本申请公开了一种退火工艺腔室及半导体工艺设备，涉及半导体加工技术领域，所公开的退火工艺腔室包括腔室本体和加热组件，腔室本体中设有工艺空间，工艺空间用于对待加热件进行退火工艺；加热组件设于腔室本体的工艺空间内，加热组件包括透光防护罩和加热...

本发明实施例提供了一种配液装置和半导体工艺设备；配液装置包括：第一储液罐将第一药液进行存储；第二储液罐将第二药液进行存储；将第一储液罐和第二储液罐连接的第二药液进液管路，用于将第二储液罐存储的第二药液输送到第一储液罐中；第一液位检测模块...

本发明提供一种用于半导体清洗设备的排液系统及半导体清洗设备，涉及半导体技术领域，包括：排液盒，排液盒上设置有至少一个进液口和至少一个出液口，进液口用于与半导体清洗设备的排液管路连接，出液口用于连接出液管路；PH传感器，用于检测半导体清洗...

本申请提供了一种形成沟槽的方法及半导体工艺设备，其中，该方法包括：交替循环执行第一刻蚀步骤和第二刻蚀步骤，以在衬底内形成第一沟槽；其中，在每轮总循环中，第一刻蚀步骤用于将衬底从第一掩膜开口暴露出的第一部分刻蚀第一预定深度，第二刻蚀步骤用...

本发明提供了一种装卸装置、半导体设备和装载方法、卸载方法，涉及晶体制造技术领域，为解决半导体设备高度过高的问题而设计。装卸装置包括安装部；第一转运机构，能够运动至第一设定位置处承托位于下盖上的待装载物，此时待装载物局部位于腔室本体内，且...

本申请公开一种驱动装置和半导体工艺设备，属于半导体加工技术领域。所公开的驱动装置包括安装板、第一驱动机构、第二驱动机构和连接轴，所述第一驱动机构包括相连的第一驱动源和升降轴，所述第二驱动机构包括相连的第二驱动源和旋转轴，所述第一驱动源和...

本申请提供了一种形成凹槽的方法、场效应晶体管的制备方法及工艺设备，其中，形成凹槽的方法包括：交替执行沉积步骤和第一刻蚀步骤，至少刻蚀部分第二侧墙以使相邻两个栅极结构之间的鳍状结构暴露；其中，沉积步骤用于在栅极结构的顶部沉积第一保护膜，并...

本发明实施例提供了一种工艺配方的管理方法，该方法包括：获取设备自动化系统下发的工艺配方；对工艺配方进行加密处理，得到敏感数据资源包，以用于半导体工艺设备中包括的预设工艺模块调用敏感数据资源包中的工艺配方；在全部预设工艺模块对敏感数据资源...

本申请公开一种衬底加工方法、LED芯片衬底和LED产品，衬底加工方法包括：掩膜制作步骤；主刻蚀步骤；过刻蚀步骤；在单次完成主刻蚀步骤之后，至少执行一次副产物去除步骤，和/或，在单次完成过刻蚀步骤之后，至少执行一次副产物去除步骤；其中，副...

本发明提供了一种阻抗匹配方法、阻抗匹配器及半导体工艺设备，基于射频电源的反射功率与反射系数实时数据切换阻抗匹配器的控制模式为自动模式或手动模式，在未起辉时和起辉时采用手动模式避免匹配时间慢、匹配时间不一致等问题，在等离子体稳定后采用手动...

本申请公开一种上电极结构及半导体工艺设备，涉及半导体制造技术领域，上述的上电极结构包括第一壳体、第二壳体和电容调节装置，第二壳体设于第一壳体之内，且第一壳体与第二壳体之间具有间隙，电容调节装置设于间隙中，用于调节第一壳体与第二壳体之间的...

本申请公开了一种运输装置的控制系统及控制方法，涉及运输、控制领域。一种运输装置的控制系统，其中，运输装置包括行走底盘以及分别设于行走底盘的承载平台和驱动单元，驱动单元包括第一驱动件，第一驱动件与承载平台连接，用于驱动承载平台相对于行走底...

本发明提供了一种数据通信方法、下位机及上位机，涉及设备通讯技术领域，该设备通讯控制方法包括：获取上位机发送的订阅数据，监控订阅数据对应的运行状态数据；其中，运行状态数据包括半导体工艺设备在工艺过程中产生的工艺运行数据；若运行状态数据发生...

本发明提供了工艺配方的管理控制方法、装置及半导体设备；其中，该方法包括：FA端设备获取工厂端主机发送的管理消息，并对管理消息进行解析，得到操作信息和标识信息；FA端设备通过Message Services将操作信息经上位机转发至下位机，...

本发明提供一种半导体工艺设备，涉及半导体技术领域，包括：工艺腔室；进气管，进气管用于为工艺腔室提供工艺气体，进气管包括设置在工艺腔室内的混气管和贯穿工艺腔室的腔室壁并向外延伸的至少两个进气支管；至少两个进气支管与混气管连接，混气管的一端...

本申请公开了一种下电极组件、半导体工艺腔室及半导体工艺设备，涉及半导体领域。一种下电极结构，包括接口件、承载件、射频馈入件和屏蔽件，承载件用于承载晶圆，接口件包括接口盘，接口盘设于承载件的下方，屏蔽件的一端连接至接口盘，另一端朝向承载件...

本发明提供了一种应用于半导体工艺腔室的预热环安装组件及半导体工艺腔室，涉及半导体设备技术领域，为解决相关技术提供的半导体工艺腔室存在的因预热环发生移动而导致预热环与基座之间的间隙发生变动的问题而设计。该安装组件包括内衬、周向定位结构和径...

本发明实施例提供了一种半导体工艺设备。包括与射频电极连接的低通电路，且所述低通电路接地，通过所述低通电路的直流通过特性和交流截止特性，将所述射频电极上聚集的电荷导走，使得所述射频电极无法形成直流自偏压，提高了等离子体电位，增大了地电极的...

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种线圈组件及半导体工艺设备，该线圈组件包括：沿轴向间隔设置的第一线圈和第二线圈，第一线圈的内端部与第二线圈的内端部通过电容组串联连接；其中，轴向为线圈组件的轴向。本发明通过在第一线圈的内端部与第二线圈...

本发明提供了非对称炉体的温度控制方法及半导体工艺设备；对于非对称炉体的各个非对称控温管段，根据每个非对称控温管段的副回路疏区输出功率和该非对称控温管段在当前工艺任务对应的预设系数计算得到副回路密区输出功率，并控制该非对称控温管段的密加热...