【技术实现步骤摘要】
本说明书涉及半导体制造，具体地说，涉及半导体制造下的可是技术，更具体地说，涉及一种叠层结构的刻蚀方法、半导体工艺设备及计算设备。
技术介绍
1、在半导体制造
，由于所需制备的器件的结构需求，通常需要利用刻蚀工艺在金属或硅片等膜层或物体中形成通孔、盲孔等类型的开口。
2、目前，在利用刻蚀工艺形成各类开口的过程中，可能会出现由于待刻蚀膜层结构的结构等特点而导致的侧壁损伤等问题，这会导致开口侧壁的形貌不良等问题，给最终制备获得的半导体器件的性能带来负面影响。
技术实现思路
1、本说明书实施例提供了一种刻蚀方法、半导体工艺设备及计算设备，以实现优化开口的侧壁形貌的目的。
2、为实现上述技术目的，本说明书实施例提供了如下技术方案：
3、第一方面，本说明书的一个实施方式提供一种刻蚀方法，包括：
4、刻蚀步，对待刻蚀膜层结构的预定区域进行第一刻蚀以形成开口；所述待刻蚀膜层结构包括交替堆叠设置的第一材料层和第二材料层，所述第一材料层和所述第二材料层分别为不同材料膜层，所述开口的侧壁包括对应于所述第一材料层和所述第二材料层中的一者的凹陷区域和对应于所述第一材料层和所述第二材料层中的另一者的凸起区域；
5、沉积步，在所述开口内形成保护膜，所述沉积步在凹陷区域的沉积速率大于在凸起区域的沉积速率；
6、交替进行所述刻蚀步和所述沉积步，以在所述预定区域形成预定深度的开口；
7、修饰步，在交替进行多次所述刻蚀步和多次所述
8、第二方面，本说明书的一个实施方式提供一种半导体工艺设备，包括：
9、工艺腔室；
10、电极组件，用于向待刻蚀膜层结构施加偏置电压；
11、控制器，包括至少一个存储器和至少一个处理器，所述存储器用于存储计算机程序；
12、所述处理器，用于通过运行所述存储器中存储的计算机程序，实现如上述任一项所述的刻蚀方法。
13、第三方面，本说明书的一个实施方式还提供了一种计算设备，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上所述的刻蚀方法。
14、第四方面，本说明书的一个实施方式还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上所述的刻蚀方法。
15、第五方面，本说明书实施例提供了一种计算机程序产品或计算机程序，所述计算机程序产品包括计算机程序，所述计算机程序存储在计算机可读存储介质中；所述计算机设备的处理器从所述计算机可读存储介质读取所述计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述的刻蚀方法的步骤。
16、从上述技术方案可以看出，本说明书实施例提供了一种刻蚀方法，该方法可以用于刻蚀包括交替堆叠设置的第一材料层和第二材料层的待刻蚀膜层结构，且可减少所形成的开口的侧壁损伤，优化开口侧壁形貌。具体地，该方法通过沉积步在待刻蚀膜层结构表面形成保护膜，该保护膜可填充开口侧壁的损伤部分，以提高开口侧壁的平整度；此外，随着开口刻蚀深度的增加，通过交替进行刻蚀步和沉积步进行开口的刻蚀会出现开口陡直度降低的问题；因此，在交替进行多次刻蚀步和沉积步后，利用使用更高刻蚀速率的工艺气体的修饰步对预定区域进行修饰，去除侧壁中突出部分(即凸起区域)，并扩宽开口底部宽度，以实现提高开口侧壁的陡直度的目的，从而在实现高深宽比的开口侧壁的刻蚀的基础上，实现了提高开口侧壁的表面平整度和开口整体的陡直度的目的。
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1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一材料层为金属层，所述第二材料层为电介质层，所述刻蚀步采用的工艺气体包括化学刻蚀气体和物理轰击气体，所述刻蚀步对所述金属层和所述电介质层的刻蚀速率基本相同。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述化学刻蚀气体与所述物理轰击气体的比例为2:1至3:1。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述化学刻蚀气体包括硫氟类气体和碳氟类气体，所述硫氟类气体和碳氟类气体的比例为1:1至1:2。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一材料层为含钨层，所述第二材料层为氧化硅层；
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述沉积步中，用于形成保护膜的气体包括含硅气体和含氧气体；
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述修饰步采用的偏置功率小于所述刻蚀步采用的偏置功率。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述修饰步采用的工艺气体包括刻蚀气体和保护气体，所述刻蚀气体和所述保护气体的比例包括2:
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述刻蚀气体包括含氯气体，所述保护气体包括含氮气体。
10.根据权利要求1～9任一项所述的方法，其特征在于，
11.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一材料层为金属层，所述第二材料层为电介质层，所述刻蚀步采用的工艺气体包括化学刻蚀气体和物理轰击气体，所述刻蚀步对所述金属层和所述电介质层的刻蚀速率基本相同。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述化学刻蚀气体与所述物理轰击气体的比例为2:1至3:1。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述化学刻蚀气体包括硫氟类气体和碳氟类气体，所述硫氟类气体和碳氟类气体的比例为1:1至1:2。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一材料层为含钨层，所述第二材料层为氧化硅...
【专利技术属性】
技术研发人员：康晓言，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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