本申请公开一种晶圆定位方法及装置，涉及半导体制造技术领域，晶圆定位方法包括：将晶圆置于晶圆定位装置的预设位置处；控制晶圆绕晶圆定位装置的基准轴线在水平面内转动，并采集晶圆的边缘在周向上的多个采样点的位置信息；根据多个采样点的位置信息确定...

本发明提供一种晶圆承载装置及晶圆吸附和解吸附状态判定方法。晶圆承载装置包括：基座；绝缘层，设置在基座上，绝缘层内设置有吸附电极，绝缘层的上表面用于承载晶圆；电容测量器，分别与基座和晶圆接触，用于测量基座和晶圆之间的电容值，电容值用于判断...

本申请公开一种钝化膜制备方法及半导体器件，其中钝化膜制备方法包括：以第一沉积气体在衬底上沉积第一膜层，所述第一沉积气体包括SiH<subgt;4</subgt;和N<subgt;2</subgt;，所述第一膜层为...

本申请公开了一种传片调度方法及半导体工艺设备。其中，该方法包括：获取待调度的晶圆盒对应的工艺腔室中，两个作业位置的可作业状态；若两个作业位置均为可作业的第一类型工艺腔室的数量为P个，P大于零，则按顺序依次遍历P个腔室，对于每个腔室，控制...

本申请提供了一种工艺腔室清洁方法、半导体刻蚀方法及半导体工艺设备，其中，该清洁方法包括：利用第一等离子体至少刻蚀介质窗内表面上的副产物膜层，并控制第一等离子体对第一区域的副产物膜层的刻蚀速率大于对第二区域的副产物膜层的刻蚀速率；利用第一...

本发明公开了一种离子源中和器、离子收集极和半导体加工设备，离子收集极从电离腔室的第一端如顶部向电离腔室的第二端如底部延伸，且离子收集极包括朝向电离腔室的侧壁凸出的凸起结构，从而可以通过增加凸起结构增大离子收集极的表面积，进而可以增强离子...

本说明书实施例提供了一种断偶风险检测方法，该断偶风险检测方法在第一温度(基于第一热电偶的测量温度值换算的等效于工艺对象温度的温度值)为目标温度时，获取第二温度(基于第二热电偶的测量温度值换算的等效于工艺对象温度的温度值)和/或测量温度对...

本发明提供一种工艺槽装置及半导体工艺设备，该工艺槽装置包括工艺槽体、防护壳体和位置调节结构，其中，防护壳体构成有顶部具有开口的容置空间，工艺槽体至少部分设置于容置空间中；位置调节结构设置于防护壳体背离容置空间的外侧，用于在将防护壳体安装...

本申请提供了一种用于半导体工艺设备的晶片调度序列确定方法及电子设备，所述方法通过获取半导体工艺设备的目标调度模型的当前状态，目标调度模型的状态包括各库所的令牌数以及半导体工艺设备的各工艺腔室中多工位旋转工艺腔室的位置向量，位置向量包括多...

本说明书实施例提供了一种调度方法，该方法在该工艺路径的生成过程中，只有判定未调度晶圆可出片时，才生成未调度晶圆对应的工艺路径，以基于该工艺路径对其进行调度，实现了对未调度晶圆生成工艺路径的节奏控制，降低了在半导体工艺设备的某个设备模块异...

本发明公开了一种半导体结构的刻蚀方法和半导体工艺设备，包括：利用第一刻蚀气体和第一钝化气体对第一沟道区和第二沟道区的基底进行刻蚀以形成沟槽，第一钝化气体用于与第一沟道区的基底反应生成第一副产物，第一副产物用于附着在第一沟道区的基底表面，...

本发明公开了一种形成保护膜的方法、保护膜及半导体工艺设备，所述形成保护膜的方法通过在工艺腔室的内壁沉积第一保护膜，以及在第一保护膜的表面上沉积第二保护膜，第二保护膜的材质与第一保护膜的材质不同，且第二保护膜的致密度大于第一保护膜的致密度...

本申请公开了一种物料调度方法及半导体工艺设备。其中，该方法包括：获取储料器中的填充晶圆盒和填充晶圆盒中的填充晶圆，以及各自的使用次数；将使用次数等于或者小于使用次数阈值的填充晶圆盒中，使用次数小于使用次数阈值的填充晶圆存储至第一变量中；...

本发明提供一种打火检测设备以及方法、半导体工艺设备，其中打火检测设备包括声波采集装置和传输装置：其中，打火检测设备包括声波采集装置和传输装置：其中，声波采集装置设置在工艺腔室内部，用于采集工艺腔室内部的声波信号；传输装置穿设在工艺腔室的...

本发明提供一种排气装置和半导体加工设备，该装置包括：排气主体，排气主体中设置有排气通道，排气通道的进气口用于与被控压件的排气口连通，排气通道的出气口用于与厂务排气端连通；排气通道具有竖直通道段和位于竖直通道段底部的开口部；调节件，相对地...

本发明提供一种氮化铝薄膜的制备方法。采用物理气相沉积设备制备氮化铝薄膜，物理气相沉积设备包括工艺腔室，工艺腔室中设置有基座和位于基座上方的靶材，靶材与激励电源电连接，围绕工艺腔室的侧壁外侧设置有边磁体组件；制备方法包括：开启边磁体组件，...

本发明提供一种工艺腔室，应用于半导体工艺设备。工艺腔室包括：腔体；多个第一离化组件，多个第一离化组件均设置于腔体的上方且与腔体的内部连通，用于分别离化工艺气体并向腔体内部的不同区域通入离化后的等离子体。本发明的工艺腔室能够调节工艺腔室内...

本发明提供一种晶舟及半导体工艺设备，晶舟包括用于承载晶片的多个舟片，多个舟片平行且等间距设置，多个舟片分为多个片区，每个片区均包括多个舟片，不同片区的舟片相互绝缘，每个片区均具有与射频调节组件电连接的连接孔，不同片区的舟片能够通过不同的...

本发明提供一种半导体工艺腔室和半导体工艺方法，半导体工艺腔室包括腔体、位于腔体内的可旋转的主承载盘、多个副承载盘、吹气组件、高度检测装置和控制器；高度检测装置设置在主承载盘上方，且在副承载盘随主承载盘旋转至高度检测装置的下方时，高度检测...

本发明提供一种物理气相沉积设备、物理气相沉积工艺的控制方法和装置、计算机可读介质，包括工艺腔室、阻抗监测装置和控制装置，其中，阻抗监测装置分别与屏蔽组件和控制装置电连接，用于检测屏蔽组件的对地阻抗信息，并向控制装置发送；控制装置用于根据...