【技术实现步骤摘要】
本申请属于等离子体，具体涉及一种阻抗匹配方法、等离子体设备、电子设备及存储介质。
技术介绍
1、传统的刻蚀机设备的射频源输出的是正弦连续波。随着集成电路的进一步发展，原有的技术方案已无法满足20nm及以下刻蚀工艺的要求，而脉冲等离子体新技术的应用则实现了微细化工艺上的突破。脉冲等离子体技术用于减小连续波射频能量带来的等离子体诱导损伤(plasma induced damage，pid)，改善刻蚀工艺中的负载效应(loading effect)，显著提高刻蚀选择比(selectivity)，并且增大了工艺调节手段和窗口。
2、在射频能量传输的过程中，射频源的输出阻抗一般为50欧姆，而反应腔室的输入阻抗一般为一个具有实部阻抗和虚部阻抗的非50欧姆阻抗值。因而，如果直接将能量传输至反应腔室，则由于传输路径的阻抗不匹配，可能发生射频能量的反射，导致反应腔室中无法正常激发等离子体。因此，需要在射频源和反应腔室间接入一个匹配器，使射频源后端的输入阻抗为50欧姆，便于能量的正常传输。
3、但是射频源在高电平模式(high level)与低电平模式(low level)之间切换时，由于等离子体在不同脉冲输出模式下的阻抗不一致，单纯依靠匹配器无法覆盖等离子体阻抗变化范围，从而导致等离子体不稳定。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种阻抗匹配方法、等离子体设备、电子设备及存储介质，以解决相关技术中单纯依靠匹配器无法覆盖等离子体阻抗变化范围，从而导致等离子体不稳定的问题。>
2、第一方面，本申请实施例提供了一种阻抗匹配方法，应用于等离子体设备，所述等离子体设备包括射频源，所述射频源交替的工作于高电平模式和低电平模式，包括：
3、在所述射频源工作于所述高电平模式的情况下，控制所述射频源采用第一功率输出模式输出功率；
4、在所述射频源工作于所述低电平模式的情况下，控制所述射频源采用第二功率输出模式输出功率；
5、其中，所述第一功率输出模式为前向功率模式或负载功率模式，所述第二功率输出模式为负载功率模式或前向功率模式，且所述第一功率输出模式与所述第二功率输出模式不同。
6、第二方面，本申请实施例另提供了一种等离子体设备，包括处理器和射频源，所述处理器用于在确定所述射频源工作于高电平模式的情况下，控制所述射频源采用第一功率输出模式输出功率，并在确定所述射频源工作于低电平模式的情况下，控制所述射频源采用第二功率输出模式输出功率；
7、其中，所述第一功率输出模式为前向功率模式或负载功率模式，所述第二功率输出模式为负载功率模式或前向功率模式，且所述第一功率输出模式与所述第二功率输出模式不同。
8、第三方面，本申请实施例提供了一种电子设备，该电子设备包括所述处理器、存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的程序或指令，所述程序或指令被所述处理器执行时实现如第一方面所述的方法的步骤。
9、第四方面，本申请实施例提供了一种可读存储介质，所述可读存储介质上存储程序或指令，所述程序或指令被处理器执行时实现如第一方面所述的方法的步骤。
10、本申请实施例提供的方案，在所述射频源工作于所述高电平模式的情况下，控制所述射频源采用第一功率输出模式输出功率；在所述射频源工作于所述低电平模式的情况下，控制所述射频源采用第二功率输出模式输出功率；其中，所述第一功率输出模式为前向功率模式或负载功率模式，所述第二功率输出模式为负载功率模式或前向功率模式，且所述第一功率输出模式与所述第二功率输出模式不同，实现了射频源在高电平模式采用前向功率模式输出功率且在低电平模式采用负载功率模式输出功率，或者在高电平模式采用负载功率模式输出功率且在低电平模式采用前向功率模式输出功率，从而使得在负载功率模式下的功率能够快速补偿高电平模式和低电平模式切换导致的等离子体阻抗变化带来的反射功率波动，从而能够快速补偿反射功率波动带来的等离子体不稳定，解决了相关技术中单纯依靠匹配器不能避免高电平模式和低电平模式切换导致的等离子体不稳定的问题。
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1.一种阻抗匹配方法，应用于等离子体设备，所述等离子体设备包括射频源，所述射频源交替的工作于高电平模式和低电平模式，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的阻抗匹配方法，其特征在于，在需要满足所述等离子体设备的安全系数大于预设值的情况下，所述第一功率输出模式为前向功率模式，所述第二功率输出模式为负载功率模式。
3.根据权利要求2所述的阻抗匹配方法，其特征在于，所述阻抗匹配方法还包括：
4.根据权利要求2所述的阻抗匹配方法，其特征在于，所述阻抗匹配方法还包括：
5.根据权利要求1所述的阻抗匹配方法，其特征在于，所述高电平模式和所述低电平模式的切换脉冲周期范围为0.1kHz～10KHz，且所述高电平模式和所述低电平模式的占空比变化范围为10％～90％。
6.根据权利要求1所述的阻抗匹配方法，其特征在于，所述射频源的频率包括400K，2M，13M，40M和60M中的至少一者。
7.一种等离子体设备，其特征在于，包括处理器和射频源，所述处理器用于在确定所述射频源工作于高电平模式的情况下，控制所述射频源采用第一功率
8.根据权利要求7所述的等离子体设备，其特征在于，还包括驱动装置和阻抗匹配器，在所述射频源工作于所述高电平模式的情况下，所述处理器还用于驱动所述驱动装置调节所述阻抗匹配器中的阻抗值，以使所述等离子体设备的负载阻抗与所述射频源的输出阻抗相匹配。
9.一种电子设备，其特征在于，包括处理器，存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的程序或指令，所述程序或指令被所述处理器执行时实现如权利要求1-6任一项所述的阻抗匹配方法的步骤。
10.一种可读存储介质，其特征在于，所述可读存储介质上存储程序或指令，所述程序或指令被处理器执行时实现如权利要求1-6任一项所述的阻抗匹配方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种阻抗匹配方法，应用于等离子体设备，所述等离子体设备包括射频源，所述射频源交替的工作于高电平模式和低电平模式，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的阻抗匹配方法，其特征在于，在需要满足所述等离子体设备的安全系数大于预设值的情况下，所述第一功率输出模式为前向功率模式，所述第二功率输出模式为负载功率模式。
3.根据权利要求2所述的阻抗匹配方法，其特征在于，所述阻抗匹配方法还包括：
4.根据权利要求2所述的阻抗匹配方法，其特征在于，所述阻抗匹配方法还包括：
5.根据权利要求1所述的阻抗匹配方法，其特征在于，所述高电平模式和所述低电平模式的切换脉冲周期范围为0.1khz～10khz，且所述高电平模式和所述低电平模式的占空比变化范围为10％～90％。
6.根据权利要求1所述的阻抗匹配方法，其特征在于，所述射频源的频率包括400k，2m，13m，40m和60m中的至少一者。
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【专利技术属性】
技术研发人员：杨京，李璇，李文庆，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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