本发明提供一种半导体设备，包括腔体、位于腔体内的第一加热件、第二加热件和环形的侧隔热壁；腔体包括腔壁、上盖和下盖，腔体内用于容置待加热件；侧隔热壁固定于腔壁的内壁，且围绕第一加热件和第二加热件设置；第一加热件和第二加热件沿待加热件轴向绝...

本发明提供一种承载装置、工艺腔室及半导体工艺设备，承载装置包括：承载组件、连接轴、光源和至少一个光动石墨烯，连接轴沿竖直方向延伸，连接轴的顶端与承载组件固定连接；光源用于发出光线；至少一个光动石墨烯固定设置在连接轴的外表面上，至少一个光...

本申请公开一种光固化装置及其控制方法、半导体工艺设备，所公开的光固化装置包括驱动机构(10)、光源装置(20)、第一感应部(30)和控制器(40)，光源装置(20)与驱动机构(10)相连，控制器(40)与驱动机构(10)相连，控制器(4...

本发明提供一种离子束阻挡装置及半导体工艺设备，该离子束阻挡装置包括沿离子运动方向依次设置，且彼此电绝缘的离子筛选件和离子收集件；离子筛选件和离子收集件之间形成封闭空间，离子筛选件具有多个用于供离子通过的筛选孔，筛选孔与封闭空间连通；在离...

本申请提供了一种形成沟槽的方法及半导体工艺设备，该方法包括：执行第一刻蚀步，对晶圆的待刻蚀膜层向下刻蚀至预定深度以形成沟槽，预定深度小于沟槽的目标深度；交替循环执行第一沉积步和第二刻蚀步，将沟槽的底角修饰为圆角；其中，在每轮循环中，执行...

本申请公开了一种软件维护方法及半导体工艺设备。其中，该方法包括：获取配置文件，所述配置文件中包括半导体工艺设备的硬件模块配置信息、输入输出配置信息和指令配置信息，所述硬件模块配置信息中包括硬件模块对应的界面模板的标识；加载与所述界面模板...

本说明书实施例提供了一种半导体工艺设备，该设备包括工艺腔室，循环吹扫装置以及腔室通风装置；其中，腔室通风装置包括进气组件和排气组件；充气组件用于向工艺腔室内通入第一吹扫气体；进气组件用于向工艺腔室内通入第二吹扫气体；第一吹扫气体与第二吹...

本申请公开了一种半导体工艺设备的控制方法及半导体工艺设备。其中，该方法包括：在关联多个工艺路径的工艺任务启动后，将工艺任务按照多个工艺路径划分为多个串行执行的子任务；依次启动多个串行执行的子任务，并在每个子任务启动后，将腔室预热动作下发...

本申请公开一种工艺腔室及半导体工艺设备，所公开的工艺腔室包括腔室本体和承载装置；腔室本体具有内腔、排气孔、进气孔和第一补气孔，排气孔、进气孔和第一补气孔分别与内腔连通；承载装置设于内腔中，用于沿着支撑方向支撑晶圆，排气孔和进气孔分别分布...

本发明公开一种密封门组件、传输腔室和半导体工艺设备，所公开的密封门组件包括门板、导轨和连接组件，所述连接组件包括第一衬套、第二衬套和滑块，所述第二衬套套设于所述第一衬套之外，且所述第二衬套的内表面与所述第一衬套的外表面球面配合，所述第二...

本发明公开了一种腔室异常处理方法和半导体工艺设备，包括：获取任一酸槽腔室和水槽腔室的状态，若任一目标器件所处的酸槽腔室的状态是异常状态，且该目标器件在该酸槽腔室内的溶液中的浸泡时长大于该酸槽腔室的允许浸泡时长，则执行目标器件保护操作，该...

本申请涉及一种调度方法、调度设备及半导体工艺设备，调度方法包括：获取可用工艺腔室资源；可用工艺腔室资源包括预释放工艺腔室；预释放工艺腔室的获取过程包括：若检测到当前生产任务的最后一片晶圆出片，则将被当前生产任务占用的工艺腔室释放，以得到...

本申请涉及一种调度方法、调度设备及半导体工艺设备，调度方法包括：基于工艺对象的第一调度序列，检测是否存在目标酸工艺槽；响应于存在目标酸工艺槽，对第一调度序列的启动时间延迟一延迟时长，以使基于延迟后的第一调度序列对工艺对象进行调度时，目标...

本申请公开了一种匀流结构、工艺腔室及半导体工艺设备，匀流结构包括：隔环；进气匀流板，设置于隔环沿轴向的一端面，进气匀流板上设置有进气匀流孔；出气匀流板，设置于隔环沿轴向的另一端面，并与隔环、进气匀流板围成第一匀流腔，出气匀流板上设置有多...

本发明提供一种承载装置以及半导体加工设备，承载装置包括固定部件以及设置于固定部件上方的可旋转的旋动部件，固定部件包括第一连接面，旋动部件包括用于承载晶圆的承载面，和背离承载面的第二连接面，第一连接面与第二连接面贴合设置；固定部件包括固定...

本申请公开一种清洁终点的检测方法及半导体工艺设备，其中检测方法包括：在工艺腔室执行原子层沉积工艺之前形成覆盖所述工艺腔室内部整个表面的信号膜层；在所述工艺腔室达到清洗条件时，向所述工艺腔室通入清洁气体，以执行清洁工艺，生成清洁后的反应气...

本申请公开了一种冷凝结构、排气装置及半导体工艺设备，冷凝结构包括：冷凝腔室；隔板，设置在所述冷凝腔室内，将所述冷凝腔室的内部空间分隔为第一空间和第二空间，所述第一空间和所述第二空间设有连通通道；所述冷凝腔室上设有与所述第一空间连通的进气...

本发明提供一种进气装置及半导体工艺设备。其中，进气装置包括进气主体和扰动气体结构；进气主体内部设置有相互隔离的第一气体通道和第二气体通道，第一气体通道和第二气体通道分别用于向反应腔室中通入第一反应气体和第二反应气体；扰动气体结构设置于进...

本发明提供一种半导体工艺设备的工艺尾气分离装置，用于分离半导体工艺设备的工艺腔室排出的工艺尾气中的非气态副产物，工艺尾气分离装置包括：冷凝组件，其包括冷凝器，冷凝器用于对工艺尾气进行冷凝处理，以使工艺尾气冷凝后分离出非气态副产物；其中，...

本申请公开了一种下电极组件及半导体工艺腔室，属于半导体加工技术领域。下电极组件设置于半导体工艺腔室的腔室主体内，下电极组件包括基座、至少两个转接部和至少两个滤波器，基座设置有加热层，加热层包括至少两个加热区，至少两个转接部与至少两个加热...