【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其是涉及一种刻蚀终点检测方法及半导体工艺设备。
技术介绍
1、等离子体刻蚀，尤其是高密度等离子体刻蚀是先进集成电路制造过程中必不可少的组成部分，等离子体刻蚀对电路关键尺寸、最终的器件电性以及产品良率有着至关重要的影响。在刻蚀工艺中，针对不同的膜层结构通常设置有不同的工艺步骤，各个工艺步骤通常为定时模式，即工艺执行固定时间后结束该步骤。但是，由于不同腔室或同一腔室在不同时间段下的刻蚀速率存在波动性，相同时间下产生的实际刻蚀量为浮动值，导致刻蚀后的产品品质不稳定。并且随着产品关键尺寸的不断缩小，定时刻蚀的控制方式逐渐无法满足日益提升的工艺稳定性需求，终点检测的工艺控制方式因可以实时调节晶圆刻蚀时间，弥补刻蚀腔室刻蚀速率差异及晶圆关键制程的波动，逐渐成为晶圆制程中刻蚀工艺控制的主流方式。相关的刻蚀终点检测技术，通常将信号的上升阈值和下降阈值是否满足设定值作为判断终点检测是否完成的标准，导致检测到的终点时间波动较大，无法稳定准确地检测到刻蚀工艺的刻蚀终点，进而无法满足关键制程对关键尺寸稳定性的要求，降低了刻蚀终点检测的稳
【技术保护点】
1.一种刻蚀终点检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀进度信号包括至少两个刻蚀参数，所述刻蚀参数包括腔室光强度信号和/或腔室设备硬件参数，所述对所述刻蚀进度信号进行去噪声处理，得到信号强度随时间变化曲线，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述变化趋势包括上升趋势和下降趋势，所述对各所述刻蚀参数随时间变化曲线进行运算，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取所述信号强度随时间变化曲线中所述预设滤波时间之后的波峰或波谷，对所述波峰或波谷进行极值验证以确定所述刻蚀
...【技术特征摘要】
1.一种刻蚀终点检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀进度信号包括至少两个刻蚀参数，所述刻蚀参数包括腔室光强度信号和/或腔室设备硬件参数，所述对所述刻蚀进度信号进行去噪声处理，得到信号强度随时间变化曲线，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述变化趋势包括上升趋势和下降趋势，所述对各所述刻蚀参数随时间变化曲线进行运算，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取所述信号强度随时间变化曲线中所述预设滤波时间之后的波峰或波谷，对所述波峰或波谷进行极值验证以确定所述刻蚀终点，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述对所述刻蚀进度信号进行去噪声处理的步骤之前，还包括：
6.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：张宇，傅海林，廖亮，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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