电极组件及半导体工艺设备制造技术

本发明专利技术提供一种电极组件及半导体工艺设备，电极组件包括固定组件、过渡连接组件、电极杆及弹性件，电极杆第一端与固定组件固定连接，过渡连接组件位于固定组件与炉尾端板之间，过渡连接组件的一端与固定组件可拆卸连接、另一端用于与炉尾端板上的转接座连接。弹性件用于设置在过渡连接组件和转接座之间，且弹性件配置成使中心通道的中心线与半导体工艺设备的工艺管的中轴线之间的角度可调。采用本发明专利技术，当该电极组件的电极头需维护或更换时，只需将固定组件与过渡连接组件拆卸分离，取下固定组件及与之固接的电极杆进行更换。由于过渡连接组件无需拆卸，因此每次维护时也无需再通过调节弹性件来调整电极头的角度，简化了维护操作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，具体地，涉及一种电极组件及半导体工艺设备。

技术介绍

1、在光伏太阳能电池的制备过程中，通过在硅片表面镀减反射膜能够提高电池片对太阳光的吸收率，进而提高其光电转换效率，故在硅片表面镀减反射膜是实际加工中一道重要的工序。等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapordeposition，pecvd)设备用于镀减反射膜，其工作原理是在高温工艺腔室中利用高频电场激发，分解工艺气体(如，sih4、nh3)，使得硅片表面沉积形成氮化硅(si3n4)薄膜。

2、目前，常使用电极组件连接射频供电组件与容置在工艺腔室内的承载舟，射频供电组件通过电极组件向承载舟馈入射频电流，以确保工艺气体能够电离成等离子体，进而保证硅片的反应环境。其中，承载舟与电极组件的电接触性能的优劣直接关系到沉积工艺效果及产能。

3、已有的一种电极组件包括固定组件、电极杆与电极头，电极杆的一端穿设在固定组件的中部通孔内、另一端与电极头固定连接，固定组件用于与半导体工艺设备的工艺管的炉尾端板可拆卸相连。随着工艺时间本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电极组件(60)，应用于半导体工艺设备(100)，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电极组件(60)，其特征在于，所述过渡连接组件(62)包括第一法兰(625)，所述电极组件(60)还包括位于所述第一法兰(625)和所述转接座(31)之间的连接法兰(622)，所述连接法兰(622)与所述转接座(31)固定连接，所述弹性件(624)夹设于所述第一法兰(625)和所述连接法兰(622)之间；

3.根据权利要求2所述的电极组件(60)，其特征在于，所述第一法兰(625)朝向所述连接法兰(622)的一面凸出设置有止挡环(628)，所述止挡环(628)伸入...

【技术特征摘要】

1.一种电极组件(60)，应用于半导体工艺设备(100)，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电极组件(60)，其特征在于，所述过渡连接组件(62)包括第一法兰(625)，所述电极组件(60)还包括位于所述第一法兰(625)和所述转接座(31)之间的连接法兰(622)，所述连接法兰(622)与所述转接座(31)固定连接，所述弹性件(624)夹设于所述第一法兰(625)和所述连接法兰(622)之间；

3.根据权利要求2所述的电极组件(60)，其特征在于，所述第一法兰(625)朝向所述连接法兰(622)的一面凸出设置有止挡环(628)，所述止挡环(628)伸入至所述连接法兰(622)的中心通孔内并环绕在所述电极杆(65)外，所述止挡环(628)的外径小于所述中心通孔的孔径。

4.根据权利要求2所述的电极组件(60)，其特征在于，所述连接法兰(622)上设有连接通孔(627)，所述电极组件(60)还包括第二螺接件，所述第二螺接件穿设在所述连接通孔(627)内并用于与所述转接座(31)螺接，所述第二螺接件具有调节状态和紧固状态；

5.根据权利要求2所述的电极组件(60)，其特征在于，所述过渡连接组件(62)还包括沿第二方向(l)延伸的过渡管体(621)，所述过渡管体(621)的一端与所述第一法兰(625)连接，所述过渡管体(621)在所述第二方向(l)上的长度大于第一预设值，所述第二方向(l)与所述工艺管(10)的长度方向平行。

6.根据权利要求1所述的电极组件(60)，其特征在于，还包括快拆紧固件(63)；

7.根据权利要求6所述的电极组件(60)，其特征在于，所述快拆紧固件(63)为链式锁或者卡箍。

8.根据权利要求1所述的电极组件(60)，其特征在于，所述固定组件(61)包括固定座(611)和连接座(612)，所述连接座(612)位于所述固定座(611)与所述过渡连...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵湛惟，侯鹏飞，闫志顺，赵福平，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：