压力控制方法及半导体工艺设备技术

本发明专利技术提供一种压力控制方法及半导体工艺设备，方法包括在晶圆位于静电卡盘上时，获取静电卡盘为晶圆提供的支撑力；判断支撑力是否位于理论支撑力范围；其中，理论支撑力范围根据晶圆的重量预先设定；若支撑力不位于理论支撑力范围，控制热媒气体以执行调压操作，使得压力由当前值上升或下降；在执行调压操作后对当前值进行更新，返回执行获取支撑力的步骤，直至支撑力位于理论支撑力范围。采用该压力控制方法，热媒气体向晶圆施加的压力不是恒定值，而能自动调节，使得晶圆能够保持良好的吸附状态，以降低晶圆碎片的风险，则无需终止工艺，提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，具体地，涉及一种压力控制方法及半导体工艺设备。

技术介绍

1、半导体工艺设备的腔室中设有静电卡盘(electrical static chuck，esc)，静电卡盘用于承载晶圆(wafer)，静电卡盘的内部设有电极，电极与直流电源电连接，晶圆内部的自由电子定向移动形成感应电荷，感应电荷的极性与电极的电荷的极性相反，二者之间产生静电引力，从而将晶圆吸附在静电卡盘的顶面上。

2、静电卡盘上设有气流通道，气流通道的进气口与进气装置连通，气流通道的出气口位于静电卡盘的顶面，进气装置可以通过气流通道向晶圆的背面吹扫恒定压力的热媒气体。这样，一是能够调节晶圆的温度，二是工艺完成后，释放晶圆时，热媒气体对晶圆产生一定的压力，以抵消甚至消除晶圆上残余的感应电荷带来的静电引力。

3、目前，以ccp(capacitively coupled plasma，电容性耦合等离子体源)介质刻蚀机为例的大多半导体工艺设备，工艺过程中，容易出现晶圆破碎的情况，此时，需终止工艺，通过人工干预的方式使半导体工艺设备恢复正常，导致生产效率低。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种压力控制方法，用于控制热媒气体向晶圆施加的压力，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的压力控制方法，其特征在于，所述若所述支撑力不位于所述理论支撑力范围，控制热媒气体以执行调压操作，使得所述压力由当前值上升或下降，具体包括：

3.根据权利要求2所述的压力控制方法，其特征在于，在比较结果为所述支撑力小于下限值时，确定所述调压操作为降压操作，以使所述压力由当前值下降，具体包括：

4.根据权利要求3所述的压力控制方法，其特征在于，当所述支撑力满足所述第一预设条件、且未满足所述第二预设条件时，执行所述降压操作时，所述压力的变化量为第一设定增量。<...

【技术特征摘要】

1.一种压力控制方法，用于控制热媒气体向晶圆施加的压力，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的压力控制方法，其特征在于，所述若所述支撑力不位于所述理论支撑力范围，控制热媒气体以执行调压操作，使得所述压力由当前值上升或下降，具体包括：

3.根据权利要求2所述的压力控制方法，其特征在于，在比较结果为所述支撑力小于下限值时，确定所述调压操作为降压操作，以使所述压力由当前值下降，具体包括：

4.根据权利要求3所述的压力控制方法，其特征在于，当所述支撑力满足所述第一预设条件、且未满足所述第二预设条件时，执行所述降压操作时，所述压力的变化量为第一设定增量。

5.根据权利要求3所述的压力控制方法，其特征在于，当所述支撑力未满足所述第一预设条件时，执行所述降压操作时，所述压力的变化量与所述降压操作的执行次数呈负相关；且每执行一次所述降压操作，对应的将所述降压操作的执行次数进行更新；

6.根据权利要求5所述的压力控制方法，其特征在于，执行所述降压操作时，所述压力的变化量等于第二设定增量与所述降压操作的执行次数的比值；

7.根据权利要求6所述的压力控制方法，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的压...

【专利技术属性】
技术研发人员：纪辉，王艳，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：