本申请公开了一种沟槽刻蚀方法及半导体器件，沟槽刻蚀方法包括：在待刻蚀膜层的表面形成多个阻挡层，以形成图案化掩膜，其中，相邻的两个阻挡层具有预设间距，预设间距大于沟槽目标宽度；在阻挡层的顶部附近沉积聚合物薄膜，以使相邻的两个聚合物薄膜之间...

本发明提供一种离子能量控制系统以及控制方法，离子能量控制系统用于向偏压电极输出预设波形的电压，离子能量控制系统包括：波形生成电路，波形生成电路生成预设波形的电压；振荡抑制电路，波形生成电路的输出端与振荡抑制电路的第一端电连接，振荡抑制电...

本技术提供一种承载装置及半导体加工设备，该承载装置包括基座本体，基座本体承载晶圆所在平面为基准面，基座本体具有低于基准面的第一表面和第二表面，第一表面靠近基座本体的边缘，第二表面位于基座本体的中心区域，基座本体还具有位于第一表面和第二表...

本发明提供一种下电极装置、半导体工艺控制方法及半导体工艺设备，下电极装置包括承载部件、聚焦环和控制电源，承载部件用于承载晶圆，并用于与射频源电连接，射频源用于向承载部件加载射频，使承载部件产生自偏压，聚焦环环绕承载部件设置，并能够环绕在...

本发明公开了一种静电卡盘电源和半导体工艺设备，包括信号发生模块、开关模块、升压模块和整流模块，信号发生模块产生脉冲信号，开关模块在脉冲信号的控制下产生第一电压信号，升压模块将第一电压信号升压为第二电压信号，整流模块将第二电压信号整流成用...

本申请公开了一种电流阻挡层的制备方法及LED芯片，制备方法包括：以SiH<subgt;4</subgt;、N<subgt;2</subgt;O和N<subgt;2</subgt;作为反应气体，采用第一...

本发明提供一种升降装置，其包括可升降地安装于晶圆卡盘中的顶针组件，顶针组件具有外顶针和内顶针，内顶针与外顶针弹性连接，内顶针用于接地；外顶针具有抵接端，内顶针具有接触端；顶针组件具有第一状态和第二状态，在顶针组件的第一状态，接触端相对于...

本申请公开了一种静电卡盘及半导体工艺设备，涉及半导体制备技术领域，所公开的静电卡盘包括基座、承载盘、冷却部件和温度调节组件，承载盘盖设在基座的开口端，且与基座围成容纳腔，承载盘的内部设有加热件。冷却部件设置在容纳腔中，承载盘与所述冷却部...

本申请提供了一种半导体工艺设备的测试方法及上位机，该方法基于工艺路径集创建目标工艺任务，并基于目标工艺任务的执行结果更新半导体工艺设备的测试结果，其中，工艺路径集中的工艺路径是与预设存储单元中的工艺路径同步更新的，从而能够实现工艺路径集...

本发明提供一种冷却装置、传输腔室及半导体设备，冷却装置用于对半导体设备中的晶圆进行冷却，冷却装置包括输气组件、支撑组件和送气组件；输气组件与送气组件连通，并能够与冷却气体的气源连通，输气组件用于向送气组件输送冷却气体；送气组件呈一侧具有...

本发明公开了一种晶体管的制作方法和半导体工艺设备，包括：对具有图形化的掩膜层的目标器件进行刻蚀以形成凹槽，该目标器件用于制成晶体管；对该掩膜层进行表面刻蚀，该表面刻蚀用于去除该掩膜层表面在刻蚀的过程中形成的电荷积累层；对目标器件进行离子...

本申请提供一种半导体工艺设备及其电极引入装置，电极引入装置应用于半导体工艺设备，包括第二支撑组件和电极引入组件，第二支撑组件用于固定在半导体工艺设备中两个相邻的加工工位之间，加工工位用于放置晶舟；电极引入组件设置在第二支撑组件上，电极引...

本发明提供一种工艺腔室的洁净度检测方法和工艺腔室，工艺腔室包括腔体和至少一个晶振，晶振固定设置在腔体上且晶振具有朝向腔体内部的沉积检测面，工艺腔室的洁净度检测方法包括：检测晶振的当前固有频率；根据晶振的当前固有频率确定对应的腔体内壁上的...

本申请公开了一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，涉及半导体领域。一种半导体工艺腔室包括：腔体、承载组件和连接组件；承载组件包括多个第一承载件和多个第二承载件，其中一个第一承载件与相邻的第二承载件相互间隔形成工艺空间，第一承载件设有多个馈...

本申请提供了一种波纹管组件及半导体工艺设备，其中，波纹管组件适用于包括腔室主体和提升机构的半导体工艺设备，其包括波纹管本体和吹扫组件，波纹管本体包括第一连接端和第二连接端，第一连接端密封连接腔室主体，第二连接端密封连接于提升机构的升降台...

本申请提供一种半导体设备的工艺腔室，包括工艺腔体、基座、防护内衬以及接地装置；基座可升降地设置于工艺腔体内，用于支撑晶片，防护内衬围绕工艺腔体的内侧壁设置，用于保护工艺腔体的内侧壁，接地装置包括第一连接件、第二连接件和连接弹簧，第一连接...

本发明提供一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，半导体工艺腔室包括内部具有多个反应区域的外腔体，每一反应区域设有反应腔体、承载装置和密封组件；反应腔体底端具有开口；承载装置包括可升降的支撑轴和用于承载晶圆的承载部，支撑轴设在承载部底部，用...

本发明提供了晶圆承载装置温度控制方法及半导体工艺设备；其中，该方法包括：当工艺腔室执行工艺任务时，获取晶圆承载装置的第一温度；若第一温度满足预设波动条件，控制工艺腔室按照温度控制模式执行工艺任务；在温度控制模式中，根据第二温度、加热温度...

本发明提供一种进气装置及半导体设备。其中，进气装置包括匀流结构和气体分配结构；匀流结构包括多个环形匀流腔以及与各环形匀流腔对应连通的多个进气管道；各环形匀流腔在径向上的外环侧面具有均匀分布的多个第一出气孔；气体分配结构包括与环形匀流腔同...

本发明提供了温度检测方法、加热功率控制方法及半导体设备；其中，温度检测方法包括：获取当前测温值和参考支撑叉的当前旋转位置，并根据当前旋转位置和支撑叉的数量确定当前光路夹角；根据当前光路夹角和当前测温值以及当前旋转位置计算得到温度修正系数...