预清洗腔室、半导体工艺设备及清洗方法技术

本申请实施例提供了一种预清洗腔室、半导体工艺设备及清洗方法，其中，所述预清洗腔室包括：腔体、基座、等离子体生成装置和偏压调节装置；基座设于腔体内，基座用于承载待清洗件，等离子体生成装置用于在通有第一工艺气体的腔体内产生第一等离子体，在腔体内具有第一等离子体的情况下，偏压调节装置用于将基座调整为正偏压，以使基座排斥第一等离子体中的离子，使第一等离子体中的自由基与待清洗件进行还原反应；等离子体生成装置还用于在通有第二工艺气体的腔体内产生第二等离子体；在腔体内具有第二等离子体的情况下，偏压调节装置用于将基座调整为负偏压，以使基座吸引第二等离子体中的离子轰击承载于基座的待清洗件。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体工艺，尤其涉及一种预清洗腔室、半导体工艺设备及清洗方法。

技术介绍

1、在半导体工艺流程中，有时需要对待清洗件(例如晶圆)进行预清洗(pre-clean)，以将需进行半导体工艺处理的待清洗件经前道工序后表面的杂质去除，从而使得后续的半导体工艺有效进行，提高后续工艺可靠性和产品良率。

2、在相关技术中，一类预清洗腔室主要通过离子轰击待清洗件的方式，对待清洗件进行刻蚀清洗。另一类预清洗腔室主要通过过滤网滤除等离子体中的离子的方式，利用等离子中的自由基对待清洗件进行还原清洗。在相关技术中，预清洗腔室能够实现的清洗工艺较为单一。

技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种预清洗腔室、半导体工艺设备及清洗方法，以解决如何提升预清洗腔室的清洗功能。

2、第一方面，本申请实施例提供了一种预清洗腔室。

3、本申请实施例提供的预清洗腔室，包括：腔体、基座、等离子体生成装置和偏压调节装置；

4、所述基座设置于所述腔体内，所述基座用于承载待清洗件，所述偏压调节装置与所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种预清洗腔室，其特征在于，包括：腔体(110)、基座(120)、等离子体生成装置(130)和偏压调节装置(140)；

2.根据权利要求1所述的预清洗腔室，其特征在于，所述等离子体生成装置(130)包括射频电源(131)、射频匹配器(132)和线圈(133)；所述射频电源(131)通过所述射频匹配器(132)与所述线圈(133)电连接。

3.根据权利要求2所述的预清洗腔室，其特征在于，在所述腔体(110)通有所述第一工艺气体的情况下，所述射频电源(131)用于经所述射频匹配器(132)将第一射频功率施加至所述线圈(133)，以在通有所述第一工艺气体的所述腔体(...

【技术特征摘要】

1.一种预清洗腔室，其特征在于，包括：腔体(110)、基座(120)、等离子体生成装置(130)和偏压调节装置(140)；

2.根据权利要求1所述的预清洗腔室，其特征在于，所述等离子体生成装置(130)包括射频电源(131)、射频匹配器(132)和线圈(133)；所述射频电源(131)通过所述射频匹配器(132)与所述线圈(133)电连接。

3.根据权利要求2所述的预清洗腔室，其特征在于，在所述腔体(110)通有所述第一工艺气体的情况下，所述射频电源(131)用于经所述射频匹配器(132)将第一射频功率施加至所述线圈(133)，以在通有所述第一工艺气体的所述腔体(110)内产生所述第一等离子体。

4.根据权利要求2所述的预清洗腔室，其特征在于，在所述腔体(110)通有所述第二工艺气体的情况下，所述射频电源(131)用于经所述射频匹配器(132)将第二射频功率施加至所述线圈(133)，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张超，杨玉杰，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：