本申请公开一种射频功率监测方法、半导体工艺腔室及设备，方法包括：在射频功率开始输出时，获取射频功率处于异常范围的持续时间；若持续时间小于或等于第一阈值，则清除持续时间，否则获取此次处于异常范围的第一时长；若第一时长小于第二阈值，则将第一...

本发明实施例提供了一种刻蚀速率补偿方法和一种半导体工艺设备，方法包括：在循环执行刻蚀工艺的工艺步过程中，获取第一时间段内的记录的多个摆阀开度值，计算摆阀开度值的统计值；若刻蚀工艺已执行的时间大于一个清洁周期，且摆阀开度值的统计值不位于预...

本发明提供一种工艺腔室以及半导体工艺设备，工艺腔室包括用于承载晶圆的基座、设置于基座上方的靶材以及设置于靶材以及基座之间的准直器，准直器包括本体以及调节结构，本体和调节结构中的一者设置有多个沿其厚度方向贯穿的第一通孔，另一者包括多个间隔...

本申请实施例提供了半导体工艺腔室、设备及密封圈在位检测方法，涉及半导体工艺技术领域，其中，所述半导体工艺腔室包括：工艺门和工艺管；工艺门的一侧设有环形槽，环形槽内设置有密封圈，工艺门还开设有多个真空吸附孔，在沿环形槽的周向上，各真空吸附...

本申请公开一种半导体工艺腔室及其控制方法，涉及半导体工艺技术领域。该半导体工艺腔室包括腔室本体、第一抽气组件和气体净化组件，所述腔室本体设有第一通气孔和第二通气孔，所述第一抽气组件的第一端与所述第一通气孔相连通，所述气体净化组件的第一端...

本申请公开了一种半导体处理设备，包括：箱体，一面设有开口；箱门，通过铰接组件可打开地设置于所述开口处；环形密封垫，设置于所述箱门和所述箱体之间，用于在所述箱门关闭所述箱体后对所述开口进行密封；关门时，所述箱门通过所述铰接组件做旋转运动，...

本申请属于半导体设备技术领域，具体涉及一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备。该半导体工艺腔室包括腔室本体、绝缘容器和内衬，内衬与腔室本体绝缘隔开，内衬环绕设置于腔室本体内，内衬与腔室本体的侧壁之间具有间隙，绝缘容器设于间隙内，绝缘容器内设...

本发明实施例提供了一种半导体工艺设备的气路图显示方法和上位机，方法包括：获取标准气路图，标准气路图包括多个控件，控件表示半导体工艺设备中的元器件，控件具有可见属性和可操作属性；获取登录工控软件的用户的用户信息；根据用户信息，设置标准气路...

本申请公开了一种半导体工艺设备及其吹扫结构、清洁方法，属于半导体工艺技术。该吹扫结构包括：设置在门阀过渡板上且与门阀过渡区连通的多个第一匀流通道，且多个第一匀流通道沿第二方向排列设置在门阀过渡板邻近门阀的一侧，且每个第一匀流通道的吹扫方...

本申请公开一种转接装置及半导体工艺设备，所公开的转接装置用于将传感器转接至工艺位，所述转接装置包括缸体、活塞组件、隔离件、壳体和封堵部；其中：活塞组件的活塞滑动地设于缸体中，缸体包括本体部和堵头，本体部为一端为开口端、另一端为封闭端的中...

本发明公开一种半导体工艺设备及其控制方法，所公开的半导体工艺设备包括腔室、晶圆承载座、光谱强度检测装置和冷却管路，其中，晶圆承载座设于腔室内，腔室的与晶圆承载座相对的顶壁开设有透明视窗，光谱强度检测装置位于腔室之外，且与透明视窗相对，冷...

本申请公开一种清洗装置、半导体工艺设备及其清洗方法，属于半导体技术领域，清洗装置包括喷射管、至少一个喷头、支撑构件以及干冰气流源，至少一个喷头设置于喷射管，喷射管设置于支撑构件，喷射管可伸入半导体工艺设备的连通管内，干冰气流源与喷射管连...

本申请提供一种半导体工艺设备，包括半导体工艺腔室和用于向半导体工艺腔室输送工艺气体的进气装置，进气装置用于向半导体工艺腔室输送工艺气体，包括装置本体和气量调节机构，装置本体具有输送通道，装置本体还具有间隔围绕输送通道设置的环形通道，输送...

本发明提供一种半导体工艺设备，包括管式工艺腔室，用于容纳载片舟；在管式工艺腔室的轴向上的两端分别设置有进气口和抽气口；原位等离子体源，其设置于管式工艺腔室的排气口所在一侧，并与管式工艺腔室中的载片舟电连接，用于向载片舟加载射频功率，以对...

本发明公开了一种沟槽结构的制备方法及沟槽栅型晶体管的制备方法，该沟槽结构的制备方法包括：利用刻蚀气体对半导体层进行刻蚀，以在半导体层上形成沟槽，刻蚀气体含有氧元素或氮元素；对沟槽的侧壁进行P型掺杂，以补偿刻蚀过程中氧元素或氮元素在侧壁造...

本申请公开一种基座及半导体工艺腔室，属于半导体技术领域。基座包括基座本体、磁性组件以及位于基座本体上的多个承载件，承载件用于承载晶圆，且承载件绕自身的轴线可转动地设置于基座本体；磁性组件包括针对每一承载件设置的电磁件和与承载件固定连接的...

本申请提供了一种深孔刻蚀工艺参数确定方法及电子设备，其中，所述深孔刻蚀工艺参数确定方法基于多个初始工艺配方将各个工艺配方所对应的多个工艺结果参数作为优化目标对工艺配方中各目标工艺参数的参数值进行迭代优化，获得多个候选工艺配方，并将候选工...

本发明提供了一种图形化衬底的表面处理方法和图形化衬底的刻蚀方法，涉及LED芯片制造技术领域，为解决PSS侧壁的粗糙度较大的问题而设计。图形化衬底的表面处理方法包括：通入惰性气体，利用电离的惰性气体轰击图形化蓝宝石衬底；通入氧化气体去除有...

本申请实施例提供了一种供气装置及半导体工艺设备，其中，所述供气装置包括：进气组件、出气组件和气流调节装置；进气组件设有第一出气口，出气组件设有第一进气口，第一出气口与第一进气口对接，出气组件包括导气板，导气板与第一进气口相对，导气板分布...

本发明公开一种工艺气体喷嘴及半导体工艺腔室，所公开的工艺气体喷嘴包括喷嘴主体(21)、第一凸起(22)和环状部(23)，所述喷嘴主体(21)具有第一端(213)和第二端(214)，所述环状部(23)环绕所述第二端(214)设置，所述第一...