本发明提供了一种工艺任务分配方法及半导体工艺设备，涉及半导体技术领域，该工艺任务分配方法包括：接收工艺加工任务，获取工艺加工任务对应的晶圆盒中的待加工晶圆数量，判断待加工晶圆数量是否小于第一预设数量；如果是，获取半导体工艺设备中当前未分...

本申请公开了一种晶圆吸附装置、吹扫盘及半导体工艺设备，晶圆吸附装置包括：第一盘体，包括相对设置的第一面和第二面；手臂杆，中空设置，且手臂杆一端由第一面的中心贯通至第二面，另一端用于连接机械手臂以及抽气装置，以通过抽气装置经手臂杆对第一盘...

本申请公开一种晶圆支撑组件及其控制方法和半导体设备，属于半导体加工技术领域，晶圆支撑组件中，支撑本体具有用以支撑晶圆的支撑面，且支撑本体安装于旋转机构；第一驱动件和夹持机构的数量均为至少三个，且一一对应，多个第一驱动件沿旋转机构的转动方...

本发明提供一种承载装置及半导体工艺腔室，承载装置包括基座、多个承载件和多个旋转结构；基座用于设置在半导体工艺腔室内，并能够相对于半导体工艺腔室旋转；承载件用于承载晶圆，且多个承载件分别绕自身的轴线可转动地设置于基座上；多个旋转结构和多个...

本发明提供一种承载装置及半导体工艺设备。所述承载装置设置有用于与气源连通的内腔，所述承载装置朝向所述晶圆的一侧表面具有多个与所述内腔连通的气孔，所述气孔用于向所述晶圆背面喷射加热用气体，多个所述气孔均匀分布在所述承载装置上。本发明的承载...

本申请提供了一种管路图生成方法、半导体工艺设备及计算机可读存储介质，该方法包括：获取管路的文本信息；文本信息包括至少两个节点标识以及位于两个节点标识之间的管路标识；文本信息与管路一一对应；基于预设的解析规则解析文本信息，确定出至少一个子...

本发明提供了一种输出功率限值计算方法及半导体工艺设备，应用于加热盘，该加热盘包括第一加热件和温度传感器，温度传感器用于检测第一加热件的温度，该方法包括：获取第一加热件的历史运行数据；其中，历史运行数据包括历史输出功率和温度传感器检测的温...

本申请属于半导体工艺技术领域，具体涉及一种温度校正曲线的获取方法、晶圆承载装置的温度控制方法、电子设备及半导体设备。该获取方法包括：控温加热步，利用晶圆承载装置内设置的测温器所测量的温度作为控温控制反馈，控制晶圆承载装置内设置的加热器将...

本申请提供一种半导体工艺设备及其源瓶装置，源瓶装置包括瓶体，位于瓶体内的隔板和自动补液机构；隔板由瓶体的底部延伸至顶部将瓶体内部分隔成第一腔和第二腔；第一腔设有进气口和出气口，进气口用于通入载气，出气口用于连接半导体工艺设备的工艺腔室，...

本申请公开一种半导体工艺腔室及其进气组件，属于半导体技术领域。进气组件包括进气管路、喷气部件和喷气连接件，喷气连接件与喷气部件沿竖直方向依次设置，喷气连接件的内部设有进气通道，喷气部件的内部设有喷气通道，喷气通道用于与所述半导体工艺腔室...

本发明提供一种半导体清洗设备及清洗方法，其包括机架、工艺管、固定支架、射频感应线圈和驱动装置，工艺管内部具有腔体，腔体用于容纳待清洗石墨舟；固定支架与机架连接并可相对于机架移动；射频感应线圈绕设在工艺管的外周，射频感应线圈的每匝导线固定...

本申请公开了一种半导体工艺方法、薄膜沉积设备、晶体管，涉及半导体技术领域，可以避免额外引入退火设备，降低生产成本；另外，在沉积金属层之前，可以完全去除晶圆表面的氧化层，从而有利于形成V<subgt;CE</subgt;发散度...

本发明公开一种半导体工艺腔室，所公开的半导体工艺腔室包括腔室本体、支撑组件、晶舟、第一电极组件、第二电极组件和辅助清洗工装，其中，支撑组件设于腔室本体内，用于支撑晶舟，晶舟包括多个依次间隔排布的舟页，半导体工艺腔室包括清洗模式；在半导体...

本申请公开了一种控温系统、工艺腔室及清洗方法，涉及半导体领域。一种控温系统，工艺腔室包括腔体和设于腔体内并用于承载晶圆的承载装置，控温系统设于承载装置，并包括：温度检测元件、温度调节元件和控制元件；温度检测元件用于检测调控晶圆表面温度的...

本申请实施例提供一种故障定位方法、装置、设备及存储介质，所述方法包括：获取目标设备的故障报警信息；根据所述故障报警信息获取对应的目标硬件组合标识以及目标控制信号组合；其中，所述目标硬件组合标识为所述故障报警信息所涉及的通信模块、控制线缆...

本发明提供一种管体裁切装置，应用于半导体加工设备，包括：基体，具有相背离的第一端面和第二端面，基体中设置有自第一端面贯通至第二端面的通孔，通孔用于供待裁切管体穿过；基体被设置为能够相对于待裁切管体，围绕通孔的轴线转动以及沿通孔的轴线移动...

本发明提供一种用于半导体工艺腔室的辅助控温装置及半导体工艺腔室。所述辅助控温装置，包括：导热组件，用于与所述半导体工艺腔室固定连接，以与所述半导体工艺腔室内的工艺套件换热；冷却流道，设置在所述导热组件内，所述冷却流道用于通入冷却液，以冷...

本申请提供一种深孔填充方法、半导体器件的制备方法及半导体工艺设备，该深孔填充方法包括：将设置有深孔的半导体结构置于工艺腔室的内部；向工艺腔室的内部通入辅助气体；在半导体结构设置有深孔的一侧表面上溅射沉积热铝至完全填充深孔；辅助气体用于提...

本发明提供一种上电极装置及半导体工艺设备，上电极装置包括屏蔽壳体、第一线圈、第二线圈、接地组件和多个连接部件，接地组件和多个连接部件均设置在屏蔽壳体内，多个连接部件均用于与设置在屏蔽壳体外的匹配部件电连接；第一线圈环绕在第二线圈的周围，...

本发明提供一种半导体工艺腔室以及排液方法。其中，半导体工艺腔室包括设置于腔室主体外壁上的第一控温主体；第一控温主体中具有用于供热交换液流动的控温通道，且控温通道具有多条第一管段和第二管段，第一管段的两端分别与高于其端部的管段连接，第二管...