【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体地，涉及一种工艺腔室、工艺方法及处理控制装置。
技术介绍
1、在半导体工艺中，会使用预清洗(preclean)腔室，预清洗腔室通常的作用是通过激发工艺气体形成等离子体，以借助等离子体去除待加工晶圆上的杂质残留物，这样可以在待加工晶圆后续进行薄膜沉积时，提高晶圆上沉积的薄膜的质量。在现有技术中，预清洗腔室的作用也可以是通过激发工艺气体形成等离子体，以借助等离子体刻蚀沉积在晶圆上的例如氧化物(oxide)薄膜、氮化物(nitride)薄膜、金属薄膜及金属硅化物(silicide)薄膜。
2、但是，不同材质的薄膜的刻蚀速率差异较大，为了满足不同材质的薄膜的目标刻蚀厚度及厚度均匀性的要求，通常可以同时配备多个预清洗腔室，不同材质的薄膜通过不同的预清洗腔室进行刻蚀，每个预清洗腔室只固定刻蚀一种材质的薄膜，或者可以只配备一个预清洗腔室，不同材质的薄膜在不同的时间段进行刻蚀，每个时间段只固定刻蚀一种材质的薄膜，这就造成工艺腔室的经济实用性及使用便捷性较差。
技术实现思路
...【技术保护点】
1.一种工艺腔室，其特征在于，包括腔室本体、承载部件、第一检测部件和第二检测部件，所述承载部件可升降的设置在所述腔室本体内，用于承载晶圆，所述第一检测部件和所述第二检测部件分别与所述腔室本体配合设置，所述第一检测部件和所述第二检测部件用于检测所述晶圆上不同类型的薄膜的厚度；所述工艺腔室被配置为能够根据所述第一检测部件和所述第二检测部件的检测信号分别获取所述薄膜的初始厚度，并确定所述薄膜的类型，且在所述薄膜的实际刻蚀厚度满足要求时，停止工艺。
2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一检测部件和所述第二检测部件被配置为在确定所述薄膜的类型之后，与...
【技术特征摘要】
1.一种工艺腔室，其特征在于，包括腔室本体、承载部件、第一检测部件和第二检测部件，所述承载部件可升降的设置在所述腔室本体内，用于承载晶圆，所述第一检测部件和所述第二检测部件分别与所述腔室本体配合设置，所述第一检测部件和所述第二检测部件用于检测所述晶圆上不同类型的薄膜的厚度；所述工艺腔室被配置为能够根据所述第一检测部件和所述第二检测部件的检测信号分别获取所述薄膜的初始厚度，并确定所述薄膜的类型，且在所述薄膜的实际刻蚀厚度满足要求时，停止工艺。
2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一检测部件和所述第二检测部件被配置为在确定所述薄膜的类型之后，与所述薄膜的类型相对应的一者保持开启，另一者关闭。
3.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一检测部件检测的薄膜的类型包括透明光学薄膜，所述第二检测部件检测的薄膜的类型包括非透明金属薄膜。
4.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一检测部件包括光发射件和光接收件，所述光发射件用于向所述晶圆发射检测光，所述光接收件用于接收所述晶圆上的薄膜反射所述检测光形成的反射光，所述工艺腔室被配置为能够根据所述检测光和所述反射光的特征量确定所述薄膜的厚度；
5.根据权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，所述腔室本体包括腔室主体和腔室盖体，所述腔室主体内设置有所述承载部件，所述腔室盖体盖设在所述腔室主体的顶部，且所述腔室盖体的周向上间隔设置有所述光发射件、所述光接收件、所述波发射件和所述波接收件，其中，所述光发射件与所述光接收件，以及所述波发射件和所述波接收件分别相对于所述承载部件的轴线对称设置。
6.根据权利要求5所述的工艺腔室，其特征在于，所述光发射件包括光发射源，所述光发射源可活动的设置于所述腔室主体内，用于向所述晶圆的不同半径处发射所述检测光，所述光接收件能够与所述光发射件配合接收所述晶圆上的薄膜不同半径处反射所述检测光形成的所述反射光；
7.根据权利要求6所述的工艺腔...
【专利技术属性】
技术研发人员：张浩，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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