工艺腔室及半导体工艺设备制造技术

本申请实施例提供了一种工艺腔室及半导体工艺设备，其中，所述工艺腔室包括：腔体，以及设置于腔体内的沉积环、承载盘和屏蔽件；承载盘的侧壁的靠近底端一侧设置有环绕承载盘的支撑部；沉积环承载于支撑部，沉积环包括第一拼接体和第二拼接体，且第一拼接体拼接于第二拼接体的上方；第一拼接体包括相连接的第一延伸部和第二延伸部；屏蔽件围绕第一拼接体设置，第一拼接体和屏蔽件之间限定的区域形成沉积槽；在第一拼接体与屏蔽件的相对面之间以及在第二拼接体与屏蔽件的相对面之间形成工艺气体通道；第一拼接体与承载盘之间的热膨胀系数差异小于第二拼接体与承载盘之间的热膨胀系数差异。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体工艺，尤其涉及一种工艺腔室及半导体工艺设备。

技术介绍

1、在进行半导体沉积工艺的过程中，需要在用于承载晶圆的承载盘的周缘部位设置沉积环，用于遮挡承载盘裸露的部分，防止其被等离子体溅射。

2、目前业界中承载盘普遍设计为静电卡盘。为了解决静电吸附及兼容对地绝缘能力的问题，静电卡盘的材料主要选取氧化铝陶瓷或者氮化铝陶瓷材料，相应的沉积环应选取与静电卡盘具有相同热膨胀系数的材料，并且应具有和静电卡盘一样的对地绝缘能力，因此沉积环可选取的材料主要为陶瓷材料。而陶瓷材料容易发生脆性碎裂，因此寿命较低。

3、由于金属材料有比陶瓷次材料更大的强度，因此可以选取与陶瓷静电卡盘具有相近热膨胀系数的金属材料制作沉积环。并且考虑静电卡盘与沉积环之间的配合间隙，配合间隙过大，沉积材料会在其中填充沉积，从而导致粘片。配合间隙过小，会造成静电卡盘与沉积环的相互挤压，造成碎裂风险，目前与氮化铝陶瓷热膨胀系数相近的金属有可伐合金。但可伐合金的价格十分昂贵，且可进行可伐合金加工的加工商极少，复杂件的加工周期长，原材料受限等因素制约着沉积环的批量生产。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种工艺腔室，应用于半导体工艺设备，其特征在于，包括：腔体(110)，以及设置于所述腔体(110)内的沉积环(120)、承载盘(130)和屏蔽件(140)；

2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一拼接体(121)和所述第二拼接体(122)均为金属材质。

3.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一拼接体(121)的材质包括可伐合金或氮化铝，所述第二拼接体(122)的材质包括不锈钢、氧化铝或钛合金。

4.根据权利要求1-3任一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一拼接体(121)与所述承载盘(130)的侧壁(131)之间的距...

【技术特征摘要】

1.一种工艺腔室，应用于半导体工艺设备，其特征在于，包括：腔体(110)，以及设置于所述腔体(110)内的沉积环(120)、承载盘(130)和屏蔽件(140)；

2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一拼接体(121)和所述第二拼接体(122)均为金属材质。

3.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一拼接体(121)的材质包括可伐合金或氮化铝，所述第二拼接体(122)的材质包括不锈钢、氧化铝或钛合金。

4.根据权利要求1-3任一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一拼接体(121)与所述承载盘(130)的侧壁(131)之间的距离小于所述第二拼接体(122)与所述承载盘(130)的侧壁(131)之间的距离。

5.根据权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，所述第二拼接体(122)的靠近所述支撑部(132)的一端承载于所述支撑部(132)。

6.根据权利要求1-3任一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述第二延伸部(1212)的上侧面在远离所述承载盘(130)一端具有向远离所述第二拼接体(122)方向弯折的第一表面(1231)；

7.根据权利要求6所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一拼接体(121)的朝向所述屏蔽件(140)的周向侧部具有第三表面(1232)，

8.根据权利要求7所述的工艺腔室，其特征在于，所述第四表面(1233)与所述第三表面(1232)平齐。

9.根据权利要求7所述的工艺腔室，其特征在于，所述第二拼接体(122)还包括第四延伸部(1222)，所述第四延伸部(1222)从所述第四表面(1233)的远离所述第一拼接体(121)的一端朝背离所述承载盘(130)的方向延伸，

10.根据权利要求9所述的工艺腔室，其特征在于，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：裴立新，黄其伟，张先鹏，史全宇，韩为鹏，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：