本发明公开一种半导体工艺腔室和半导体工艺设备，所公开的半导体工艺腔室包括基座、用于支撑基座的支撑轴、环绕基座设置，且与基座在水平方向间隔设置的预热环；半导体工艺腔室还包括位置检测装置；位置检测装置包括多个检测组件，每一检测组件均包括第一...

本发明提供了一种半导体刻蚀方法及半导体工艺设备，该半导体刻蚀方法包括：监测上电极目标部件的温度和下电极目标部件的温度；周期性计算上电极目标部件的第一温度增量和下电极目标部件的第二温度增量；基于第一温度增量计算上电极目标部件的膨胀量，基于...

本发明提供了一种应用于电阻式长晶炉的检测装置及电阻式长晶炉，该检测装置包括：处理器、电流检测电路和/或电压检测电路；电流检测电路用于监测处于工作状态的各石墨加热器的电流；电压检测电路用于监测任意相邻的两个石墨加热器之间的电压；处理器用于...

本申请公开一种晶圆传输装置及半导体工艺设备。所公开的晶圆传输装置包括机械手(100)、输气机构(200)和驱动机构(300)，所述驱动机构(300)与所述机械手(100)相连；所述机械手(100)具有晶圆承载区，所述晶圆承载区设有多个出...

本发明涉及一种半导体工艺设备及源瓶补液控制方法、控制器和存储介质。源瓶补液控制方法包括：在确定源瓶的源液剩余量小于或等于第一目标剩余量时，开始统计进入源瓶的气体的累计进气量，基于累计进气量和预设的源液消耗系数，计算源瓶中源液的累计消耗量...

本申请公开一种氮化硅薄膜及其制备方法、太阳能电池，其中氮化硅薄膜制备方法包括：向工艺腔室通入工艺气体并向所述工艺腔室加载射频功率以产生等离子体，所述工艺气体包含硅元素和氮元素，且所述硅元素和所述氮元素的比例范围为2‑4；在所述工艺腔室内...

本申请提供了一种腔室清洁方法及半导体工艺设备，该方法包括在工艺腔室中的静电卡盘满足电荷清洁的触发条件时获取挡板的当前状态，并基于挡板的当前状态以及工艺腔室的第一目标状态确定挡板满足移出条件时控制挡板移出工艺腔室，以在工艺腔室的当前状态达...

本申请公开一种选择性外延生长方法、掩膜图案尺寸补偿方法及形成掩膜图案的方法，属于半导体加工技术领域。所公开的选择性外延生长方法包括输送第一气体至工艺腔室内，以使第一气体吸附于基底的表面，基底上形成有沟槽，第一气体在基底的顶面、沟槽的底面...

本申请公开了一种工艺腔室及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种工艺腔室，应用于半导体工艺设备，所述工艺腔室包括：腔体、基座、沉积环、遮挡环和第一升降装置；所述基座、所述沉积环和所述遮挡环均设于所述腔体内，所述沉积环环绕所述基座设置，...

本发明公开了一种半导体膜层的刻蚀方法及半导体工艺设备，该刻蚀方法包括：刻蚀预设区域内的电极接触层，直至露出GaN帽层，形成电极接触层图形；刻蚀裸漏的GaN帽层至设定深度；采用原子层刻蚀工艺继续刻蚀剩余的GaN帽层，直至刻蚀至AlGaN层...

本申请提供了一种上电极组件和半导体工艺腔室以及半导体工艺设备，包括：承载件，固设在半导体工艺腔室的腔体上并设有容置孔；射频隔离环，承载于承载件并至少部分位于容置孔中，用于阻断射频能量；气体喷淋头，穿过射频隔离环的环腔并承载于射频隔离环，...

本发明公开了一种用于半导体工艺设备的尾气排放装置及半导体工艺设备，该装置包括：加热装置，加热装置沿环形对接件的周向设置于环形对接件的外壁，加热装置用于对尾气出口28处的工艺尾气进行加热；排气管，排气管的第一端与尾气出口连接；抽气装置，抽...

本发明提供一种物理气相沉积设备的准直装置及物理气相沉积设备，该装置中的第一准直器和第二准直器均设置于工艺腔室中，且层叠设置于工艺腔室中的靶材与基座之间，第一准直器具有多个第一镂空部，第二准直器具有多个第二镂空部，各第一镂空部和各第二镂空...

本发明提供一种进气结构及半导体工艺设备，进气结构用于半导体工艺腔室，进气结构包括进气主管、进气头部和密封转接组件；进气主管与进气头部连通，以通过进气头部向工艺腔室内输送工艺气体；密封转接组件设置在进气主管外，进气主管和进气头部通过密封转...

本发明提供一种半导体工艺腔室以及半导体工艺设备，半导体工艺腔室包括腔体、电极组件和至少两个晶圆承载装置，其中，电极组件用于向腔体内施加激励功率以激发工艺气体形成等离子体；至少两个晶圆承载装置沿腔体的轴向间隔设置于腔体内，各个晶圆承载装置...

本发明提供一种半导体工艺设备的传输腔室及半导体工艺设备，包括：腔体、驱动件及设置于腔体内的第一板体、第二板体、一级联动机构和二级联动机构，腔体相对的两个腔壁上均设有传片口，第一板体和第二板体的延伸方向平行，第二板体位于第一板体的上方，第...

本发明提供了一种调度方法、计算设备以及计算机可读存储介质，实现了可以在软件运行周期内无需重启上位机即可改变调度模式。本发明提供的调度方法，在半导体设备处于非执行任务时，即可根据用户需求在上位机中选择不同的调度模式，并将目标模式对应的目标...

本申请公开了一种工艺腔室及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种工艺腔室，包括：腔体以及分别设于所述腔体内的基座和工艺组件，所述基座用于承载晶圆；所述工艺组件包括沉积环，所述沉积环设于所述基座的外侧；所述工艺腔室还包括加热组件，所述加...

本发明提供一种腔室清洁方法，包括：第一等离子体刻蚀步，还包括第二等离子体刻蚀步和第三等离子体刻蚀步二者中的至少一者；第一等离子体刻蚀步用于去除工艺腔室中与等离子体接触的表面上的有机聚合物；第二等离子体刻蚀步用于去除工艺腔室中的指定部件与...

本申请公开了一种拆装工具，包括固定架；升降组件，可升降地与所述固定架连接；至少两个滑动块，沿水平面可滑动地与所述固定架连接，并且设置在所述升降组件的旁侧，每个所述滑动块还与所述升降组件可滑动连接，每个所述滑动块与所述升降组件的滑动面为斜...