本发明提供一种液态源存放装置，包括存放腔体、进气组件和随动组件，存放腔体用于存放液态源，进气组件包括出气部件，出气部件可升降的设置在存放腔体内，出气部件具有出气口，出气部件通过出气口向存放腔体内输运载气，随动组件与进气组件配合设置，用于...

本发明公开一种载台装置和半导体工艺设备，所公开的载台装置用于承载并带动晶圆承载盒在半导体工艺设备的装卸载腔室之外沿第一方向移动，载台装置包括：载台支架、承载部、驱动机构和缓冲机构；驱动机构设于载台支架，承载部沿第一方向移动地设于载台支架...

本发明公开一种半导体工艺腔室和应用于半导体工艺腔室的控制方法，所公开的半导体工艺腔室包括腔室本体、顶盖、气体纯化组件、第一管道、以及位于第一管道两端的第一开关阀，其中：顶盖设于腔室本体，且用于与腔室本体围成工艺内腔，半导体工艺腔室具有依...

本申请公开了一种电压传感装置及其校准系统、半导体工艺设备，涉及半导体技术领域，可以实现在提高测量范围的同时提高测量精度，从而提高工艺一致性。电压传感装置包括：电连接的分压模块和控制模块；分压模块用于：接收检测端的待测电压信号，对待测电压...

本申请实施例提供了一种用于半导体工艺设备的储气装置及半导体工艺设备，其中，所述储气装置包括：容器本体和驱动器；所述容器本体包括主体部和调节件，所述调节件与所述主体部密封连接，所述主体部与所述调节件围成密封腔，所述密封腔用于与所述半导体工...

本申请公开了一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，该半导体工艺腔室包括腔室本体、盖板、上电极和下电极，上电极设于腔室本体的顶部，腔室本体的侧面具有开口，盖板可拆卸地设置于开口，用于封堵开口，下电极与盖板相连。在工艺过程中，可利用盖板封堵腔...

本发明提供一种工艺腔室、工艺方法及处理控制装置，工艺腔室包括腔室本体、承载部件、第一检测部件和第二检测部件，承载部件可升降的设置在腔室本体内，用于承载晶圆，第一检测部件和第二检测部件分别与腔室本体配合设置，第一检测部件和第二检测部件用于...

本发明公开了一种保护膜的厚度确定方法和半导体工艺设备，包括：对工艺腔室的内壁进行清洁，并在工艺腔室的内壁上沉积初始厚度的保护膜，在工艺腔室内进行预设的半导体工艺，并在半导体工艺结束之后，去除工艺腔室内壁上剩余厚度的保护膜，获得第一去除时...

本申请提供一种半导体工艺设备及其排气处理装置，排气处理装置包括壳体、导流部件以及吸附部件，壳体包括入口和出口，入口用于向壳体内通入反应腔室排出的工艺气体；导流部件设置在壳体内，并将壳体内部分隔形成流体通道，流体通道包括分别与入口和出口连...

本发明提供了下电极组件的功率控制方法及半导体工艺设备；其中，该方法包括：根据检测参数计算得到下电极组件的硬件损耗功率，并根据输出功率、预设目标功率和硬件损耗功率得到等离子体的补偿功率，若补偿功率不小于对应的预设功率阈值，则根据补偿功率对...

本发明提供一种电极组件及半导体工艺设备，电极组件包括固定组件、过渡连接组件、电极杆及弹性件，电极杆第一端与固定组件固定连接，过渡连接组件位于固定组件与炉尾端板之间，过渡连接组件的一端与固定组件可拆卸连接、另一端用于与炉尾端板上的转接座连...

本发明提供一种支撑结构及半导体工艺设备、控温方法，支撑结构包括支撑轴、支撑座及环绕支撑轴的中轴线均匀分布的多个支撑臂，支撑臂的第一端与支撑轴连接、第二端与基座底面连接；支撑座叠置在基座下方，支撑座的中心设有通孔，支撑轴的顶端穿设在通孔内...

本申请公开一种尾气处理组件和半导体工艺设备，涉及半导体技术领域。该尾气处理组件包括依次设置的过滤装置、缓冲装置和废气处理装置，所述缓冲装置与所述废气处理装置相连通，所述过滤装置包括具有容纳腔的外壳以及设置在所述容纳腔内的吸附组件和释放组...

本申请实施例提供了一种承载装置和半导体工艺腔室，其中，所述承载装置包括：直线驱动组件、支架、套体、支撑轴、基座、加热器、射频电极、旋转导电组件、磁力耦合器和旋转驱动组件；直线驱动组件与支架驱动连接，套体与支架连接，支撑轴旋转支撑于套体内...

本申请提供一种真空门阀，用于开启或关闭半导体设备的开口，包括密封板和缓冲机构，其中，密封板用于封闭密封所述半导体设备的开口；缓冲机构包括缓冲座和缓冲弹性件，缓冲座位于密封板和半导体设备之间，并通过缓冲连接件与半导体设备可移动地连接，缓冲...

本技术提供一种晶舟承载装置、工艺门装置及半导体工艺设备。晶舟承载装置包括：第一承载部件，第一承载部件用于承载晶舟并驱动晶舟绕第一预设方向以第一预设转速转动；第二承载部件，第二承载部件连接于第一承载部件，第二承载部件用于驱动第一承载部件绕...

本技术提供一种承载装置及半导体工艺设备，承载装置包括基座、边缘环以及多个弹性件，基座具有用于承载衬底的承载面；边缘环包括相连的外环体和压环，外环体环绕在基座外侧，压环位于基座上方，压环沿竖直方向的正投影覆盖基座的周向边缘区域；多个弹性件...

本申请公开了一种工艺腔室及半导体工艺设备，涉及半导体领域。一种工艺腔室，包括：腔体、承载装置、升降装置、限位装置、调节装置和测距装置；承载装置设于腔体内，升降装置连接于腔体的外侧，承载装置至少部分延伸出腔体并与升降装置的升降端连接；限位...

本发明提供一种承载装置及半导体加工设备，该承载装置包括基座本体，基座本体承载晶圆所在平面为基准面，基座本体具有环形凸部，环形凸部的顶面与基准面平齐，用于支撑并密封晶圆的边缘区域；基座本体还具有低于基准面的第一表面和第二表面，第一表面靠近...

本申请公开一种夹具，属于半导体加工技术领域，夹具中，其第一夹持部和第二夹持部相对设置，且二者的一端均与基座转动连接，第一夹持部设有第一穿孔，第二夹持部设有第二穿孔，调节件包括第一限位部、第二限位部和连接部，第一限位部设置于第一夹持部背离...