本申请提供一种立式热处理设备及其运送装置，包括装置主体、传动带机构以及止动机构，传动带机构用于装置主体的驱动件和从动件之间的传动，传动带机构包括传动带；止动机构包括止动部和配合组件，止动部与从动件固定连接，止动部具有止动结构；配合组件包...

本发明提供了承载装置的温度控制方法及半导体工艺设备；其中，该方法包括：对于承载装置的多个温区，计算任意相邻两个温区之间的温度差值，得到多个温差，将差不大于第一阈值，且，不小于第二阈值的温差确定为目标温差；对任一目标温差，控制目标温差对应...

本申请公开了一种匀流固定部件、进气集成装置和半导体设备，涉及半导体技术领域。一种匀流固定部件，应用于半导体设备的进气集成装置，所述半导体设备包括腔体，所述进气集成装置包括设置在所述腔体中的加热部件和匀流部件；所述匀流固定部件包括自上而下...

本申请属于半导体设备技术领域，具体涉及一种半导体设备及其进气装置。该进气装置包括进气柱和匀流件，进气柱内具有至少两个进气通道，匀流件包括至少两个进气腔，每一进气通道对应连通一个进气腔；各进气通道均包括第一进气子通道和第二进气子通道；第二...

本发明提供一种半导体工艺设备，涉及半导体制造设备的技术领域。该设备包括连通的等离子体生成腔和工艺腔，等离子体生成腔内设置有功率电极和接地电极，接地电极接地；功率电极沿其高度方向间隔设有多个第一端子，多个第一端子并联且每个第一端子均能够与...

本发明公开一种屏蔽装置及其控制方法、工艺腔室及半导体工艺设备，所公开的屏蔽装置包括第一环状基部(01)和多个活动扇叶(40)，所述多个活动扇叶(40)转动地设于所述第一环状基部(01)上，且沿所述第一环状基部(01)的圆周方向分布，相邻...

本申请提供了一种形成沟槽的方法及半导体工艺设备，该方法包括提供待刻蚀膜层；待刻蚀膜层包括基底以及位于基底一侧表面上的掩膜层，掩膜层设置有掩膜开口，掩膜开口暴露基底的部分区域；向工艺腔室的内部通入刻蚀气体，以激发刻蚀气体产生等离子体；依次...

本申请属于半导体设备技术领域，具体涉及一种半导体设备及进气装置。该进气装置包括冷却结构、进气组件以及位于进气组件的底端的气体分配组件，气体分配组件的周向侧壁设有若干分配孔；冷却结构包括：环绕进气组件设置的第一冷却腔、位于气体分配组件底端...

本发明公开一种工艺腔室及其上电极装置、半导体工艺设备。其中，上电极装置包括射频线圈(11)和可调电容(12)，所述射频线圈(11)用于缠绕在所述工艺腔室的屏蔽筒(70)之外，所述屏蔽筒(70)用于套设于所述工艺腔室的等离子体发生腔(20...

本发明提供一种炉门驱动装置以及半导体热处理设备。其中，炉门驱动装置包括连接盘、限位组件、止动组件以及驱动源；驱动源用于驱动连接盘绕自身轴线旋转；连接盘与炉门连接，用以带动炉门旋转；连接盘具有限位部和止动部；限位组件用于在连接盘旋转至预设...

本发明提供一种升降旋转机构和半导体工艺腔室，升降旋转机构包括驱动轴承、升降座、升降驱动组件、旋转驱动组件和多个导向杆，其中多个导向杆平行设置，且导向杆的顶部用于与腔体底部固定连接，升降座活动设置在多个导向杆上，驱动轴承的轴套固定设置在升...

本申请公开一种晶圆切割方法，包括：在待切割晶圆的第一表面形成具有切割道图案的掩膜层；在所述待切割晶圆的第二表面形成引导层，所述第二表面与所述第一表面相对，所述引导层用于引导对所述待切割晶圆的刻蚀朝向垂直于第一表面；对所述掩膜层暴露出的所...

本申请公开一种立式炉的炉盖和立式炉，立式炉包括炉体和炉盖，炉体具有炉口，所公开的炉盖包括炉盖本体、舟承载部和第一驱动机构；炉盖本体用于与炉口密封连接以形成工艺空间，舟承载部转动地设于炉盖本体上，舟承载部用于承载容纳于工艺空间中的承载舟并...

本申请公开一种承载装置、半导体工艺设备和承载装置的制备方法，属于半导体加工技术领域。所公开的承载装置包括依次层叠设置的承载件、粘接层、过渡层和冷却件，所述承载件用于承载晶圆，所述承载件与所述冷却件之间通过所述粘接层和所述过渡层粘接；所述...

本申请属于半导体工艺设备技术领域，具体涉及一种用于工艺腔室的开盖机构及半导体工艺设备。该开盖机构包括支撑座、转动轴和定位件，定位件可相对转动轴活动，转动轴用于与工艺腔室的上盖相连接，支撑座用于与工艺腔室的腔室本体相连接，转动轴可转动地与...

本申请公开了一种流体排放装置及半导体工艺设备，涉及半导体制备技术领域，所公开的流体排放装置包括箱体、第一分隔部和第二分隔部；箱体设有第一流体进口、排液口和排气口，第一流体进口用于与半导体工艺腔室的流体排放口连通；第一分隔部设于箱体的底部...

本申请公开一种半导体工艺设备及其夹持装置，属于半导体制造技术领域。夹持装置包括基座、多个夹持件以及驱动机构，多个夹持件均设置于基座，驱动机构用于驱动多个夹持件相对于基座运动，以使多个夹持件夹持或释放晶圆，驱动机构包括第一磁性件、第二磁性...

本申请公开一种气体控制阀和半导体工艺设备，属于半导体加工技术领域。所公开的气体控制阀应用于半导体工艺设备，其包括阀体以及设置于所述阀体的阀板组件，所述阀板组件包括阀板和驱动机构，所述驱动机构与所述阀板相连，所述阀板为可折叠阀板，所述阀板...

本申请公开一种长晶炉及半导体工艺设备，所公开的长晶炉包括炉体和温梯调节装置；炉体包括上盖，定义上盖的厚度方向为第一方向，上盖设有沿第一方向贯穿上盖的散热孔，温梯调节装置设于炉体内，温梯调节装置包括多个隔热盘，多个隔热盘沿第一方向排布；隔...

本申请公开了一种资源加载方法、装置、电子设备及存储介质，其中，所述方法包括：获取目标应用对应的目标资源文件；将所述目标资源文件保存至目标资源字典对象中，所述目标资源字典对象是所述目标应用在首次加载资源的情况下创建的；通过调用所述目标资源...