域的遮挡盘，腔室本体内设有上电极组件和用于承载晶圆的下电极组件，设有第一进气孔的遮挡盘设于上电极组件和下电极组件之间，上电极组件设有...

本申请涉及一种半导体工艺腔室和半导体工艺设备，该半导体工艺腔室：腔室主体、内衬组件和基座，腔室主体的顶部用于安装靶材，内衬组件覆盖腔室主体的内壁，用于与靶材和基座围成溅射空间；还包括：内衬安装支架，内衬安装支架置于腔室主体内，用于安装内...

本发明提供一种磁场调节装置及半导体加工设备，应用于半导体加工设备，磁场调节装置设置于靶材上方，且位于磁控管下方，磁场调节装置包括至少一个具有预设磁导率的导磁介质，各导磁介质与靶材表面或工艺腔室的指定区域分别对应，用于减弱磁控管形成的磁场...

本发明提供一种门阀以及半导体工艺设备，其包括门阀主体、可移动地设置的阀板以及锁定单元；其中，门阀主体具有传片口；阀板具有闭阀位置和开阀位置，阀板通过移动在闭阀位置和开阀位置间切换，以使阀板阻挡在传片口处，或者处于远离传片口的位置；锁定单...

本申请公开一种承载组件及晶圆清洗设备，涉及半导体制备技术领域，所公开的承载组件包括承载盘、驱动组件、多个夹持轴和多个第一弹性件；承载盘的周向间隔设有多个轴孔，夹持轴一一对应设于轴孔内，夹持轴具有用于夹持晶圆的第一位置和松脱晶圆的第二位置...

本发明提供一种立式热处理设备及其保温装置，保温装置用于设置在立式热处理设备的工艺管的底部，并与立式热处理设备的进气部件连通，保温装置包括支撑结构和保温结构，保温结构设置在支撑结构的用于支撑晶舟的支撑面的下方，且保温结构具有呈螺旋状的内部...

本申请公开一种光栅耦合器的加工方法，属于半导体加工技术领域，加工方法包括：提供半导体膜层结构，所述半导体膜层结构包括依次层叠设置的衬底层、刻蚀材料层和第一掩膜层，所述第一掩膜层具有第一预设掩膜图案；在第一刻蚀条件下，刻蚀所述半导体膜层结...

本申请公开了一种工艺任务的启动控制方法及半导体工艺设备。其中，该方法包括：获取已启动和待启动工艺任务列表，已启动工艺任务列表中包括仍在工艺区执行的已启动工艺任务，待启动工艺任务列表中包括待启动工艺任务；确定各待启动工艺任务的启动优先级权...

本公开实施例提供了一种压差检测装置、半导体设备及其压力控制方法。该压差检测装置包括：主管路、运动模块、光源模块和检测模块；主管路，连接于压差检测装置的第一输入接口和第二输入接口之间；运动模块设置于主管路上，用于根据第一腔室和所述第二腔室...