本申请提出一种限位结构、晶圆干燥装置及晶圆干燥方法。限位结构包括支架、第一卡齿组、第二卡齿组和第一驱动组件；支架包括主梁及分别连接于主梁两端的第一支撑梁和第二支撑梁；第一卡齿组和第二卡齿组设于主梁的相对两侧；第一驱动组件与第一支撑梁和/...

本发明提供一种晶舟及半导体工艺设备。晶舟包括在晶舟的周向上间隔设置的多个支撑组件，每个支撑组件均包括：多个支撑柱，沿晶舟的周向间隔设置，且每个支撑柱均沿平行于晶舟轴向的方向设置；多个支撑件，沿平行于晶舟轴向的方向间隔排布；每个支撑件包括...

本申请公开一种半导体工艺设备，属于半导体加工技术领域。所公开的半导体工艺设备包括炉管和炉门，所述炉管的端部设有开口，所述炉门包括内炉门和外炉门，所述内炉门和所述外炉门之间形成第一空腔；在进行工艺时，所述内炉门封堵所述开口，且所述第一空腔...

本发明公开了一种籽晶层的制备方法、金属互连工艺方法及半导体工艺设备，该籽晶层的制备方法包括：在表面具有通孔和沟槽的衬底上沉积金属籽晶层，当通孔和沟槽的开口减小至金属离子无法进入通孔和沟槽内时，停止沉积金属籽晶层；对衬底表面进行氧化处理，...

本发明公开一种流量检测方法、流体泵及槽式半导体清洗设备，其中，流量检测方法应用于流体泵，流体泵包括泵壳以及设于泵壳内的两个可变容积腔室和阀门装置；泵壳具有出口和进口；两个可变容积腔室通过阀门装置均与出口和进口连通；两个可变容积腔室交替变...

本申请公开一种半导体工艺设备，属于半导体加工技术领域，半导体工艺设备包括腔体、门体、进气管和阻挡组件，其中，门体可与腔体密封连接，且围成工艺腔，工艺腔用以容纳晶舟，进气管和阻挡组件均设置于腔体之内，且进气管的开口朝向门体；在腔体的轴向上...

本发明公开一种半导体热处理设备，所公开的半导体热处理设备包括工艺内管、工艺外管、安装座、进气结构和排气结构；工艺内管的第一端和工艺内管的第二端均为开口，工艺内管限定的区域形成有反应空间；工艺外管的第一端为开口结构，工艺外管的第二端为封闭...

本申请公开了一种金属层刻蚀方法及半导体工艺设备，涉及半导体工艺及装备领域。一种金属层刻蚀方法包括：执行第一刻蚀步，向反应腔室内通入第一刻蚀气体，用以刻蚀所述金属层，所述金属层下方设置有氮化物层，且所述氮化物层与所述金属层相接触；检测CN...

本发明提供一种溅射方法，包括以下步骤：S1，向反应腔室中通入工艺气体；S2，开启溅射电源，且将加载至靶材的溅射电源的输出功率调节至第一溅射功率值，以启辉形成等离子体；S3，将输出功率按第一预设规则提高至第二溅射功率值，以在基片上沉积薄膜...

本申请公开一种机械手和半导体传输设备，所公开的机械手包括机械手本体和吹气装置，机械手本体设有承托面和气体流通空间，承托面可用于承托待承载物，气体流通空间位于承托于承托面上的待承载物的下方；吹气装置设置在机械手本体，吹气装置具有吹气口，吹...

本发明提供一种引线支撑结构及扩散炉，引线支撑结构用于扩散炉，所述引线支撑结构包括：转接件，用于设置在所述扩散炉的炉体外部并连接在引线与电源线之间，以使所述电源线与所述引线电导通；支撑组件，用于连接所述炉体的外周壁，所述支撑组件与所述转接...

本公开提供一种排流装置、晶圆清洗设备及排流装置的控制方法。排流装置包括：回收容器；第一流体管路，其一端用于与所述晶圆清洗设备的清洗腔室的排流口连通，另一端与所述回收容器的进流口连通；第二流体管路，其一端用于与所述清洗腔室的排流口连通，另...

本申请公开了一种半导体工艺设备及其日志处理方法和存储介质。其中，该方法包括：记录半导体工艺设备的日志数据，所述日志数据中包括工艺参数数据和日志信息；对所述工艺参数数据进行数据分析，得到数据分析结果；对需要显示的所述日志信息，进行窗口显示...

本说明书实施例提供了一种脉冲电源的通信控制方法，通过脉冲电源的控制器，监控模数转换器的目标引脚感应的噪声信号以及控制模块的中断信息，基于监控的噪声信号得到噪声信息，并基于噪声信息和中断信息，得到噪声等级，最后基于噪声等级，配置控制模块的...

本申请公开了一种晶圆的定位方法及半导体工艺设备，涉及半导体领域。一种晶圆的定位方法，应用于边缘刻蚀腔室，所述定位方法包括：根据所述晶圆的采样圆上多个采样点的刻蚀速率，获取当前的刻蚀均匀性参数值，并确定欲纠偏方向；根据刻蚀均匀性参数目标值...

本发明提供了真空规调零方法及半导体设备；其中，该方法包括：当半导体设备获取到工艺任务时，若根据真空规的调零标识信息和预设标识信息判断真空规需要调零，则获取观测值集合和参考值集合，并根据观测值集合和参考值集合生成真空规的调零曲线，以便基于...

本发明提供一种位置校准装置及半导体工艺设备，位置校准装置包括设置于半导体工艺设备的工艺腔室内的第一光幕组件；第一光幕组件包括位于第一平面的第一光幕发射端、第一光幕接收端、第二光幕发射端和第二光幕接收端，第一光幕发射端用于向工艺腔室内的工...

本发明提供一种半导体热处理设备及其工艺腔室。工艺腔室包括加热件和介质窗，加热件设置于介质窗的外侧，用于透过介质窗向介质窗的内侧辐射光波；其中，介质窗上沿其厚度方向依次设置有增反膜和增透膜，增反膜用于增加波长位于第一波长范围内的第一光波的...

本申请公开一种工艺舟和半导体工艺设备，工艺舟包括顶板、底板和承载部，所述承载部的一端固定连接于所述顶板，所述承载部的另一端固定连接于所述底板；所述承载部的一侧连接有承载台，所述承载台的上表面包括避让面和承载面，所述承载面用以承载晶圆，且...

本申请公开一种半导体载具和真空负载腔室，半导体载具包括支撑组件，所述支撑组件包括多个沿晶圆的周向间隔设置的支撑件，各所述支撑件均包括换热板和承托部，各所述换热板可安装于腔体，且各所述承托部均凸出设置于所述换热板的一侧表面，多个所述承托部...