本申请公开一种压力检测装置，其包括薄膜压力传感器、检测电路、测温器和处理器，薄膜压力传感器包括应变薄膜、处理电路和设于应变薄膜的应变电阻片，应变电阻片的电阻的变化与应变薄膜的应变相关，处理电路用于依据应变电阻片的电阻变化量确定待测环境的...

本申请公开了一种加热装置及半导体处理设备，加热装置位于基座的一侧，具有中心区域和多个环形区域；每一环形区域包括沿环形区域周向均匀设置的多个加热灯和位于多个加热灯远离基座一侧的环形反射板；每一环形区域，加热装置还包括位于环形区域靠近中心区...

本申请公开了一种半导体工艺设备及其晶圆位置获取、校准装置和方法，属于半导体工艺技术。该晶圆位置获取装置包括：承载基座，包括晶圆承载面，晶圆承载面用于承载晶圆；光发射组件，位于晶圆承载面的正上方，用于向晶圆承载面上的晶圆发出环形光束，使得...

本申请公开了一种升降针装置、半导体工艺设备及压力控制方法，涉及半导体领域。一种升降针装置，包括：用于升降晶圆的顶针组件，以及输气组件；所述顶针组件具有气道，所述气道的第一端用于与晶圆接触，所述气道的第二端与所述输气组件的输气端连接，所述...

本申请提供一种控制阀、半导体工艺设备的排气装置及半导体工艺设备，控制阀包括阀体和阀芯组件，其中，阀体具有过流腔、供流体进入过流腔的进流口以及供流体流出过流腔的出流口；阀芯组件包括调节部、弹性连接部和稳压部，调节部可移动地设置在过流腔中，...

本申请公开一种金属刻蚀设备的清洗方法，所述金属刻蚀设备包括工艺腔室和安装于工艺腔室内的承载件，所述承载件设有至少一个氦气孔，各所述氦气孔均通过连通管路分别与吹扫气源连通；所述清洗方法包括：向所述工艺腔室通入清洗气体，且控制所述吹扫气源经...

本申请公开一种晶边刻蚀机及其控制方法，其中，晶边刻蚀机包括工艺腔室、驱动机构、检测装置以及设于工艺腔室内的承载装置和遮挡盘，承载装置用于承载晶圆，遮挡盘与承载装置相对设置，且用于遮盖晶圆的中心区域并使晶圆的预设宽度的环形边缘外露，环形边...

本发明公开了一种上电极装置及半导体工艺设备，上电极装置包括：进气结构，贯穿腔室盖板设置，并与腔室盖板活动密封连接，用于向工艺腔内通入工艺气体；第一调节机构，包括至少一个第一位移导向组件，第一位移导向组件与进气结构的位于腔室本体外的一端连...

本发明提供了一种沉积钨塞工艺方法及半导体器件，涉及半导体技术领域，该沉积钨塞工艺方法包括：向反应腔室交替通入含氟钨气体和含氢气体进行原子层沉积反应，形成含氟钨膜；向反应腔室同时通入含氟钨气体和含氢气体进行气相沉积反应，形成块钨层；其中，...

本发明实施例提供了一种射频功率合成装置及其应用设备，涉及半导体技术领域，包括：功率合成模块与多个射频电源的功放模块连接，用于接收多个所述功放模块输出的射频功率，并将多个所述射频功率合成为输入射频信号；阻抗变换模块与所述功率合成模块输出端...

本申请提供了一种调节机构、半导体工艺设备，包括：安装法兰，固定设置于反应腔室；移动法兰，设置在安装法兰上并连接气体喷淋头；锁固件，与安装法兰和移动法兰连接，并能实现安装法兰和移动法兰之间的锁固和解锁；调节件，与安装法兰和移动法兰活动连接...

本发明实施例提供了一种基于目标腔室的任务处理方法及其应用设备；所述方法包括：在所述目标腔室被量产任务占用时，接收用户发送的创建指令，依据所述创建指令创建文本下发任务；启动所述文本下发任务；所述文本下发任务对应有处理优先级；基于所述处理优...

本申请公开一种夹持装置和清洗设备，属于晶圆传输技术领域。所公开的夹持装置包括基板、驱动机构、滑动座、传动组件和夹持组件，驱动机构设于基板，驱动机构与滑动座相连，以驱动滑动座相对于基板移动；夹持组件的第一端可转动地设于基板，夹持组件的第二...

本发明提供一种离子束流均匀度测量装置，包括本体、中心电极、多个边缘电极以及调节组件，本体设置有朝向离子束射入方向的接收面，中心电极固定设置于接收面的中心位置并设置有暴露于接收面上的第一测量端；边缘电极可移动地设置于接收面上，并设置有能够...

本发明实施例提供了一种半导体工艺设备；包括：抽气组件用于对工艺腔室进行抽真空；压力检测器用于检测工艺腔室内压力；进气管路包括一条进腔管路和与进腔管路连接的至少一条气体管路，进腔管路的出气端与工艺腔室连接，进气端与各条气体管路连接；各条气...

本发明提供一种工艺腔室，其中，工艺腔室包括第一腔体、设置在第一腔体中的基座和设置在第一腔体外部的加热组件；加热组件包括：安装件，具有朝向基座的第一表面；多个卡接部，设置于第一表面上的不同位置处；多个加热灯，其数量少于卡接部的数量，每个加...

本申请实施例提供了一种介质窗及半导体工艺腔室，涉及半导体工艺技术领域，其中，所述介质窗应用于半导体工艺腔室，所述介质窗的底面具有凹面区，所述凹面区的表面朝靠近所述介质窗的顶面的方向凹陷，所述凹面区位于所述介质窗的底面靠中心的区域。

本申请公开了一种承载装置及半导体工艺设备的工艺腔室，涉及半导体领域。一种承载装置，应用于半导体工艺设备的工艺腔室，承载装置包括：承载座、多个升降件和多个限位件；承载座设有多个第一通孔和多个第二通孔，多个第一通孔和多个第二通孔分别沿承载座...

本技术提供了一种预热装置及半导体工艺设备，涉及半导体设备技术领域，为解决现有工艺槽的配液和换酸的准备过程需要大量时间，导致产率降低的问题而设计。该预热装置包括预热槽、检测组件和加热元件，预热槽设置有用于盛放工艺溶液的内腔；预热槽开设有溶...

本申请实施例提供了一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，其中，所述半导体工艺腔室包括：腔室外壁，半导体工艺腔室设有等离子放电腔；腔室外壁围设于等离子放电腔外，腔室外壁设有第一穿孔，第一穿孔内设有封堵第一穿孔的第一导光柱，第一导光柱用于透射...