【技术实现步骤摘要】
本说明书涉及半导体，具体地说，涉及半导体下的工艺腔室的清洗技术，更具体地说，涉及一种半导体设备的清洗方法及相关装置。
技术介绍
1、目前，在半导体制造工艺中，半导体器件的特征尺寸越来越小，所以，相应的对半导体的加工工艺要求也越来越高，其中，对工艺过程中的颗粒(particle)的控制是控制器件良率的一个关键因素。
2、例如，在待工艺对象(以晶圆为例)的刻蚀过程中，刻蚀反应的副产物会在工艺腔室顶部和侧壁持续沉积形成颗粒。在后续晶圆的刻蚀过程中，颗粒可能会在工艺过程中掉落在晶圆上，掉落在晶圆上的颗粒起到了“掩膜”的作用，阻碍了对晶圆的进一步刻蚀，使得光阻的图形没有完全转移到晶圆上，进而使得刻蚀线条互相搭连，造成器件间相互导通，导致器件失效，影响器件良率。
3、因此，为了保障半导体设备对晶圆的工艺一致性和良率，运维人员可能会对半导体设备制定对应的清洗策略，这些清洗策略例如可以是工艺腔室每工艺n片晶圆(n可以为大于0的整数)，执行一次清洗工艺，如此，期望通过清洗工艺去除工艺过程中沉积在工艺腔室侧壁或部件缝隙等位置的反应物...
【技术保护点】
1.一种半导体设备的清洗方法，所述半导体设备包括工艺腔室和气体检测装置；其特征在于，所述清洗方法包括：
2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述基于当前时间窗口内的多个采样值，计算所述气体检测装置的检测值包括：
3.根据权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，所述基于当前时间窗口内的多个采样值和所述多个采样值各自对应的时间权重，计算所述气体检测装置的检测值包括：
4.根据权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，所述基于当前时间窗口内的多个采样值和所述多个采样值各自对应的时间权重，计算所述气体检测装置的检测值包括：
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【技术特征摘要】
1.一种半导体设备的清洗方法，所述半导体设备包括工艺腔室和气体检测装置；其特征在于，所述清洗方法包括：
2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述基于当前时间窗口内的多个采样值，计算所述气体检测装置的检测值包括：
3.根据权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，所述基于当前时间窗口内的多个采样值和所述多个采样值各自对应的时间权重，计算所述气体检测装置的检测值包括：
4.根据权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，所述基于当前时间窗口内的多个采样值和所述多个采样值各自对应的时间权重，计算所述气体检测装置的检测值包括：
5.根据权利要求4所述的清洗方法，其特征在于，所述基于气体检测装置的当前检测值和气体检测装置的历史检测值，计算变化率包括：...
【专利技术属性】
技术研发人员：高泽宇，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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