本申请公开了一种时间预测方法及半导体工艺设备。其中，该方法包括：获得当前实时状态下调度任务中每个晶圆的剩余加工总时间；获得当前实时状态下调度任务中每个处理模块的必要空闲时间；根据所述每个晶圆的剩余加工总时间和所述每个处理模块的必要空闲时...

本申请公开了一种半导体腔室，涉及半导体领域。一种半导体腔室，包括腔体、承载装置、内衬装置、第一线圈组件和加热装置；所述承载装置、所述内衬装置及所述加热装置均设于所述腔体内；所述第一线圈组件用于在所述腔体内产生等离子体；所述内衬装置围设于...

本发明公开了一种工艺腔室尾气管路清洁装置、方法及半导体工艺设备，该装置包括：供气机构，供气机构被配置为与尾气管路连通，供气机构用于：向尾气管路内通入稀释气体和第一工艺气体，以使第一工艺气体与沉积在尾气管路内的副产物反应生成可被稀释气体携...

本发明提供一种加热器、半导体热处理设备及定位辅助件，加热器包括沿竖直方向叠设的多个隔热支撑环；各隔热支撑环均包括环形本体及定位件，环形本体顶部及底部分别凸设有第一凸台和第二凸台，第一凸台的外径小于第二凸台的内径。环形本体上方的定位件具有...

本申请公开了一种冷却控制装置、端盖组件及半导体处理设备，冷却控制装置包括同轴套设连接的阀管和芯轴；芯轴与阀管之间在两端分别形成有第一气腔和第二气腔；芯轴与阀管之间在周向面上形成有靠近第一气腔一侧的第一环形腔，以及靠近第二气腔一侧的第二环...

本发明提供一种尾气捕捉装置以及半导体工艺设备。其中，尾气捕捉装置包括处理腔室，处理腔室的腔室壁上开设有第一进气口、第二进气口和出气口；第一进气口用于与半导体工艺设备的反应腔室的排气口连通，以使尾气进入处理腔室内部；尾气中包含第一反应气体...

本发明提供一种半导体工艺腔室及药液喷淋臂的位置检测方法，半导体工艺腔室包括腔体、药液喷淋臂和卡盘，药液喷淋臂和卡盘均设置在腔体中，药液喷淋臂用于向卡盘承载的晶圆上喷淋药液，半导体工艺腔室还包括测量结构和多个测距传感器，测量结构固定设置在...

本申请公开了一种流量控制方法、控制装置、存储介质及半导体处理设备，流量控制方法包括：第二开关阀导通，第一开关阀断开，检测流量控制器设定为第一当前预设目标流量时气体管路中预设气体的第一实际流量；第二开关阀断开，第一开关阀导通，检测流量控制...

本发明提供一种射频阻抗匹配系统以及半导体工艺设备；包括：两个具有三个端口的定向器和回波吸收器，其中第一定向器和第二定向器的第一端分别用于与第一射频源和第二射频源的输出端电连接，第一射频源与第二射频源输出的射频入射信号频率不同；第一定向器...

本发明提供了一种半导体热处理设备及其温度控制方法，该设备包括：线圈、腔室、第一温度传感器、第二温度传感器和温度控制器；线圈环绕腔室设置并为腔室提供热场，腔室上设置有相对于中心原点对称的第一测温孔和第二测温孔；第一温度传感器用于通过第一测...

本发明涉及等离子体领域，公开了一种检测装置及检测方法、半导体工艺腔室。检测装置包括：传导电流检测单元，与半导体工艺腔室的聚焦环接触，用于检测聚焦环内是否存在传导电流；以及启辉状态确定单元，用于根据传导电流检测单元的检测结果，确定半导体工...

本申请实施例提供了一种工艺腔室及半导体工艺设备、灯管拆装工具及拆装方法，其中，所述工艺腔室包括：腔体、灯管、第一支座和第二支座；所述腔体包括间隔设置的第一侧板和第二侧板，所述第一侧板设有第一安装孔，所述第二侧板设有与所述第一安装孔相对的...

本发明提供一种导电陶瓷加热基座及其制备方法，制备方法包括将氧化钇粉末、氧化钛粉末和溶剂进行研磨混合，之后依次经过球料分离和过筛，得到混合浆料；其中，氧化钇粉末与氧化钛粉末的重量比大于或等于5；对混合浆料进行烘干、造粒，形成造粒粉体混合物...

本申请提供一种半导体清洗设备及其排风装置，排风装置包括排风管路和压力调节机构，其中，排风管路用于与半导体清洗设备的药液收集机构相连，用于半导体清洗设备排风；压力调节机构包括阻尼部和驱动部，阻尼部呈板状，并设置在排风管路中，驱动部固定在排...

本申请公开了一种控制电路和一种半导体工艺设备，属于半导体技术领域。所述控制电路，用于控制静电卡盘上加载的吸附电压，所述控制电路包括电源模块，电流监检测单元和控制单元；所述电源模块用于与所述静电卡盘的吸附电极连接，所述电流监测单元监测所述...

本发明实施例提供一种用于传输物料的方法、半导体工艺设备及存储介质，属于半导体技术领域。该方法包括针对待执行任务，基于待传输的物料的装载优先级，生成移动序列集合；以及针对移动序列集合中的任一移动序列，基于移动序列的序列类型和机械手的工作模...

本申请公开一种输送系统和扩散炉，属于半导体加工技术领域。输送系统中，进气组件沿扩散炉的工艺腔室的轴向延伸，且与工艺腔室连通；进气组件中，第二进气管套设于第一进气管之外，且第二进气管与第一进气管之间形成输送间隙；第一进气管的出气端和第二进...

本申请公开一种半导体工艺设备及腔室压力调节方法，半导体设备包括传输腔，与传输腔连通的抽气管路，位于传输腔内的多个移动腔以及位于传输腔上方、且与各移动腔一一对应的工艺腔；工艺设备还包括：与传输腔对应的第一压力传感器、与各工艺腔一一对应的第...

本申请公开了一种工艺门移动装置及半导体工艺设备，涉及半导体制备技术领域，所公开的工艺门移动装置包括箱体和移动机构，移动机构包括支撑部和移动部，支撑部设置在箱体中，移动部与支撑部滑动连接，箱体的侧壁设有缺口，移动部可沿缺口的长度延伸方向移...

本申请公开了一种射频电源的功率调节方法及半导体工艺设备。其中，该方法包括：在多站位腔室执行工艺配方时，获取各有晶圆的站位的实际负载功率；获取与所述工艺配方和各所述有晶圆的站位对应的标准负载功率；根据各所述有晶圆的站位的所述实际负载功率和...