本发明提供了线圈定型系统及线圈定型方法；其中，线圈定型系统包括：模具、温控装置和水冷装置，模具用于绕制待定型的线圈，温控装置包括电源，并通过电源对线圈供电，以使线圈利用自身发热实现定型；水冷装置用于对线圈提供冷却，以对线圈进行降温。上述...

本发明提供一种遮挡装置及半导体清洗设备，遮挡装置包括遮挡部，可相对于清洗模块运动以用于开闭传送口；遮挡部上设有通风道，在遮挡部打开传送口时，通风道吹出的气流形成风幕，风幕可覆盖传送口，以隔离相邻两个清洗模块的风场。采用本发明的遮挡装置，...

本发明提供了一种下电极组件及半导体工艺设备，该下电极组件包括：基座、控制电路和位于基座上方的内衬导电环；基座包括周壁以及分别位于周壁两侧的底壁和顶壁，顶壁、底壁和周壁围成容纳腔，顶壁具有第一开口，周壁具有第二开口；容纳腔内设有L型屏蔽套...

本申请公开一种半导体工艺设备，其包括第一腔体、第二腔体、进气管、排气管和输气管，所述第二腔体可拆卸地固定连接于所述第一腔体的上方，且所述第二腔体与所述第一腔体连通，所述进气管和所述排气管均与所述第一腔体连通，所述输气管与所述进气管连通，...

本发明提供一种半导体工艺腔室，半导体工艺腔室包括腔室本体、加热件、卡盘及隔热装置，隔热装置设有隔热结构，隔热结构位于腔室本体内部并可相对于腔室本体运动至遮蔽位置或避让位置；在避让位置时，隔热结构在腔室本体底面的正投影与卡盘在腔室本体底面...

本发明提供一种控温装置及用于半导体设备的前驱体盛放装置，控温装置用于对前驱体盛放主体进行温度控制，包括第一导流主体和第二导流主体，第一导流主体用于与盛放主体的外周壁以形成第一导流通道，第二导流主体用于与盛放主体的底壁外侧形成第二导流通道...

本发明提供一种工艺腔室及其控制方法以及半导体工艺设备。工艺腔室包括腔体以及设置于腔体内的顶针机构和加热件，加热件用于在晶圆由顶针机构支撑的情况下加热晶圆；其中，加热件与晶圆能够在第一位置关系和第二位置关系之间切换；在处于第一位置关系的情...

本发明提供一种半导体热处理设备，包括工艺管、底座、测温部件、导向部件和调节组件，工艺管竖直设置在底座上，且工艺管和底座同轴设置，测温部件包括水平段和竖直段，水平段自底座外贯穿底座至底座内，竖直段的部分设置在工艺管内，部分设置在底座内，并...

本申请公开了一种半导体工艺设备，涉及半导体领域。一种半导体工艺设备，包括：微环境室和压紧装置；所述压紧装置包括分别用于在水平面内压紧晶圆盒两侧边缘的第一压紧机构和第二压紧机构；所述第一压紧机构和所述第二压紧机构均包括安装座、驱动组件和压...

本申请公开了一种数据交互方法及半导体工艺设备。其中，该方法包括：获取预先设置的上位机和下位机之间数据交互报文的格式，数据交互报文的格式包括：传输控制协议数据部分包括目标报文头和目标数据段，数据交互报文为传输控制协议/因特网互联协议报文，...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其控制方法，该设备包括：工艺腔室、供气装置、抽气装置、第一阀门、真空计和控制器，抽气装置经第一阀门与工艺腔室连接；在该设备执行暖机工艺后，抽气装置按预设参数对工艺腔室进行抽气处理，真空计检测当前工艺...

本发明提供一种下电极组件、半导体工艺设备及工艺方法，下电极组件包括：承载部，用于承载晶圆；调节电极，设置在所述承载部内，所述调节电极包括：设置在同一平面内的多个子电极；阻抗调节装置，包括：多个阻抗调节单元，所有所述阻抗调节单元与所有所述...

本发明提供一种控温组件、承载装置、半导体工艺设备以及控制方法。其中控温组件包括加热装置和冷却装置；加热装置设置在半导体工艺设备的基座内部，且位于基座承载面的下方；冷却装置可移动地设置在基座内部；冷却装置位于加热装置的下方，且冷却装置与加...

本发明公开了一种机械手控制方法和半导体工艺设备，包括：获取机械手在半导体工艺设备中由预设起点沿第一方向运动至预设终点的运动路径，运动路径包括由预设起点至预设终点方向依次连接的第一路段、第二路段和第三路段，半导体工艺设备在第二路段设置有承...

本发明提供一种干燥气体发生装置、半导体工艺设备及干燥方法。其中，干燥气体发生装置包括：供液管路，其进口端与有机溶剂液源连接，所述供液管路的出口端用于输出有机溶剂蒸气；加热装置，用于对所述供液管路中的有机溶剂加热，以使液态有机溶剂汽化；雾...

本说明书实施例提供了一种调度方法，该方法在计算目标分支节点的完工耗时下界时，考虑了各个设备模块对应的晶圆处理顺序，并在计算目标晶圆对设备模块的最早占用耗时时，考虑了目标晶圆的到达耗时和对应的释放耗时，使得相邻目标晶圆之间的设备模块空闲时...

本发明提供一种准直装置及半导体工艺腔室，准直装置包括准直主体、遮蔽主体和电势过渡件，准直主体用于对粒子进行准直，遮蔽主体呈环状，并环绕准直主体设置，且遮蔽主体的顶部相对于准直主体向上延伸，电势过渡件呈环状，并设置在遮蔽主体的上方，且与遮...

本发明公开了一种半导体工艺腔室，包括腔体、热成像器件、加热器件和控制器件，热成像器件用于采集腔体内待测晶圆的热图像，控制器件与热成像器件和加热器件相连，控制器件用于获取热成像器件采集的待测晶圆的热图像，根据热图像获得属于待测晶圆的各个像...

本发明提供一种支撑机构、工艺腔室及其控制方法，支撑机构包括沿同一圆的周向间隔分布的多个支撑组件，支撑组件包括用于支撑晶圆的支撑柱、到位触发件及检测元件，到位触发件设置在支撑面上，到位触发件在被晶圆压住时发出到位信号；检测元件设置在支撑柱...

本申请公开一种前驱体输送装置和半导体工艺设备，涉及半导体技术领域。前驱体输送装置用于向半导体工艺腔室输送沉积薄膜所需的前驱体，该前驱体输送装置包括气源容器、进气管路和排气管路；气源容器包括容器主体和设置于容器主体的容纳空间内的动力装置和...