本发明提供一种清洗设备，包括：腔体，腔体中设置有用于承载晶圆的晶圆承载装置；以及第一导流部件，设置于腔体顶部，且第一导流部件对应其下表面的多个不同区域分别设置有多个不同的进气结构，且通过不同的进气结构进入腔体的气体流速不同。本方案可以解...

本申请公开一种半导体工艺设备及其密封连接组件，属于半导体技术领域。密封连接组件包括第一底板、第二底板和侧板，第一底板用于密封连接反应腔室，侧板用于密封连接装卸料腔室的内壁，第一底板与侧板弯折连接，且第一底板设有连通口，腔室口通过连通口与...

本申请公开一种进气装置、工艺腔室及半导体工艺设备，所公开的进气装置包括配气腔室和匀流件；配气腔室具有第一内腔、第一流入孔和多个第一匀流孔，第一流入孔和多个第一匀流孔均与第一内腔连通，多个第一匀流孔均设于配气腔室的底壁；匀流件设于第一内腔...

本申请公开一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，所公开的半导体工艺腔室包括腔室本体以及位于腔室本体内的基座、沉积环和隔离组件；隔离组件包括遮蔽环和第一衬环，当基座上升时，遮蔽环可搭接于沉积环上，且遮蔽环随基座上升至设定位置并与第一衬环配合...

本申请提供一种脉冲电压产生电路及半导体工艺设备，应用于半导体制造技术领域，该电路包括储能电路和开关单元，储能电路与开关单元中各第一可控开关的连接点用于输出作业脉冲电压，开关单元中各第一可控开关的导通状态受控制器控制，各第一可控开关呈并联...

本发明提供了一种设备控制器的测试方法、设备控制器及半导体工艺设备，设备控制器的测试方法包括：获取预先设置的测试数据，测试数据包括多个任务数据；根据预设顺序依次调用多个任务数据，以根据调用的任务数据，生成相应的任务指令；将任务指令发送给半...

本发明提供一种电压传感器、信号处理方法及半导体工艺设备，包括：电压采集模块，用于采集待测电压信号的电压值，获得采集信号；模数转换模块，用于将采集信号转换为第一数字信号；频率检测模块，用于检测采集信号的频率，获得反馈频率值；信号处理模块，...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其控制方法，其中，所述半导体工艺设备包括：供气装置、工艺腔室、检测仪和控制器；供气装置包括第一供气支路、第二供气支路和气体混合管路，第一供气支路用于向气体混合管路输送反应气体，第二供气支路用于向气体...

本发明提供一种半导体膜层的刻蚀方法及半导体工艺设备，该半导体膜层包括由上而下依次设置的第一膜层和第二膜层，包括：利用第一气体对半导体膜层中的第一膜层进行刻蚀并暴露出第二膜层，形成图形化的第一膜层；对第一膜层的图形侧壁进行钝化处理，形成钝...

本申请公开了一种喷淋结构及半导体工艺设备，涉及半导体领域。一种喷淋结构包括喷淋头和排液清洁组件，排液清洁组件包括：清洁部件；清洁部件包括容纳腔体、保护腔体、干燥腔体和清洗腔体，容纳腔体的两端分别设有第一端口和第二端口，保护腔体、干燥腔体...

本申请公开一种半导体工艺设备，属于半导体技术领域。半导体工艺设备包括第一腔室和承载件，第一腔室的腔室底壁设有开口，承载件可升降地在第一高度位置和第二高度位置之间切换，在承载件位于第一高度位置的情况下，承载件封堵开口，承载件与第一腔室形成...

本发明公开一种半导体工艺腔室及半导体设备，所公开的半导体工艺腔室包括腔室本体和设置于腔室本体内的基座、预热环和环形内衬，腔室本体通过基座分为第一腔室和第二腔室；环形内衬环绕基座设置，且与基座之间形成环形间隙；预热环与环形内衬连接，且位于...

本发明公开一种晶圆承载装置和半导体工艺腔室，所公开的晶圆承载装置包括基座、支撑件和驱动机构，其中，所述基座包括基座本体，所述基座本体具有用于加热晶圆的加热面，所述支撑件设于所述基座本体，且可在以所述加热面的中心轴线为圆心的圆形轨迹上运动...

本申请公开了一种晶舟形态的检测方法、半导体工艺设备及存储介质。其中，该方法包括：在半导体工艺设备完成一次物料传输过程后，将运行次数加一，所述物料包括晶片传送盒和晶片；若所述运行次数等于或者大于预设的运行次数阈值，则执行对所述物料的自动传...

本申请提供了一种调度方法、半导体工艺调度设备及半导体工艺设备，其中，所述调度方法应用于半导体工艺设备中的调度程序，基于半导体工艺设备的当前运行状态和/或当前调度序列的当前执行状态确定满足调度序列更新条件时，基于半导体工艺设备中各工艺对象...

本申请公开了一种工艺数据的处理方法、半导体工艺设备及存储介质。其中，该方法包括：在工厂自动化FA系统启动后，启动常驻的S1F3消息处理线程；通过S1F3消息处理线程，从S1F3消息队列中读取出S1F3消息，S1F3消息中包括工艺数据的标...

本发明公开一种半导体工艺腔室，所公开的半导体工艺腔室包括腔室本体、辐射能量源和顶针组件，顶针组件设于腔室本体内，用于支撑晶圆，辐射能量源设于腔室本体，用于在晶圆处于被顶针组件支撑的状态下对晶圆的背面加热；半导体工艺腔室包括输气装置，输气...

本申请公开了一种加热基座、半导体工艺设备，涉及半导体技术领域，可以避免采用分区设置多个加热丝的方式对温度场进行调节，且结构简单，便于实现，有利于温度场的精细化调节。加热基座包括：基座、加热盘和气体调节组件；基座的顶部设有凹槽，且在凹槽的...

本申请公开一种SiC层刻蚀方法及半导体工艺设备，属于半导体技术领域。SiC层刻蚀方法包括：在SiC层的表面形成预定图案的掩膜层；以掩膜层为掩膜，利用第一刻蚀气体对SiC层进行刻蚀，以在SiC层中形成底部具有圆角的沟槽，第一刻蚀气体包括S...

本申请公开一种半导体工艺腔室及其承载装置，属于半导体技术领域。承载装置包括基座和顶针，基座设有晶圆承载面以及通孔，顶针用于顶起晶圆，顶针贯穿通孔，且顶针可相对于基座升降，以使晶圆位于晶圆承载面或脱离晶圆承载面，顶针包括相连的第一针段和第...