尾气处理组件和半导体工艺设备制造技术

本申请公开一种尾气处理组件和半导体工艺设备，涉及半导体技术领域。该尾气处理组件包括依次设置的过滤装置、缓冲装置和废气处理装置，所述缓冲装置与所述废气处理装置相连通，所述过滤装置包括具有容纳腔的外壳以及设置在所述容纳腔内的吸附组件和释放组件，其中，所述外壳设有进气口、第一排气口和第二排气口，所述进气口用于与半导体工艺腔室的尾气出口相连通，所述进气口、所述第一排气口和所述缓冲装置可依次相连通，以形成废气处理通道，所述进气口和所述第二排气口可依次相连通，以形成排气通道。该方案能够解决目前废气处理装置限制半导体工艺腔室内的工艺进程的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于半导体，具体涉及一种尾气处理组件和半导体工艺设备。

技术介绍

1、近年来，随着半导体技术的快速发展，新一代半导体工艺设备应用技术的复杂性不言而喻，其在工艺过程中也应用到更多类型的特殊气体（简称特气），如n2o、nh3、f2、hf、ch2cl2等。但工艺过程完成后产生的尾气涉及半导体工艺设备和厂务安全，因此尾气处理组件（即半导体工艺设备的排气装置）现已成为设备厂商的重点研究方向。

2、目前的尾气处理方式为通过抽气装置将工艺废气直接排放至废气处理装置中，以防止工艺废气倒灌入半导体工艺腔室的内部。然而，当废气处理装置的处理能力到达顶峰后，此时只能减缓或暂停尾气排放，从而反向限制了半导体工艺腔室内的工艺进程（比如工艺阶段1完成后，开启工艺阶段2之前需将工艺阶段1的尾气处理完毕后再进行），进而降低了半导体工艺设备的工艺效率。

技术实现思路

1、本申请实施例的目的是提供一种尾气处理组件和半导体工艺设备，能够解决目前废气处理装置限制半导体工艺腔室内的工艺进程的问题。

2、为了解决上述技术问本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种尾气处理组件，其特征在于，包括依次设置的过滤装置（100）、缓冲装置（200）和废气处理装置（300），所述缓冲装置（200）与所述废气处理装置（300）相连通，所述过滤装置（100）包括具有容纳腔的外壳（110）以及设置在所述容纳腔内的吸附组件（120）和释放组件（130），其中，

2.根据权利要求1所述的尾气处理组件，其特征在于，所述过滤装置（100）还包括检测件（150），所述检测件（150）设置于所述容纳腔内，所述检测件（150）位于所述吸附组件（120）背离所述进气口（111）的一侧，所述检测件（150）用于检测所述容纳腔内的残余特气的含量。

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【技术特征摘要】

1.一种尾气处理组件，其特征在于，包括依次设置的过滤装置（100）、缓冲装置（200）和废气处理装置（300），所述缓冲装置（200）与所述废气处理装置（300）相连通，所述过滤装置（100）包括具有容纳腔的外壳（110）以及设置在所述容纳腔内的吸附组件（120）和释放组件（130），其中，

2.根据权利要求1所述的尾气处理组件，其特征在于，所述过滤装置（100）还包括检测件（150），所述检测件（150）设置于所述容纳腔内，所述检测件（150）位于所述吸附组件（120）背离所述进气口（111）的一侧，所述检测件（150）用于检测所述容纳腔内的残余特气的含量。

3.根据权利要求2所述的尾气处理组件，其特征在于，所述容纳腔内还设有回流通道（160），所述回流通道（160）的一端与所述检测件（150）相连通，所述回流通道（160）的另一端与所述进气口（111）相连通，所述第一排气口（112）处设置有第一截止阀（112a），所述第二排气口（113）处设置有第二截止阀（113a），所述回流通道（160）内设置有第三截止阀（161）。

4.根据权利要求1所述的尾气处理组件，其特征在于，所述释放组件（130）为嵌设于所述吸附组件（120）内部的加热丝。

5.根据权利要求1所述的尾气处理组件，其特征在于，所述尾气处理组件还包括冷却装置（500），所述冷却装置（500）设置于所述容纳腔之外，所述冷却装置（500）...

【专利技术属性】
技术研发人员：李浩瀚，贾岩，盖守新，王凯，姚晶，周文飞，李文豪，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：