本技术提供一种温度调节装置及半导体工艺设备。温度调节装置包括：保温结构，所述保温结构用于套设在所述反应腔室与所述点火腔室间的管路结构上；加热组件，所述加热组件设置在所述保温结构内部，用于对所述管路结构加热；检测装置，所述检测装置用于检测...

本申请公开了一种半导体工艺设备，涉及光伏、半导体领域。一种半导体工艺设备，包括：承载舟和射频隔离装置；所述承载舟包括分别作为射频电极板或接地电极板的多个加热板，所述加热板设有加热件，所述加热件的一端相对于所述加热板引出，所述加热件包括金...

本发明公开一种工艺腔室、载片板机械手和载片板暂存装置，所述工艺腔室包括腔室本体、升降机构和设于腔室本体内的加热器，加热器包括间隔分布的多层加热板，加热板用于加热其承载的携带有硅片的载片板；加热板设有避让结构；升降机构包括设于腔室本体内的...

本发明公开一种半导体工艺设备，其包括腔室模组(100)、传输装置(200)和控制器，腔室模组(100)包括依次对硅片进行工艺的第一工艺腔室(101)、第二工艺腔室(102)、第三工艺腔室(103)和第四工艺腔室(104)，第四工艺腔室(...

本申请公开一种工艺腔室和半导体工艺设备，工艺腔室中，内衬、承载件和弹性套筒均设置于腔体之内，内衬环绕承载件设置，且内衬的顶端具有沿径向向内延伸的环形凸缘；腔体的侧壁设有传片口，且内衬与传片口对应的区域具有开口；承载件与腔体在腔体的轴向上...

本申请公开了一种聚焦环、工艺腔室及半导体工艺设备，涉及半导体领域。一种聚焦环，包括：环本体和扇形的调节件；所述环本体沿自身轴线的一端设有环形表面，所述调节件设于所述环形表面，并在轴线方向上凸出于所述环形表面；所述调节件的圆心角小于180...

本申请公开了一种晶片的传输装置、晶片的暂存机构及半导体工艺设备，涉及光伏、半导体领域。一种晶片的传输装置，包括：第一传输机构、多个第二传输机构、多个回传机构和第一移载机构；所述第一传输机构用于在第一方向上传输晶片；多个所述第二传输机构沿...

本申请公开一种半导体清洗设备及其补液装置，属于半导体清洗技术领域。补液装置包括储液装置、补液管路、供气管路、控制装置和压力检测元件，储液装置设有出液口和进气口，补液管路的第一端与出液口连通，补液管路的第二端用于连通工艺槽，供气管路与进气...

本技术提供了环形件、晶圆承载基座、承载组件和工艺腔室，涉及半导体加工技术领域，以缓解现有晶圆背面容易被氢气刻蚀的问题。环形件用于与晶圆承载基座配合，环形件的底部用于与晶圆承载基座对应贴合的轴向延伸周面和径向延伸端面的总数量大于或等于四个...

本申请公开一种晶圆承载装置和半导体工艺设备，涉及半导体技术领域。所述晶圆承载装置用于去除晶圆表面残留的腐蚀性气体，所述晶圆承载装置包括装置主体、活动门和用于承载晶圆的承载件，所述活动门与所述装置主体活动连接，所述承载件设置于所述装置主体...

本申请公开了一种承载舟及半导体工艺设备，涉及光伏、半导体领域。一种承载舟，包括：支撑组件和多个加热板；所述多个加热板层叠设置于所述支撑组件，且相邻两个所述加热板之间具有容纳空间；所述多个加热板包括至少一个射频电极板和至少一个接地电极板，...

本申请涉及一种日志分析方法、日志分析设备及半导体工艺设备，日志分析方法包括：响应于针对至少一种业务场景提供的日志分析指令，从预先构建的多个日志模型中，获取与各业务场景一一对应的各日志模式，日志模式用于表征多个日志模型中，位于同一业务场景...

本申请公开一种半导体工艺设备及其密封门机构，属于半导体技术领域。密封门机构用于密封半导体工艺设备的工艺腔室的第一开口，密封门机构包括密封盘、密封件以及隔离垫，密封盘用于封闭工艺腔室的第一开口，隔热板设置于密封盘的上表面，密封盘与隔热板之...

本发明提供一种承载装置，用于在半导体工艺腔室中承载晶圆。承载装置包括：承载本体，包括用于承载晶圆的承载面，承载本体设置有第一气体通孔，第一气体通孔用于将背吹气体传输至承载面与置于承载面上的晶圆之间；堵塞件，堵塞件可相对于承载本体作升降运...

本发明提供一种晶舟结构、半导体热处理设备及其控制方法。其中，晶舟结构包括：固定支架，具有固定支撑部；调节机构，设置在固定支架上，调节机构具有多个可移动的辅助支撑部，调节机构具有第一状态和第二状态，在调节机构处于第一状态，至少两个辅助支撑...

本发明公开一种冷却装置、冷却腔室和半导体工艺设备，所公开的冷却装置，用于半导体工艺设备，所述冷却装置包括支撑架、多个冷却盘和多个顶针组件，所述多个冷却盘间隔的设于所述支撑架，所述冷却盘开设有避让通孔，所述顶针组件与所述冷却盘一一对应设置...

本申请公开一种承载组件及其控制方法和半导体工艺设备，承载组件包括基座和至少三个顶持机构，所述基座和至少三个所述顶持机构分别用于支撑待加工件，所述基座设有多个贯穿孔，各所述顶持机构均包括顶持件，且多个所述顶持件可一一对应地穿设于多个所述贯...

本发明提供一种晶圆上光刻胶的去除方法及半导体工艺设备，去除离子注入后的光刻胶的工艺过程中，获取腔室中特定元素产生的发射光在不同采样时刻对应的光谱强度；根据相邻两个采样时刻对应的光谱强度，确定各采样时刻的光谱强度的变化特征量；在当前采样时...

本技术提供一种托盘组件、承载装置及半导体工艺设备，托盘组件包括托盘和压环；压环压盖在托盘上，压环在托盘的顶面的正投影与托盘的顶面的周向边缘区域存在重合，压环的内周面与托盘的上表面共同围成安装空间；托盘的上表面上凸出设置有多个支撑凸部，所...

本技术提供一种承载装置，包括承载本体、限位环体和取片部件，其中，承载本体具有承载面，并设置有相对于承载面下凹的容纳结构，承载面具有承载区域和取片区域，承载区域用于承载晶片，取片区域位于承载区域外，容纳结构包括相互连通的第一容纳槽和第二容...