本申请公开了一种半导体工艺设备及控件类库文件的生成方法、装置及介质。其中，该方法包括：生成配置文件，所述配置文件中包括待编译的资源文件对应的资源路径；删除所述配置文件中与当前类库项目无使用权限的资源对应的资源路径，或者，为与无使用权限的...

本发明提供一种晶圆位置校准装置、方法、校准腔室和半导体工艺设备，该装置包括：用于承载晶圆的基座；多个偏差检测传感器，沿基座的周向间隔分布，且能够沿基座的径向同步移动；多个偏差检测传感器用于朝向基座发射检测信号，多个偏差检测传感器发射的检...

本发明提供一种半导体工艺设备以及刻蚀方法。其中，设备包括等离子体激发装置和工艺腔室：其中，等离子体激发装置包括相互连通的第一子腔、第二子腔和分别与第一子腔和第二子腔连接的第一射频组件和第二射频组件。第一子腔与第一气源连通，第一气源能够向...

本发明提供一种液态源存放装置，用于存放并向半导体工艺腔室供应液态源，包括存放主体、输气结构和切换结构，其中，存放主体用于存放液态源；输气结构用于与载气源连通且具有第一出气口和第二出气口，第一出气口和第二出气口位于存放主体内的不同水平位置...

本发明提供了一种进气装置、进气控制方法和半导体工艺设备，涉及半导体加工技术领域，以解决工艺气体切换时补偿不及时的问题。进气装置包括运行管路、排气管路、补偿切换组件以及，配置为连通于补偿气源的第一补偿组件和第二补偿组件，第一补偿组件包括第...

本申请提供一种传片腔室、半导体工艺设备及校准晶圆的方法，该传片腔室包括：腔体、第一承载板、第二承载板、驱动机构和止挡件；第一承载板和第二承载板相对设置于腔体的内部，第一承载板和第二承载板用于承载晶圆；驱动机构与第二承载板连接，用于驱动第...

本技术公开一种载舟装置及半导体工艺设备，其中，载舟装置包括固定座(11)、腔室盖(20)、承载件(30)、弹性套管(40)和限位机构(50)；承载件(30)的第一端穿过腔室盖(20)而伸至腔室盖(20)的外侧，并与固定座(11)相连，弹...

本申请提供一种半导体工艺设备及其工艺气路结构，半导体工艺设备包括电极线圈和工艺腔室，工艺气路结构包括安装件和管路组件，管路组件通过安装件连通工艺腔室，电极线圈位于管路组件和工艺腔室之间；管路组件包括连接部和管路本体，连接部位于管路本体的...

本发明公开一种传输装置和半导体工艺设备，所公开的传输装置应用于半导体工艺设备中承载并传输晶圆，所公开的传输装置包括承载部和约束部，其中：所述约束部位于所述承载部的上方，且与所述承载部的承载面相对、且间隔设置；所述约束部具有喷气口，所述喷...

本申请公开了一种资源分配方法、资源分配装置及存储介质。其中，该方法包括：获取处理器系统的当前运行状态；获取预先存储的动作状态信息，动作状态信息中包括不同运行状态下选择不同资源分配动作对应的期望奖励值，动作状态信息通过对待学习的动作状态信...

本申请提供了一种作业控制方法、存储介质及电子设备，涉及自动化作业技术领域。该作业控制方法包括：响应于启动指令，加载工厂自动化系统对应的目标配置项信息，以启动工厂自动化系统与设备自动化程序之间的通讯，以及工厂自动化系统与控制软件之间的通讯...

本申请公开了一种上电极结构、半导体工艺腔室及半导体工艺设备，上电极结构包括：上电极组件，用于设置于半导体工艺腔室的顶部；磁性组件，设置于上电极组件的上方，磁性组件包括至少两个线圈组，所述至少两个线圈组在竖直方向排列；每个线圈组包括第一线...

本发明实施例提供了一种半导体工艺的计时方法、工控机和存储介质。方法应用于工控机，工控机包括CPU，CPU包括TSC寄存器，方法包括：当半导体工艺开始时，获取TSC寄存器上存储的指令周期的第一数量；当半导体工艺结束时，获取TSC寄存器上存...

本申请公开一种半导体工艺设备，属于半导体加工技术领域。所公开的半导体工艺设备包括工艺腔室、保温层、第一排气装置和第二排气装置；保温层包裹工艺腔室，且两者之间具有气流间隙，保温层上间隔设有进气通道、第一排气口和第二排气口，第一排气口和第二...

本发明实施例提供了一种镜像生成方法、装置和存储介质。涉及计算机技术领域。方法包括：获取空白镜像、模块文件和配方文件，其中，模块文件包括多个，每一个模块文件分别包括组件或依赖库的安装信息，配方文件包括目标模块文件的路径；根据配方文件中目标...

本申请公开了一种半导体工艺设备，涉及半导体领域。一种半导体工艺设备，包括：工艺腔室、第一射频馈入件、第二射频馈入件、第一匹配器和阻抗可调装置；工艺腔室包括：腔体和承载装置，承载装置设于腔体内，第一射频馈入件的一端穿入腔体并与承载装置连接...

本发明提供一种射频源装置，应用于半导体工艺设备，包括第一射频单元、第二射频单元和控制器，第一射频单元和第二射频单元用于向半导体工艺设备的工艺腔室加载射频功率信号，射频功率信号为在每个周期内具有多个阶段的脉冲信号；控制器用于在各阶段控制第...

本申请涉及半导体制造技术领域，提供了一种腔室升温监测方法及半导体工艺设备。方法包括：获取影响工艺腔室升温过程的相关变量的实时数据，以及获取工艺腔室中加热部件的实时温度实际值，其中，相关变量包括连续型变量和数字型变量，数字型变量包括工艺腔...

本发明公开了一种磁控管的设计方法、磁控管和磁控溅射设备，设计方法包括：根据磁控管的磁极排布，仿真获得磁控管在靶材表面任一半径处的磁场弧线上各点的水平磁场强度，根据靶材表面任一半径处的磁场弧线上各点的水平磁场强度以及水平磁场强度与靶材腐蚀...

本发明提供一种互锁电路和一种半导体工艺设备，互锁电路包括第一控制开关和第二控制开关，其中第一控制开关用于在静电卡盘的静电吸附电压小于预设电压阈值时，断开工控机输出的泄压阀控制信号，并将工控机输出的进气阀控制信号连通至第二控制开关的控制端...