一种进气管的清洗方法及半导体工艺设备技术

本申请公开了一种进气管的清洗方法及半导体工艺设备，进气管作为等离子体发生腔，并用于向工艺腔室通入等离子体以对晶圆进行工艺，清洗方法包括：在每完成预设数量的晶圆的工艺后，向进气管通入第一清洗气体，并加载射频功率以激发第一清洗气体；控制进气管内的气压在第一预设压力维持第一预设时间，以及在第二预设压力维持第二预设时间，第一预设压力与第二预设压力的比值大于等于6且小于等于14，第一预设时间与第二预设时间的比值大于等于0.5且小于等于2。本申请通过对进气管进行批次间清洗，可以对杂质颗粒进行清洗，避免产生花状缺陷，由于析晶得到及时清洗，不需要经常停机更换进气管，延长了进气管的寿命，成本降低，提高了生产率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，具体涉及一种进气管的清洗方法及半导体工艺设备。

技术介绍

1、大多数等离子体蚀刻工艺之后，通常会有一道单独的去除光刻胶工艺，这种工艺一般会在去胶机中进行。其工作过程为：等离子体通过进气管进入工艺腔室，然后由隔离板进行过滤，隔离板是一个布满了细小孔洞的金属过滤板，等离子体经过隔离板过滤得到较为纯净的自由基，自由基可以对晶圆表面的光刻胶进行刻蚀反应，达到去除光刻胶的目的。

2、随着工艺的进行、处理的晶圆的数量的增多，后续处理的晶圆，表面逐渐会产生一种缺陷，该缺陷的分布与隔离板的孔洞分布十分相似，呈现非常规律性的分布，被称为花状缺陷。此时，需要停止生产，对去胶机进行清洗维护，大大影响了机台产能。

技术实现思路

1、针对上述技术问题，本申请提供一种进气管的清洗方法及半导体工艺设备，可以改善现有方法由于半导体工艺设备的进气管掉落杂质产生的花状缺陷导致需要停机维护影响产能的问题。

2、为解决上述技术问题，第一方面，本申请实施例提供一种进气管的清洗方法，所述进气管作为等离子体发生腔本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种进气管的清洗方法，其特征在于，所述进气管作为等离子体发生腔，并用于向工艺腔室通入等离子体以对晶圆进行工艺，所述清洗方法包括批次间清洗步骤，所述批次间清洗步骤包括：

2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述第一预设压力为3000-4200mTorr，所述第二预设压力为300-500mTorr；和/或

3.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述第一清洗气体包括含氟气体，并且所述含氟气体的体积占比为1％-3％；

4.根据权利要求3所述的清洗方法，其特征在于，所述第一清洗气体还包括含氧气体，所述第一清洗气体中氧元素和氟元素的比值为10...

【技术特征摘要】

1.一种进气管的清洗方法，其特征在于，所述进气管作为等离子体发生腔，并用于向工艺腔室通入等离子体以对晶圆进行工艺，所述清洗方法包括批次间清洗步骤，所述批次间清洗步骤包括：

2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述第一预设压力为3000-4200mtorr，所述第二预设压力为300-500mtorr；和/或

3.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述第一清洗气体包括含氟气体，并且所述含氟气体的体积占比为1％-3％；

4.根据权利要求3所述的清洗方法，其特征在于，所述第一清洗气体还包括含氧气体，所述第一清洗气体中氧元素和氟元素的比值为10:(0.3-1)。

5.根据权利要求4所述的清洗方法，其特征在于，所述含氧气体为o2，所述含氟气体为cf4，并且o2和cf4的流量比为20:(0.3-1)。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹淋中，张德群，董云鹤，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：