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本申请公开了一种进气管的清洗方法及半导体工艺设备，进气管作为等离子体发生腔，并用于向工艺腔室通入等离子体以对晶圆进行工艺，清洗方法包括：在每完成预设数量的晶圆的工艺后，向进气管通入第一清洗气体，并加载射频功率以激发第一清洗气体；控制进气管内...
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