本申请公开一种电极转接结构和半导体工艺设备，属于半导体加工技术领域。所公开的电极转接结构用于与电极电连接，所述电极转接结构包括电阻件和探针；所述探针的第一端用于与所述电极电连接，所述探针的第二端与所述电阻件的第一端电连接；所述电阻件的第...

本发明提供一种传输腔室、半导体工艺设备以及晶片传输方法。其中，传输腔室包括：传输腔体、设置在传输腔体中的晶片传输装置以及匀气盘。匀气盘环绕晶片传输装置的驱动部设置，其内部具有与外部保护气源连通的气体流道，且气体流道具有多个设置在匀气盘表...

本申请公开了一种流体传输管路结构、上电极组件及半导体工艺设备，流体传输管路结构包括至少两个依次连接的绝缘管道，相邻两个所述绝缘管道之间采用紧固件锁紧，并且所述紧固件的热膨胀系数小于所述绝缘管道的热膨胀系数。本申请的流体传输管路结构由于是...

本技术提供一种半导体清洗设备及其卡盘结构，包括用于承载晶圆的卡盘基体，在卡盘基体中设置有进气通道，进气通道在卡盘基体的与晶圆相对的第一表面上具有多个出气口，用于通过吹出的气体承载晶圆；第一表面上设置有第一环形凸台，第一环形凸台的上表面高...

本发明提供了一种半导体工艺特征波长的确定方法、半导体工艺设备及存储介质。该方法包括：针对目标刻蚀材料，获取在目标工艺时间内的目标波长范围内的多个第一波长各自的光强原始数据，第一波长的光强原始数据包括第一波长在目标工艺时间内的多个光强值；...

本说明书实施例提供了一种调度方法，该方法可以保障在需要停止目标任务时，每个晶圆都可以在完成下一个第一站点之前可以完成的工艺之后，跳过第一站点，从而目标站点继续调度直至传回晶圆盒，在整个调度过程中，无需人为控制机械手调度目标任务的晶圆，避...

本发明公开一种顶针组件、工艺腔室和半导体工艺设备，所公开的顶针组件包括顶针、顶针安装部、固定座、第一滚动件和第二滚动件，其中，所述第一滚动件和所述第二滚动件均设于所述固定座，所述顶针安装部在第一方向夹持于所述第一滚动件与所述第二滚动件之...

本申请提供了一种电机控制方法、系统及半导体设备，其中，所述电机控制方法在半导体设备的当前工作模式为第一模式时，获取半导体设备中目标旋转装置所处腔室的腔室门开度的当前值，基于腔室门开度的当前值确定目标电机的当前转速上限，并基于当前转速上限...

本发明提供一种工艺腔室及半导体工艺设备。工艺腔室包括腔体和设置于腔体内的气体分配装置、基座和隔热件；气体分配装置设置于基座上方，且气体分配装置面向基座一侧具有多个第一匀流孔；隔热件位于气体分配装置与基座之间，隔热件具有多个第二匀流孔，第...

本发明提供了一种传感器连接结构和半导体加工设备，涉及半导体加工技术领域，以解决等离子体对例如真空规的传感器产生腐蚀的问题。传感器连接结构包括连接本体和电极组件，连接本体具有通道，通道能够连通工艺腔和传感器；电极组件包括电极，成对设置于通...

本发明提供一种半导体工艺设备及其旋转进气装置。旋转进气装置包括转轴、套设于转轴外的壳体以及设置于转轴和壳体之间的密封组件；转轴内设置有相互隔离的多条气体通道，壳体设置有多个进气通道，进气通道用于向气体通道提供气体；转轴和壳体之间形成有第...

本发明提供了半导体工艺设备的控制方法及半导体工艺设备；其中，在该方法中，首先获取工艺任务的工艺配置信息，并根据工艺配置信息生成工艺路径；然后控制半导体工艺设备按照工艺路径对晶圆进行循环加工，直至完成工艺任务。上述控制方式中，对于工艺任务...

本发明提供一种聚焦环电压控制方法、装置及半导体工艺设备，该方法包括：响应于向下电极加载射频信号的控制指令，基于采样周期执行采样流程；每一个采样周期中包括依次执行的采样阶段和施加阶段；在采样阶段控制用于向聚焦环加载电压的直流电源关闭，并对...

本发明提供一种设备供电系统及其控制方法，设备供电系统，包括：第一供电回路，用于向负载供电；开关装置，位于电源柜，与第一供电回路电连接，开关装置用于控制第一供电回路与负载的通断；控制装置，与开关装置电连接；急停开关，位于机台，与控制装置电...

本申请公开了一种冷却装置和退火设备，该冷却装置包括冷盘和设置有冷却腔的机体，以及进排气系统。机体包括位于冷却腔上方的顶部壁板，顶部壁板与冷盘的中心区域对应的位置设置有带进气扩散腔的凸台；进气扩散腔的顶部开口与位于顶部壁板顶面的进气系统连...

本发明提供一种半导体叠层结构的刻蚀方法、器件的制造方法及设备，该刻蚀方法包括：采用第一工艺气体对半导体叠层结构中的第一半导体层的侧壁进行选择性刻蚀，以使得第一半导体层的侧壁在第二方向相对于第二半导体层凹陷，第二方向垂直于第一方向；其中，...

本技术公开了一种应用于半导体设备的自动补液系统及半导体设备，该系统包括：源瓶、源补给端和气压调节机构；所源瓶包括进气端、出气端和补液端；源瓶的进气端与载气注入管路连接，源瓶的出气端用于与反应腔室连通，源瓶用于盛放液体反应源，并向反应腔室...

本技术提供一种工艺舟以及半导体热处理设备。其中，工艺舟包括舟体；舟体内部具有沿轴向分布的多层承载位，用以承载晶圆；每层承载位均包括至少三个支撑结构；每个支撑结构均包括支撑件和自支撑件上表面凸出的支撑凸起，支撑凸起用于支撑晶圆；支撑凸起的...

本申请提供了一种加热控制方法及半导体工艺设备，其中，所述加热控制方法在工艺液体的当前温度处于目标温度区间且加热装置的当前温度小于第一温度阈值时，控制加热装置以第一目标加热功率加热工艺液体，第一目标加热功率小于加热装置的额定加热功率，并在...

本申请公开一种线圈、线圈组和半导体工艺设备，属于半导体加工技术领域。所公开的线圈用于半导体工艺设备，所述线圈包括连接段和至少两个同心设置的圆弧段，所述线圈为立体线圈，且所述立体线圈的最高点所处的平面为第一平面，所述立体线圈的最低点所处的...