【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体，具体涉及一种晶圆吸附的检测方法及晶圆的前处理方法。
技术介绍
1、当前，刻蚀机管理晶圆包括以下步骤：传片前处理，主要包括传片前的腔室准备等；传入晶圆；工艺前步，主要包括静电吸附等；工艺步，主要包括对晶圆进行刻蚀加工等；工艺后步，主要包括静电解吸附等；传出晶圆；传片结束流程，用于使腔室进入下一次工艺流程的状态。以上每个步骤的高效、精确运行，可以保证机台每一次对晶圆加工的高效性。
2、静电吸附主要是采用静电卡盘对晶圆进行吸附，以保证晶圆在工艺过程中不会随意移动。当前，静电吸附的方式有多种，例如，通过对静电卡盘施加直流电压来使静电卡盘与晶圆之间产生库仑力，对晶圆进行吸附保持；另外，还有一些情况下，在晶圆进入腔室后，充入蚀刻气体至腔室，然后施加射频，在射频的作用下，时刻气体形成等离子体，最后施加直流高压，在直流高压的作用下使晶圆牢牢地吸附在静电卡盘上。
3、相关技术中，采用背氦压力检测的方式，对静电卡盘与晶圆之间的吸附力是否能够满足工艺需求进行判定，对静电卡盘施加固定电压值，当吸附力不满足工艺需求时，抛...
【技术保护点】
1.一种晶圆吸附的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：
2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述进行氦气漏率检测，包括：
3.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，所述增加所述吸附电压包括：使所述吸附电压由当前设定值增加至下一设定值；
4.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，在所述吸附电压的增加幅值大于或者等于预设幅值的情况下，由所述吸附电压的当前设定值逐渐增大至下一设定值；
5.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述检测方法还包括：
6.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆吸附的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：
2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述进行氦气漏率检测，包括：
3.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，所述增加所述吸附电压包括：使所述吸附电压由当前设定值增加至下一设定值；
4.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，在所述吸附电压的增加幅值大于或者等于预设幅值的情况下，由所述吸附电压的当前设定值逐渐增大至下一设定值；
5.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述检测方法还包括：
6.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，当所述吸附电压的电压值增大至限制电压值时，且所述氦气漏率超过所述预设漏率的情况下，判定所述晶圆异常吸附于所述静电卡盘，并发出报警信号。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：蒋书棋，李璇，赵晓建，刘振华，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。