本申请公开一种边缘刻蚀设备和上电极组件位置的控制方法，属于半导体技术领域。边缘刻蚀设备中，上电极组件和下电极组件均安装于腔体；下电极组件包括基座，基座用于与射频电源连接，基座包括用以承载晶圆的承载面，且基座与上电极组件相对且间隔设置；电...

本发明提供一种工艺腔室、晶圆位置修正方法及半导体工艺设备，工艺腔室包括腔体和位置修正装置，在腔体内设置有承载装置，位置修正装置包括：位置获取元件，用于获取传输装置所承载的晶圆的中心位置偏移信息；支撑组件，设置在腔体中，且能够支撑晶圆，以...

本申请公开一种半导体工艺设备，所公开的半导体工艺设备包括基板装卸腔室、传输腔室、工艺腔室和前端模块；传输腔室位于基板装卸腔室和工艺腔室下方，基板装卸腔室和工艺腔室分别用于与传输腔室连通，以在基板装卸腔室、传输腔室和工艺腔室之间传输基板，...

本申请公开了一种进气结构和半导体工艺设备，涉及半导体技术领域，进气结构设置于半导体腔室的顶部，以与半导体腔室的侧壁形成反应空间，进气结构与反应空间内的承载座相对设置，进气结构用于向承载座喷射工艺气体，进气结构包括：腔室盖板、中心进气件和...

本技术提供一种腔室的门阀组件及半导体工艺设备。腔室的门阀组件设置于腔室的传片口，门阀组件包括门框，门框设置有沿门框的厚度方向贯穿门框的传片通道，门框还设置有进气孔、出气孔、进气通道、排气通道和收集腔；其中，进气孔位于传片通道的顶壁上且与...

本申请公开了一种机械手、传输装置、传输腔室及半导体工艺设备，机械手包括：第一手臂，包括第一端和第二端，第二端可绕第一端旋转；第二手臂，包括第三端和第四端，第二手臂通过第三端可旋转地与第二端连接，第四端设有手指，第二手臂的可转动角度范围大...

本技术提供一种基座装置和工艺腔室，基座装置包括基座、连接轴、调节座、安装座、多个调节组件和多个弹性件，调节座设置在安装座的定位筒中，调节组件包括调节结构和推力件，推力件设置在调节座的第二调节孔中，调节结构能够沿调节座的第一调节孔运动并推...

本申请公开了一种换热系统及半导体工艺设备，应用于半导体工艺设备，换热系统包括：换热模块，设置于主设备层用于向工艺腔室的被控温对象通入换热介质；控制模块，设置于辅助设备层，并与所述换热模块连接，用于控制所述换热模块向所述被控温对象通入所述...

本申请实施例提供了一种供气压力调整装置及半导体工艺设备，其中，所述供气压力调整装置包括：螺杆式气体输送器、驱动器和气压检测器；螺杆式气体输送器设有第一进气口和第一出气口，第一进气口用于与气源连接，第一出气口用于与半导体工艺设备的半导体工...

本技术提供了一种晶圆承载装置和半导体工艺设备，涉及半导体加工技术领域，以解决传感器测量信号传输易受干扰的问题。晶圆承载装置包括卡盘，用于承载晶圆；基座组件，设置在卡盘下方，且与卡盘形成容置空间；射频功率组件，设置在容置空间内，用于向卡盘...

本技术提供一种同轴调节装置和半导体工艺设备，同轴调节装置包括安装座、固定座、第一调节板、第二调节板、第一导轨和第二导轨，其中，固定座具有固定配合面，第一调节板和第二调节板层叠设置在固定配合面上方；第一导轨沿第一水平方向固定第一调节板，且...

本申请公开了一种检测装置，涉及半导体领域。一种检测装置，应用于工艺腔室，工艺腔室包括腔体以及设于腔体内的承载装置和匀流板，匀流板的底端面与承载装置的承载面相对设置，且匀流板的环形侧壁面与底端面之间通过倾斜连接面过渡连接；检测装置包括：安...

本申请公开一种拆装基座的辅助装置，所公开的基座包括承载本体和支撑轴，承载本体具有用于承载晶圆的承载面，支撑轴的顶端与承载本体的背离承载面的背面相连，所公开的辅助装置包括安装座、升降机构、第一支撑件和第二支撑件；安装座用于可拆卸地固定于工...

本申请公开了一种控温方法、静电卡盘及半导体工艺设备，控温方法包括包括：接收对所述被控温对象设定的目标温度T，以及获取所述被控温对象的初始温度T0；当所述初始温度T0小于所述目标温度T，则将所述加热器置于最大功率Pmax，以对所述被控温对...

本申请公开一种工艺腔室和多重图案刻蚀方法，属于半导体技术领域。工艺腔室中，第一电极、第二电极和离化线圈均安装于工艺腔体；第二电极设置于用于承载待加工件的承载装置；第一电极与第二电极相对，且位于第二电极的上方；进气管路与工艺腔体连通，离化...

本发明公开一种磁控管装置和磁控溅射设备，所公开的磁控管装置用于与磁控溅射设备的靶材组件配合，所述磁控管装置包括第一驱动机构、翻转支架、第一磁控管和第二磁控管，其中：所述第一磁控管和所述第二磁控管沿所述靶材组件的径向间隔地设于所述翻转支架...

本申请公开了一种工艺腔室、半导体工艺设备及工艺方法，工艺腔室包括：室本体，所述腔室本体上设有传片口；第一内衬，设置于所述腔室本体内；第二内衬，由所述第一内衬的底端间隔套设在所述第一内衬的外侧或内侧，以使两者形成交叠区；压环，连接在所述第...

本申请公开了一种加热控制方法及半导体工艺设备。其中，该方法应用于x*y的加热器矩阵中，所述x为高电平侧加热通道的数量，所述y为低电平侧加热通道的数量，包括：将每个高电平侧加热通道对应的所述y个加热器划分为至少一组，其中，至少一个高电平侧...

本申请公开一种视窗组件、监测装置及半导体工艺设备，属于半导体技术领域。视窗组件包括安装基座、保护窗和观察窗，安装基座设有透光通道，保护窗设置于透光通道内，透光通道的第一端用于与半导体工艺设备的工艺腔室设置的监测孔相对，观察窗与安装基座相...

本发明提供一种晶圆传输机构及半导体工艺腔室，晶圆传输机构包括支撑部件、旋转驱动组件和传动组件，支撑部件的周向上间隔设置有多个承载位，承载位用于承载晶圆，旋转驱动组件的驱动轴通过传动组件与支撑部件连接，且驱动轴与传动组件通过机械传动结构相...