本申请公开了一种工艺路径的处理方法、装置及半导体工艺设备。其中，该方法包括：获取待执行的工艺任务的工艺路径的标识；根据工艺路径的标识，获取对应的工艺路径的信息，工艺路径的信息包括顺序排列的多个工艺步骤的信息和每个工艺步骤对应的至少一个工...

本说明书实施例提供了一种调度方法，该方法在调度序列的生成过程中，通过建立目标物料集合，在创建针对第一目标对象的目标动作时，通过判断多个节点的更新状态是否满足死锁条件(即目标物料集合中是否有其他可移动的对象(即第三目标对象)，且是否存在有...

本发明涉及半导体工艺技术领域，具体而言，涉及半导体工艺设备、防止聚焦环偏移的控制方法、控制装置、可读存储介质和计算机程序产品。半导体工艺设备，包括承载盘和腔室抽气通道，承载盘位于腔室内，承载盘具有第一承载部和环绕于第一承载部外周侧的第二...

本发明公开了一种确定半导体加工设备稼动率的方法和相关设备，下位机接收上位机发送的任务指令，响应该任务指令，控制半导体加工设备的相应硬件模块执行相应任务，并基于该任务指令，获得执行相应任务的任一硬件模块的状态数据标识和状态数据值，将硬件模...

本发明提供一种电极引入装置和半导体加工设备，包括第一电极组件和第二电极组件，二者均包括导电支撑件和电极连接件，其中，导电支撑件用于可相对转动的套设于半导体加工设备的工艺腔体内的用于承载载片舟的支撑柱上，且具有用于支撑并电接触载片舟对应的...

本申请公开了一种半导体结构中的通孔的制作方法及半导体工艺设备，制作方法包括：含碳层，层叠于含碳层上方的硅氧化物层，以及位于硅氧化物层上图形化的第一掩膜层，制作方法包括：硅氧化物层刻蚀：以第一掩膜层为掩膜，对硅氧化物层进行刻蚀，以在硅氧化...

本发明提供一种承载装置及半导体加工设备，该承载装置包括包括基座本体，基座本体承载晶圆所在平面为基准面，基座本体具有环形凸部，环形凸部的顶面与基准面平齐，用于支撑并密封晶圆的边缘区域；基座本体还具有低于基准面的第一表面和第二表面，第一表面...

本说明书实施例提供了一种半导体设备的清洗方法，在针对清洗工艺中，可以避免由于读数波动而导致的清洗工艺的误判，即避免了以气体检测装置的检测值作为判断清洗工艺的进程而可能导致的由于读数波动而提前结束清洗工艺的情况；而变化率可以较好地表征排出...

本申请公开了一种清洗槽结构及槽式清洗设备，清洗槽结构包括：内槽；外槽，沿所述内槽的外壁设置；多对注液管，每对所述注液管对称分布在所述内槽外侧的相对两侧，同一侧的所述注液管相互平行并且沿竖直方向排列，所述注液管用于向所述内槽注入清洗夜，其...

本说明书实施例提供了一种刻蚀方法，该方法通过沉积步在待刻蚀膜层结构表面形成保护膜，该保护膜可填充开口侧壁的损伤部分，以提高开口侧壁的平整度；此外，随着开口刻蚀深度的增加，通过交替进行刻蚀步和沉积步进行开口的刻蚀会出现开口陡直度降低的问题...

本申请提供了一种形成沟槽结构的方法及半导体工艺设备，该方法包括执行第一刻蚀步骤，对待刻蚀膜层暴露出的表面进行刻蚀，以在待刻蚀膜层的顶部形成圆弧状的第一沟槽；第一沟槽的靠近掩膜层的开口宽度大于掩膜开口的开口宽度；执行第二刻蚀步骤，对第一沟...

本申请公开了一种腔室清洁方法及半导体工艺设备。其中，该方法包括：在第一时间段内，在腔室内通入第一气体，控制腔室内的压力为第一压力，开启上电极功率进行等离子体启辉，以对腔室顶壁的副产物进行第一清洁；在第二时间段内，在腔室内通入第二气体，控...

本申请实施例提供了一种工艺腔室及半导体工艺设备，其中，所述工艺腔室包括：腔体，以及设置于腔体内的沉积环、承载盘和屏蔽件；承载盘的侧壁的靠近底端一侧设置有环绕承载盘的支撑部；沉积环承载于支撑部，沉积环包括第一拼接体和第二拼接体，且第一拼接...

本申请公开了一种调平工装及磁控溅射设备的磁性组件的调平方法，调平工装用于对磁控溅射设备的磁性组件进行水平调节，包括：手持部，所述手持部设置有从顶面贯穿至底面的第一连接孔；支撑部，与所述手持部的外壁连接，并且环绕所述手持部设置，用于在调平...

本申请公开了一种晶圆承载组件、承载基座及半导体处理设备，晶圆承载组件包括：承载盘，所述承载盘的顶面设置有用于容置所述晶圆的第一凹槽，所述承载盘内设置有多个通向所述第一凹槽中的第一通孔。底盖，设置于所述承载盘的底面，并与所述承载盘之间形成...

本申请公开了一种阻抗匹配方法、等离子体设备、电子设备及存储介质，方法应用于等离子体设备，所述等离子体设备包括射频源，所述射频源交替的工作于高电平模式和低电平模式，包括：在所述射频源工作于所述高电平模式的情况下，控制所述射频源采用第一功率...

本申请公开了一种晶圆吸附的检测方法及晶圆的前处理方法，涉及半导体领域。一种晶圆吸附的检测方法包括：向用于承载并吸附晶圆的静电卡盘加载吸附电压至初始设定值；向所述晶圆与所述静电卡盘之间通入氦气；进行氦气漏率检测，当所述氦气漏率超过预设漏率...

本申请公开了半导体槽式清洗设备和晶圆救片方法。该设备包括至少两个工艺模块，每个所述工艺模块包括酸槽、水槽和晶圆搬运机构，所述晶圆搬运机构被配置为能够在所述工艺模块的所述酸槽和所述水槽间移动，以搬运晶圆；第一控制器，在所述第一控制器检测到...

本发明提供一种进气转接部件、进气部件、进气组件及工艺腔室，第一转接件内部具有进气空间，且第一转接件设置有第一气管和第二气管，第一气管和第二气管分别从第一转接件的侧面与进气空间连通；第二转接件设置在进气空间中，第二转接件包括主体、位于主体...

本发明提供一种晶舟及半导体热处理设备，晶舟设置有多个承载部，多个承载部沿晶舟的周向间隔并对应设置，每个承载部均具有用于承载晶圆的承载面，晶舟通过对应的多个承载部承载晶圆；每个承载部中均设置有第一通道，第一通道贯通至承载面，且第一通道能够...