【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体工艺，尤其涉及一种工艺腔室及半导体工艺设备。
技术介绍
1、在进行半导体沉积工艺的过程中，需要在用于承载晶圆的承载盘的周缘部位设置沉积环，用于遮挡承载盘裸露的部分，防止其被等离子体溅射。
2、目前业界中承载盘普遍设计为静电卡盘。为了解决静电吸附及兼容对地绝缘能力的问题，静电卡盘的材料主要选取氧化铝陶瓷或者氮化铝陶瓷材料，相应的沉积环应选取与静电卡盘具有相同热膨胀系数的材料，并且应具有和静电卡盘一样的对地绝缘能力，因此沉积环可选取的材料主要为陶瓷材料。而陶瓷材料容易发生脆性碎裂，因此寿命较低。
3、由于金属材料有比陶瓷次材料更大的强度，因此可以选取与陶瓷静电卡盘具有相近热膨胀系数的金属材料制作沉积环。并且考虑静电卡盘与沉积环之间的配合间隙，配合间隙过大，沉积材料会在其中填充沉积，从而导致粘片。配合间隙过小，会造成静电卡盘与沉积环的相互挤压，造成碎裂风险，目前与氮化铝陶瓷热膨胀系数相近的金属有可伐合金。但可伐合金的价格十分昂贵，且可进行可伐合金加工的加工商极少，复杂件的加工周期长，原材料受限等因素制约着沉积环的批量生产。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种工艺腔室及半导体工艺设备，以解决一体式的沉积环存在不能根据需求合理调整沉积环的不同部位的材质的问题。
2、本申请实施例提供的工艺腔室包括：
3、第一方面，本申请实施例提供了一种工艺腔室。
4、本申请实施例提供的工艺腔室，应用于半导体工艺设备，所述工艺腔室
5、可选地，所述第一拼接体和所述第二拼接体均为金属材质。
6、可选地，所述第一拼接体的材质包括可伐合金或氮化铝，所述第二拼接体的材质包括不锈钢、氧化铝或钛合金。
7、可选地，所述第一拼接体与所述承载盘的侧壁之间的距离小于所述第二拼接体与所述承载盘的侧壁之间的距离。
8、可选地，所述第二拼接体的靠近所述支撑部的一端承载于所述支撑部。
9、可选地，所述第二延伸部的上侧面在远离所述承载盘一端具有向远离所述第二拼接体方向弯折的第一表面；所述屏蔽件的靠近所述承载盘的部位设置有与所述第一表面相对设置的第二表面，所述第一表面与所述第二表面之间的间隔空间形成所述工艺气体通道的第一段。
10、可选地，所述第一拼接体的朝向所述屏蔽件的周向侧部具有第三表面，所述第二拼接体包括第三延伸部，所述第三延伸部从所述第三表面的下侧朝背离第一拼接体的方向延伸，所述第三延伸部的朝向所述屏蔽件的表面为第四表面；所述屏蔽件设置有分别与所述第三表面和所述第四表面相对的第五表面，所述第三表面与所述第五表面的间隔空间形成所述工艺气体通道的第二段，所述第四表面与所述第五表面的间隔空间形成所述工艺气体通道的第三段。
11、可选地，所述第四表面与所述第三表面平齐。
12、可选地，所述第二拼接体还包括第四延伸部，所述第四延伸部从所述第四表面的远离所述第一拼接体的一端朝背离所述承载盘的方向延伸，所述第四延伸部的朝向所述屏蔽件的表面为第六表面，所述屏蔽件设置有与所述第六表面相对的第七表面，所述第六表面与所述第七表面的间隔空间形成所述工艺气体通道的第四段；所述工艺气体通道的所述第一段、所述第二段、所述第三段和所述第四段依次连通。
13、可选地，所述第六表面设置有第一导热材料层。
14、可选地，所述第二延伸部的面向所述第二拼接体一侧设置有连接槽，所述第二拼接体包括连接部，所述连接部朝向所述第二延伸部，所述连接部与所述连接槽拼合连接。
15、可选地，所述连接槽的远离所述承载盘的侧壁设置有卡勾，所述连接部的远离所述承载盘的侧部设有第一凹陷部，所述卡勾沿竖直方向卡接于所述第一凹陷部的上侧壁和下侧壁之间。
16、可选地，所述连接部的远离所述承载盘的侧部还设有第二凹陷部，所述第二凹陷部竖向设置，所述第二凹陷部与所述第一凹陷部连通；所述卡勾能够沿所述第二凹陷部移动至所述第一凹陷部。
17、可选地，所述连接部的与所述连接槽的槽底相对的表面设置有第二导热材料层。
18、可选地，所述屏蔽件开设有冷却介质流道。
19、可选地，所述沉积环还包括诱电线圈，所述诱电线圈夹设于所述第一拼接体与所述第二拼接体之间。
20、第二方面，本申请实施例提供了一种半导体工艺设备。
21、本申请实施例提供的半导体工艺设备，包括本申请实施例提供的任意一种工艺腔室。
22、本申请实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：
23、在本申请的实施例中，工艺腔室的沉积环可由第一拼接体和第二拼接体拼接而成。其中，与承载盘相邻的第一拼接体可由热膨胀系数较小的材料制成，第二拼接体可由热膨胀系数大于第一拼接体的材料制成。这样，可以通过合理设置沉积环的各部分的材质的方式，降低沉积环的制造成本，提升沉积环的使用寿命。
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1.一种工艺腔室，应用于半导体工艺设备，其特征在于，包括：腔体(110)，以及设置于所述腔体(110)内的沉积环(120)、承载盘(130)和屏蔽件(140)；
2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一拼接体(121)和所述第二拼接体(122)均为金属材质。
3.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一拼接体(121)的材质包括可伐合金或氮化铝，所述第二拼接体(122)的材质包括不锈钢、氧化铝或钛合金。
4.根据权利要求1-3任一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一拼接体(121)与所述承载盘(130)的侧壁(131)之间的距离小于所述第二拼接体(122)与所述承载盘(130)的侧壁(131)之间的距离。
5.根据权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，所述第二拼接体(122)的靠近所述支撑部(132)的一端承载于所述支撑部(132)。
6.根据权利要求1-3任一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述第二延伸部(1212)的上侧面在远离所述承载盘(130)一端具有向远离所述第二拼接体(122)方向弯折
7.根据权利要求6所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一拼接体(121)的朝向所述屏蔽件(140)的周向侧部具有第三表面(1232)，
8.根据权利要求7所述的工艺腔室，其特征在于，所述第四表面(1233)与所述第三表面(1232)平齐。
9.根据权利要求7所述的工艺腔室，其特征在于，所述第二拼接体(122)还包括第四延伸部(1222)，所述第四延伸部(1222)从所述第四表面(1233)的远离所述第一拼接体(121)的一端朝背离所述承载盘(130)的方向延伸，
10.根据权利要求9所述的工艺腔室，其特征在于，所述第六表面(1234)设置有第一导热材料层(161)。
11.根据权利要求1-3任一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述第二延伸部(1212)的面向所述第二拼接体(122)一侧设置有连接槽(1213)，所述第二拼接体(122)包括连接部(1223)，所述连接部(1223)朝向所述第二延伸部(1212)，所述连接部(1223)与所述连接槽(1213)拼合连接。
12.根据权利要求11所述的工艺腔室，其特征在于，所述连接槽(1213)的远离所述承载盘(130)的侧壁(131)设置有卡勾(1214)，所述连接部(1223)的远离所述承载盘(130)的侧部设有第一凹陷部(1224)，所述卡勾(1214)沿竖直方向卡接于所述第一凹陷部(1224)的上侧壁和下侧壁之间。
13.根据权利要求12所述的工艺腔室，其特征在于，所述连接部(1223)的远离所述承载盘(130)的侧部还设有第二凹陷部(1225)，所述第二凹陷部(1225)竖向设置，所述第二凹陷部(1225)与所述第一凹陷部(1224)连通；所述卡勾(1214)能够沿所述第二凹陷部(1225)移动至所述第一凹陷部(1224)。
14.根据权利要求11所述的工艺腔室，其特征在于，所述连接部(1223)的与所述连接槽(1213)的槽底相对的表面设置有第二导热材料层(162)。
15.根据权利要求1-3任一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述屏蔽件(140)开设有冷却介质流道(142)。
16.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述沉积环(120)还包括诱电线圈(163)，所述诱电线圈(163)夹设于所述第一拼接体(121)与所述第二拼接体(122)之间。
17.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括权利要求1至16中任意一项所述的工艺腔室。
...【技术特征摘要】
1.一种工艺腔室，应用于半导体工艺设备，其特征在于，包括：腔体(110)，以及设置于所述腔体(110)内的沉积环(120)、承载盘(130)和屏蔽件(140)；
2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一拼接体(121)和所述第二拼接体(122)均为金属材质。
3.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一拼接体(121)的材质包括可伐合金或氮化铝，所述第二拼接体(122)的材质包括不锈钢、氧化铝或钛合金。
4.根据权利要求1-3任一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一拼接体(121)与所述承载盘(130)的侧壁(131)之间的距离小于所述第二拼接体(122)与所述承载盘(130)的侧壁(131)之间的距离。
5.根据权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，所述第二拼接体(122)的靠近所述支撑部(132)的一端承载于所述支撑部(132)。
6.根据权利要求1-3任一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述第二延伸部(1212)的上侧面在远离所述承载盘(130)一端具有向远离所述第二拼接体(122)方向弯折的第一表面(1231)；
7.根据权利要求6所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一拼接体(121)的朝向所述屏蔽件(140)的周向侧部具有第三表面(1232)，
8.根据权利要求7所述的工艺腔室，其特征在于，所述第四表面(1233)与所述第三表面(1232)平齐。
9.根据权利要求7所述的工艺腔室，其特征在于，所述第二拼接体(122)还包括第四延伸部(1222)，所述第四延伸部(1222)从所述第四表面(1233)的远离所述第一拼接体(121)的一端朝背离所述承载盘(130)的方向延伸，
10.根据权利要求9所述的工艺腔室，其特征在于，所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：裴立新，黄其伟，张先鹏，史全宇，韩为鹏，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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