本申请提供了一种半导体器件的制备方法及半导体工艺设备，属于半导体技术领域，该制备方法包括：形成堆叠结构，堆叠结构包括交替堆叠的至少一层第一材料层及至少一层第二材料层；执行至少一次刻蚀工艺步，以沿着堆叠结构的侧壁横向刻蚀第一材料层或第二材...

本申请提供了一种旋转组件、半导体工艺设备，旋转组件包括：套筒，内壁设置有第一台阶结构；转轴，设置在套筒的内腔中并设置有第二台阶结构；压块结构设置在第二台阶结构上且与套筒连接；第一密封结构，设置在套筒和转轴之间的第一环形容纳腔；第一密封结...

本申请公开一种晶圆盒接口装置、晶圆传输腔室和半导体工艺设备，属于半导体加工技术领域。所公开的晶圆盒接口装置用于与晶圆传输腔室的壳体上的第一开口密封配合，所述晶圆盒接口装置包括第一密封罩和吹扫机构；所述第一密封罩用于与所述壳体相连，且所述...

本说明书实施例提供了一种成像装置及键合设备，在该成像装置中，利用镜头将所述第一光线的物平面聚焦于所述待测物体的第一位置，将所述第二光线的物平面聚焦于所述待测物体的第二位置，从而可以利用单个镜头和光源实现待测物体不同位置处的图像的获取，无...

本发明提供一种用于立式热处理设备的底座以及立式热处理设备，底座包括：本体部，其内周壁上具有第一限位部；支撑结构，与本体部连接，支撑结构具有多个沿本体部的内周壁间隔分布的第二限位部，所有第二限位部均位于第一限位部的下方，每个第二限位部均与...

本说明书实施例提供了一种形成隔离槽的方法，该方法首先在叠层单元的第一槽中形成第一阻挡结构，该第一阻挡结构附着于曲面的中心区域，并将曲面中心区域的两侧区域暴露出来；如此，该第一阻挡结构可以在后续的刻蚀步骤中保护牺牲层的中心区域不被刻蚀，而...

本说明书实施例提供了一种在叠层单元中形成隔离槽的方法，该方法通过第一次刻蚀和第二牺牲层的形成，实现了对叠层单元中牺牲层的替换，在第二次刻蚀之前，叠层单元是性质差异较大的功能层与第二牺牲层交替形成的结构，而第二牺牲层相对于功能层具有高刻蚀...

本申请实施例提供了一种半导体工艺腔室和半导体工艺设备，其中，所述半导体工艺腔室包括：腔体、工艺盘、基座、第一抵挡件和第二抵挡件；所述腔体设有容置腔，所述工艺盘、所述第一抵挡件和所述第二抵挡件均设置于所述容置腔内，所述工艺盘套设于所述基座...

本发明提供一种半导体加工设备，包括腔体、过滤组件、第一线圈、第二线圈、第一射频电源和第二射频电源，其中，过滤组件设置于腔体中，且将腔体内部分隔形成第一子腔和设置于第一子腔下方的第二子腔；过滤组件用于对流经的等离子体进行过滤，以使通过过滤...

本申请提供一种脉冲偏压信号生成方法以及半导体工艺设备，应用于半导体工艺设备技术领域，该方法获取目标IEDF，该目标IEDF记载多个单峰IEDF以及各单峰IEDF对应的离子量占比和离子能量峰值，并基于各单峰IEDF对应的离子能量峰值和脉冲...

本申请公开一种磁控装置及半导体工艺设备，属于半导体技术领域。磁控装置包括背板和多个磁组，多个磁组相配合以形成用于约束等离子体的运动方向的水平磁场，各磁组均包括电磁模块和永磁体，电磁模块和永磁体均设置于背板，电磁模块包括电磁线圈，电磁线圈...

本申请公开一种点火装置和半导体工艺设备，涉及半导体技术领域。点火装置包括点火腔室以及与所述点火腔室连通的第一进气管道和第二进气管道，所述第二进气管道套设于所述第一进气管道之外，所述第一进气管道用于输送第一气体，所述第二进气管道用于输送第...

本发明公开一种承载装置、半导体工艺腔室及半导体工艺设备，属于半导体工艺设备技术领域，所述的承载装置（100）包括舟加热件（140）以及在第一方向依次堆叠的底部承载舟（110）、中间承载舟（120）和顶部承载舟（130），所述舟加热件（1...

本申请提供了一种刻蚀方法及半导体工艺设备，属于半导体技术领域，该方法包括：执行第一刻蚀步，刻蚀膜层的部分深度，以在膜层内形成至少两个沟槽；在沟槽的部分深度内填充牺牲层，每个沟槽内的牺牲层的顶面齐平；执行第二刻蚀步，刻蚀牺牲层以及至少部分...

本申请公开了一种进气结构及半导体工艺设备，该进气结构包括多个导流件和沿第一方向延伸的进气通道，多个导流件沿第二方向间隔地设于进气通道内并将进气通道分隔为沿第二方向间隔分布的多个子通道；第二方向与第一方向相交；多个导流件中的至少一个导流件...

本发明提供一种干燥装置以及半导体清洗设备。其中，干燥装置包括吹气部件，用于向第一方向吹气以对待干燥件进行干燥；在与第一方向垂直的第二方向上，吹气部件具有第一端和第二端；吹气部件具有导气腔，导气腔与吹扫气源连通；吹气部件表面设置有与导气腔...

本发明公开一种准直器和磁控溅射设备，所公开的准直器包括环状基部和中心调节部，所述中心调节部包括多个中心围挡，所述环状基部环绕所述多个中心围挡，所述多个中心围挡均移动地设于所述环状基部，所述多个中心围挡围合成沿所述环状基部的中心轴线的延伸...

本发明提供一种半导体工艺腔室及其开门装置。开门装置包括升降组件和传动组件；升降组件用于在晶圆传输装置经由半导体工艺腔室的传片口移入或移出半导体工艺腔室的过程中，与晶圆传输装置可相对移动地配合；传动组件的一端与升降组件连接，另一端用于与半...

本申请公开一种晶圆翻转装置及晶圆清洗设备，涉及半导体制备技术领域，所公开的晶圆翻转装置包括基座、第一驱动部、第一夹持机构和第二夹持机构，第一夹持机构和第二夹持机构叠置，第一夹持机构的背向第二夹持机构的表面以及第二夹持机构的背向第一夹持机...

本申请公开了一种压力补偿装置、半导体工艺设备及压力补偿方法，压力补偿装置包括：调节装置，用于调节加热腔的体积；压力规，用于检测所述加热腔内的当前压力；测温计，用于检测所述加热腔内的当前温度；控制器，与所述调节装置连接，用于根据所述当前压...