本申请公开了一种半导体工艺设备及其气动阀控制方法，属于半导体工艺技术。该气动阀控制方法包括以下步骤：获取当前工艺步骤中需要同时执行完同一气动阀动作指令的多个气动阀，并得到每个气动阀对应气动阀动作指令的响应时长；根据多个气动阀的响应时长中...

本申请公开了一种液体排放装置、液体排放方法及半导体处理设备，液体排放装置包括顶部设有槽口的槽体，以及盖设在所述槽口处的盖体，所述槽体的底板上设有排液口，所述液体排放装置还包括至少三个贯穿所述盖体设置的进气管，用于向所述槽体内喷气，每个所...

本申请公开了一种进气管的清洗方法及半导体工艺设备，进气管作为等离子体发生腔，并用于向工艺腔室通入等离子体以对晶圆进行工艺，清洗方法包括：在每完成预设数量的晶圆的工艺后，向进气管通入第一清洗气体，并加载射频功率以激发第一清洗气体；控制进气...

本申请公开一种半导体工艺腔室和顶针支撑件的位置调整方法。该半导体工艺腔室包括支架、升降机构、顶针支撑件和位置检测组件，升降机构能够带动顶针支撑件在传片位置与第二工艺位置之间运动，在升降机构的升降方向上，位置检测组件的第一检测件和第二检测...

本申请公开了一种半导体工艺设备及其遮挡盘装置、遮挡盘控制方法，属于半导体工艺技术。该遮挡盘装置包括遮挡盘、旋转臂和厚度检测组件，其中，遮挡盘放置于所述旋转臂上，以在旋转臂的驱动下进行转动运动；厚度检测组件设置在旋转臂上，且厚度检测组件邻...

本发明提供了一种应用于立式炉的测温装置和立式炉，涉及晶圆的热处理技术领域，为解决热电偶在套管内的倾斜和不同心难以处理的问题而设计。应用于立式炉的测温装置包括热电偶，热电偶的顶端能够从立式炉的套管的底端插入套管内；安装部，用于承载热电偶；...

本申请公开一种半导体工艺设备，涉及半导体技术领域。该半导体工艺设备包括工艺腔室、排气装置和连接装置，连接装置包括第一接头、第二接头、第一夹持组件和第二夹持组件，第一接头与排气装置连接，第二接头与工艺腔室连接，第一接头设有配合凹面，第二接...

本申请实施例提供了一种预清洗腔室、半导体工艺设备及清洗方法，其中，所述预清洗腔室包括：腔体、基座、等离子体生成装置和偏压调节装置；基座设于腔体内，基座用于承载待清洗件，等离子体生成装置用于在通有第一工艺气体的腔体内产生第一等离子体，在腔...

本发明实施例提供了一种调度模型的训练方法，该方法包括：获取多组训练数据，每组训练数据包括：多个第一状态信息和多个第一预测动作信息，其中，第一状态信息用于描述不同位置上的物料分别从所对应的当前位置完成多道工序且回到作业完成位置所需要的时长...

本发明提供了一种晶圆校准定位的精细调节方法及半导体工艺设备，该方法包括：将晶圆传入工艺腔室，对晶圆进行预设时长的刻蚀以获取晶圆的刻蚀速率偏心图；其中，刻蚀速率偏心图包括晶圆上各采样点的刻蚀速率偏心值，刻蚀速率偏心值为各采样点的刻蚀速率与...

本申请公开一种半导体工艺设备及其内衬结构，属于半导体工艺技术。该内衬结构包括第一环形内衬、第二环形内衬和第三环形内衬，第一环形内衬、第二环形内衬以及第三环形内衬依次相接设置；第一环形内衬及第二环形内衬均沿工艺腔室的竖直方向延伸，且第二环...

本申请公开一种半导体工艺设备及其承载装置，属于半导体工艺技术。该承载装置中，其承载组件的多个承载小盘沿承载大盘的圆周方向均匀活动装配在承载大盘上，多个晶圆支撑模组与多个承载小盘一一对应设置，且每个晶圆支撑模组均包括多个晶圆支撑块，每个晶...

本申请公开了一种工艺腔室、半导体工艺设备及承载装置的调节方法，涉及半导体领域。一种工艺腔室包括腔体、承载装置、第一测距装置、第二测距装置和控制装置；腔体顶部设有进气端面，承载装置通过升降机构驱动可升降地设于腔体内，承载装置设有第一通孔和...

本申请提供了一种基片台系统MPCVD设备，包括：层叠设置的微波反射台和大钼台；基片台，设置在所述大钼台远离所述微波反射台的一侧；其中，所述大钼台远离所述微波反射台的一侧设置有环形凸起，所述环形凸起与所述基片台同轴，并环绕在所述基片台的外...

本申请公开了一种半导体工艺腔室及托盘组件，属于半导体加工技术领域。半导体工艺腔室包括腔室本体和旋转组件，旋转组件包括旋转轴和与旋转轴连接的托盘卡托，旋转轴与腔室本体的顶部可转动地连接，当旋转组件转动至预设角度的情况下，托盘卡托可与用于承...

本申请公开了一种加热带的加热方法、加热带及半导体工艺设备，其中，所述加热带用于包裹在管道外侧以给所述管道内的介质加热，所述加热方法包括：根据所述介质升温所需的第一功率、所述管道未包裹所述加热带的裸露区域所耗散的第二功率以及所述加热带的外...

本申请公开了一种磁控管结构及半导体处理设备，磁控管结构用于半导体设备，包括固定磁控管组件和可变磁控组件，二者用于在所述半导体设备中形成可调控的可变磁场，其中，所述可变磁控组件包括：盛液箱，设置在所述固定磁控管组件上方用于盛装磁流体；承载...

本申请公开了一种工艺腔室、半导体处理设备及承载平台校准方法，工艺腔室包括腔室本体，以及至少一个设置于所述腔室本体内的工艺位，每个所述工艺位包括可活动地与所述腔室本体连接的承载平台，以及设置于所述承载平台的正上方的喷淋组件，所述工艺腔室还...

本申请公开一种电源频率调节方法和装置、半导体工艺设备，其中电源频率调节方法应用于半导体工艺设备，包括：以预设的频率起始值控制高频电源向所述半导体工艺设备的工艺腔室内的等离子体电极施加高频电压；在所述工艺腔室内实现等离子体点火时，调节所述...

本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备，该反应腔室的门阀装置包括：转轴，可转动地设置于内腔体的传输口所在一侧，且转轴的第一端和第二端贯通外腔体，并延伸至外腔体外部；驱动装置，与转轴的第一端连接，用于驱动转轴转动；门板组件，与转轴固定连接...